ΥΛΙΚΑ ΜΙΚΡΗΣ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΣΤΑΘΕΡΑΣ ΣΤΗ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
Μετάδοση Θερμότητας με μεταφορά
Advertisements

Μετασχηματιστής λ/4 Μία από τις μεθόδους προσαρμογής είναι η παρεμβολή πριν από το φορτίο γραμμής μεταφοράς μήκους l/4 και κατάλληλης χαρακτηριστικής αντίστασης.
Πυκνωτές.
Δυνατότητες Ελέγχου Εργαστηρίων ΕΒΕΤΑΜ
Μερκ. Παναγιωτόπουλος-Φυσικός
3.0 ΠΑΘΗΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ 3.2 ΠΥΚΝΩΤΕΣ ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ.
3.0 ΠΑΘΗΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ 3.2 ΠΥΚΝΩΤΕΣ ΒΑΣΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ.
ΜΙΚΡΟΦΩΝΑ Ηλεκτροακουστικές συσκευές που μετατρέπουν τα ηχητικά κύματα σε ηλεκτρικές μεταβολές Τάση ή ρεύμα ήχος μικρόφωνα.
ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟI LORENTZ
ΗΛΕΚΤΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΓΕΩΦΥΣΙΚΩΝ ΔΙΑΣΚΟΠΗΣΕΩΝ
Εξαρτώνται από τη θερμοκρασία
Πυκνωτές.
ΤΙ ΕΙΝΑΙ ΠΥΚΝΩΤΗΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΦΟΡΤΙΣΗ ΠΥΚΝΩΤΗ ΚΥΚΛΩΜΑ ΦΟΡΤΙΣΗΣ ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ ΦΟΡΤΙΣΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗ ΠΥΚΝΩΤΗ ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ ΚΑΤΗΓΟΡΙΕΣ ΠΥΚΝΩΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΛΥΤΙΚΟΙ.
ΕΝΟΤΗΤΑ 4η ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ Γ΄
ΣΥΝΟΨΗ (6) 49 Δείκτης διάθλασης
3.0 ΠΑΘΗΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ 3.1 Η ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ.
ΥΛΙΚΑ ΜΕ ΘΕΤΙΚΟ ΣΥΝΤΕΛΕΣΤΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΣ
Μεταυλικά & Εφαρμογές Επιβλέπων καθηγητής : Λιαροκάπης Ε.
Κεφάλαιο 24 Χωρητικότητα, Διηλεκτρικά, Dielectrics, Αποθήκευση Ηλεκτρικής Ενέργειας Chapter 24 opener. Capacitors come in a wide range of sizes and shapes,
ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΣ ΤΑΧΥΤΗΤΩΝ
ΜΑΘΗΜΑ 11°.
Υλικά με θετικό θερμικό συντελεστή αντίστασης Η εξάρτηση PTC
2.4 ΠΑΡΑΓΟΝΤΕΣ ΑΠΟ ΤΟΥΣ ΟΠΟΙΟΥΣ ΕΞΑΡΤΑΤΑΙ Η ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ΕΝΟΣ ΑΓΩΓΟΥ
6.5 ΘΕΡΜΙΚΗ ΔΙΑΣΤΟΛΗ & ΣΥΣΤΟΛΗ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΑΜΑΞΩΜΑΤΩΝ ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ο Χαρακτηριστικά Υλικών
ΦΥΣΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΣΤΕΡΕΗ ΥΓΡΗ ΑΕΡΙΑ ΡΕΥΣΤΑ
ΚΥΡΙΑΚΗ ΑΝΤΩΝΙΟΥ ΜΑΡΟΥΛΗ
(α) αναφέρει τι ονομάζεται διηλεκτρικό υλικό,
Υδραυλική Φυσικές Ιδιότητες των Ρευστών
Επιβλέπων Καθηγητής : Δρ. Σ. Τσίτσος Σπουδάστρια : Μποζίνου Ζαφειρούλα, ΑΕΜ: 1909 Σέρρες, Ιούλιος 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΣΕΡΡΩΝ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ.
Ηλεκτρικές ιδιότητες  Μέτρηση αντίστασης - αγωγιμότητας  Δύο σημείων  Τεσσάρων σημείων  Ορθογωνίου  Van der Pauw  f(T,f,σ)
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΚΕΝΤΡΙΚΗΣ ΜΑΚΕΔΟΝΙΑΣ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ ΚΑΙ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΤΟΜΕΑΣ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΨΗΛΩΝ ΤΑΣΕΩΝ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΨΗΛΩΝ ΤΑΣΕΩΝ
ΠΥΚΝΩΤΗΣ ΣΤΟΧΟΙ Να μπορείτε να, (α) Αναφέρετε τι είναι πυκνωτής
ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΗΧΑΝΕΣ Ι.
Υψηλές Τάσεις Ενότητα 4: Υγρά Μονωτικά Υλικά Κωνσταντίνος Ψωμόπουλος Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά.
Ανάλυση, σχεδιασμός και υλοποίηση
Γεωπονικό Πανεπιστήμιο Αθηνών Τμήμα Αξιοποίησης Φυσικών Πόρων Εργαστήριο Γεωργικής Υδραυλικής.
Φοιτήτρια Φιλίππου Μαρία ΑΜ 2087 Επιβλέπων Δρ Τσίτσος Στυλιανός Αναπληρωτής Καθηγητής.
ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ.
Νανοσωλήνες άνθρακα (σε πολυμερικές μήτρες) Σεμινάριο Φυσικής 2008 Καρακασίλης Δημήτρης ΣΕΜΦΕ ΕΜΠ Υπεύθυνος Καθηγητής : Π. Πίσσης.
1 ΕΠΑΛ ΑΓΡΙΝΙΟΥ Ερευνητική Εργασία ΑΤ2 Καθηγητής: Τσαφάς Α. Σχ. Ετος Θέμα: Μετατροπή του ήχου σε ηλεκτρικά σήματα και αντίστροφα.
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΠΥΚΝΩΤΩΝ
P-n Junction Capacitance Όνομα Α.Μ. Έτος Κεττένης Χρίστος 6435 E΄
Πτυχιακή Εργασία: Γκεριτζής Σταύρος (2315) Τσακαλάκης Απόστολος (1416)
Ανάλυση της εικόνας 4-25 (Rabaey)
Απο ποιούς παράγοντες εξαρτάται η αντίσταση ενός αγωγού;
Modeling And Analysis Of Wires
Τεχνολογία Δομικών Υλικών
Για τους πυκνωτές Μερκ. Παναγιωτόπουλος-Φυσικός
PROJECT (ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ) (ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΣΦΑΛΕΙΑΣ & ΣΥΝΑΓΕΡΜΟΣ) Α
Από το βιβλίο του Sung-Mo Kang: Aνάλυση και Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων CMOS   Όνομα : Τσιμπούκας Κων/νος ΑΜ : 6118 Παράδειγμα 3.7.
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε΄
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΨΗΛΩΝ ΤΑΣΕΩΝ
ΑΠO ΤΟΥΣ ΜΑΘΗΤΕΣ ΤΟΥ Β1 1.ΙΑΣΟΝΑ ΑΝΑΣΤΑΣΙΟ ΜΑΚΡΗ 2.ΑΠΟΣΤΟΛΟ ΓΕΡΟΔΗΜΟ
ΓΥΜΝΑΣΙΟ & ΛΤ ΑΓΙΟΥ ΓΕΩΡΓΙΟΥ
Exercise 4.5 Rabaey Όνομα Α.Μ. Έτος Κεττένης Χρίστος 6435 E΄
ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΤΕΣ.
Ροή Η: Ηλεκτρονική-Κυκλώματα-Υλικά
ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΣΥΝΘΕΤΑ ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΕΝΑΛΛΑΓΗΣ ΚΑΙ ΜΕΤΑΔΟΣΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ: ΣΥΝΘΕΤΗ ΕΝΑΛΛΑΓΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ – ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΣΕ ΣΤΡΩΜΑ ΡΕΥΣΤΟΥ Οι θερμικές.
Περιγραφή των πετρωμάτων ανά ομάδα με βάση το SiO2
Αντίσταση αγωγού.
Περιγραφή των πετρωμάτων ανά ομάδα με βάση το SiO2
Πυριγενή πετρώματα.
Οι σημαντικότερες εναλλακτικές ιδέες
ΟΞΙΝΑ ΠΕΤΡΩΜΑΤΑ με SiO2  66%
ΕΝΔΙΑΜΕΣΑ ΠΕΤΡΩΜΑΤΑ με SiO %
M.E.M.S. ΟΡΙΣΜΟΣ ΜΕΜΣ, ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΜΕΜΣ, ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΕΣ-ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ.
Μεταγράφημα παρουσίασης:

ΥΛΙΚΑ ΜΙΚΡΗΣ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΣΤΑΘΕΡΑΣ ΣΤΗ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΣΕΜΙΝΑΡΙΟ ΦΥΣΙΚΗΣ 8ο ΕΞΑΜΗΝΟ ΡΟΥΣΣΟΣ ΙΩΣΗΦ ΣΕΜΦΕ ΕΠΙΒΛΕΠΩΝ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ: ΠΙΣΣΗΣ Π.

ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΑΠΟΘΗΚΕΥΤΗΚΑ ΜΕΣΑ ΜΕ ΜΕΓΑΛΥΤΕΡΗ ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΚΑΙ ΤΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΑΝΑΓΚΗ ΓΙΑ ΜΕΓΑΛΥΤΕΡΕΣ ΤΑΧΥΤΗΤΕΣ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΓΕΝΙΚΟΤΕΡΗ ΤΑΣΗ ΓΙΑ ΝΑ ΜΙΚΡΥΝΟΥΝ ΟΙ ΔΙΑΣΤΑΣΕΙΣ

Ο ΝΟΜΟΣ ΤΟΥ MOORE

IMD ΚΑΙ ILD (INTERMETAL KAI INTERLAYER DIELECTRICS)

IMD ΚΑΙ ILD (INTERMETAL KAI INTERLAYER DIELECTRICS)

IMD ΚΑΙ ILD (INTERMETAL KAI INTERLAYER DIELECTRICS)

ΤΟ ΠΡΟΒΛΗΜΑ ΠΟΥ ΔΗΜΙΟΥΡΓΕΙΤΑΙ ΜΙΚΡΑΙΝΟΥΝ ΟΙ ΔΙΑΣΤΑΣΕΙΣ ΠΑΡΑΣΙΤΙΚΑ ΕΠΑΓΩΓΙΚΑ ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΚΑΙ ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΕΣ ΚΑΘΥΣΤΕΡΗΣΗ ΣΗΜΑΤΟΣ

Ο ΧΡΟΝΟΣ ΚΑΘΥΣΤΕΡΗΣΗΣ τ τ=RC=2ρεε0[4L2 + L2] ρ: ειδική αντίσταση του αγωγού ε: σχετική διηλεκτρική σταθερά L: το μήκος του αγωγού Τ: το πάχος του αγωγού Ρ: η απόσταση μεταξύ των δύο αγωγών P2 T2

ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ ΚΑΘΥΣΤΕΡΗΣΗΣ ΣΗΜΑΤΟΣ ΣΥΝΑΡΤΗΣΕΙ ΤΩΝ ΔΙΑΣΤΑΣΕΩΝ

ΚΑΤΕΥΘΥΝΣΕΙΣ ΠΟΥ ΠΡΕΠΕΙ ΝΑ ΠΑΡΟΥΜΕ ΓΙΑ ΤΗ ΜΕΙΩΣΗ ΤΟΥ ΧΡΟΝΟΥ ΚΑΘΥΣΤΕΡΗΣΗΣ ΤΟΥ ΣΗΜΑΤΟΣ τ=RC=2ρεε0[4L2 + L2] P2 T2 ΤΡΟΠΟΠΟΙΗΣΗ ΤΩΝ ΔΙΑΣΤΑΣΕΩΝ – ΚΑΛΥΤΕΡΗΣΗ ΧΩΡΟΘΕΤΗΣΗ ΜΕΙΩΣΗ ΤΗΣ ΕΙΔΙΚΗΣ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗΣ ρ ΤΩΝ ΑΓΩΓΩΝ ΜΕΙΩΣΗ ΤΗ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΣΤΑΘΕΡΑΣ ε ΤΩΝ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ

1. ΤΡΟΠΟΠΟΙΗΣΗ ΔΙΑΣΤΑΣΕΩΝ ΚΑΛΥΤΕΡΗ ΧΩΡΟΘΕΤΗΣΗ ΜΕΙΩΣΗ ΤΩΝ ΚΛΑΣΜΑΤΙΚΩΝ ΠΑΡΑΓΩΝΤΩΝ ΠΕΡΙΟΡΙΣΜΕΝΗ ΔΥΝΑΤΟΤΗΤΑ

2. ΕΠΙΛΟΓΗ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΑΓΩΓΩΝ ΜΕ ΜΙΚΡΟΤΕΡΗ ΕΙΔΙΚΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ρ ΜΕΧΡΙ ΠΡΟΣΦΑΤΑ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΤΑΝ Al (ρ=2,66 μΩ cm) Al Cu (ρ=1,65 μΩ cm) τ μειώθηκε κατά 37% Cu Ag κέρδος κατά 5% μεγάλο κόστος

2. ΕΠΙΛΟΓΗ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΑΓΩΓΩΝ ΜΕ ΜΙΚΡΟΤΕΡΗ ΕΙΔΙΚΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ρ Al Cu

3. ΜΕΙΩΣΗ ΤΗΣ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΣΤΑΘΕΡΑΣ ε ΤΩΝ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΘΕΡΜΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΟΤΗΤΑ ΟΧΙ ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗ ΝΕΡΟΥ ΣΥΝΤΕΛΕΣΤΗ ΘΕΡΜΙΚΗΣ ΔΙΑΣΤΟΛΗΣ ΠΡΟΣΦΥΣΗ ΣΕ ΑΝΟΡΓΑΝΑ ΥΛΙΚΑ ΙΚΑΝΟΤΗΤΑ ΝΑ ΓΕΜΙΖΕΙ ΤΟ ΧΩΡΟ ΧΩΡΙΣ ΚΕΝΑ (ΕΥΚΟΛΙΑ ΣΤΗ ΜΟΡΦΟΠΟΙΗΣΗ)

3. ΜΕΙΩΣΗ ΤΗΣ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΣΤΑΘΕΡΑΣ ε ΤΩΝ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΤΑ IMD ΚΑΙ ILD ΜΠΟΡΕΙ ΝΑ ΕΙΝΑΙ ΟΡΓΑΝΙΚΑ, ΑΝΟΡΓΑΝΑ, ΥΒΡΙΔΙΚΑ ΜΗ ΦΘΟΡΙΩΜΕΝΑ ΠΟΡΩΔΗ ΦΘΟΡΙΩΜΕΝΑ

1. ΦΘΟΡΙΩΜΕΝΑ ILD ΚΑΙ IMD Πχ SiOxFy (ε≈ 3,2-3,8) και CFx Μειονεκτήματα: Πιθανή διάβρωση των μεταλλικών τμημάτων της διάταξης, τοξικότητα του φθορίου, περιορισμένη θερμική σταθερότητα

1. ΦΘΟΡΙΩΜΕΝΑ ILD ΚΑΙ IMD

2. ΜΗ ΦΘΟΡΙΩΜΕΝΑ ILD ΚΑΙ IMD Περιλαμβάνουν οργανικά, ανόργανα και υβριδικά υλικά Μειονεκτήματα (οργανικών πολυμερών): Περιορισμένη θερμική σταθερότητα, μικρές τιμές σκληρότητας και μέτρου ελαστικότητας, μικρή θερμική αγωγιμότητα Πλεονέκτημα: Μεγάλη δυνατότητα τροποποίησης της σύστασης, της δομής και της μορφολογίας τους

3. ΠΟΡΩΔΗ ILD ΚΑΙ IMD ΔΙΗΛΕΚΤΙΚΗ ΣΤΑΘΕΡΑ ΑΕΡΙΩΝ ≈ 1 ΠΟΡΩΔΗ ΥΛΙΚΑ = ΣΥΝΘΕΤΑ ΥΛΙΚΑ ΜΟΝΑΔΙΚΗ ΜΕΘΟΔΟΣ ΩΣΤΕ ΝΑ ΕΠΙΤΥΧΟΥΜΕ ε<2.0. ΓΙΑ ΝΑ ΥΠΟΛΟΓΙΖΟΥΜΕ ΤΗΝ ε ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕ ΘΕΩΡΙΕΣ ΕΝΕΡΓΟΥ ΜΕΣΟΥ ΔΥΟ ΦΑΣΕΙΣ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΥΛΙΚΟ ΠΟΡΟΙ ΑΕΡΑ

Η ΘΕΩΡΙΑ ΕΝΕΡΓΟΥ ΜΕΣΟΥ Διηλεκτρικό Β Διηλεκτρικό Α Προσθετική ιδιότητα ε΄ Θεωρία ενεργού μέσου 100 %

3. ΠΟΡΩΔΗ ILD ΚΑΙ IMD Πλεονέκτημα: Ιδιαίτερα χαμηλή διηλεκτρική σταθερά (ε<1,5 με ποροσιμότητα >90%) Μειονεκτήματα: Μειωμένη μηχανική σταθερότητα, περισσότερο εύθραυστα υλικά, όχι καλοί αγωγοί της θερμότητας, όχι καλή πρόσφυση με τα άλλα υλικά

3. ΠΟΡΩΔΗ ILD ΚΑΙ IMD

ΠΡΟΒΛΕΨΗ ΤΟΥ ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors)

ΠΡΟΒΛΕΨΗ ΑΠΟ ΤΗ SEMATECH (Semiconductor Manufacturing and Technology) ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΞΕΛΙΞΗ ΤΩΝ ΤΙΜΩΝ ΤΗΣ ε

Βιβλιογραφία Κεραμικά και διηλεκτρικά υλικά (Πίσσης Π) Materials Today (March 2006, September/October 2001) www.elsvier.com/mrwclus, Encyclopedia of materials Semiconductor Industry Association. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) (http://itrs.net/ntrs/publntrs.nsf) Institute of Physic publishing G. Maier / Prog. Polym. Sci. 26 (2001) 3-65