Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων Καθηγητής: Παπαδόπουλος Γ. Πιτσιώρης Γεώργιος 4830 Ε’ Έτος.

Slides:

Advertisements

Παρόμοιες παρουσιάσεις

1 Α. Βαφειάδης Αναβάθμισης Προγράμματος Σπουδών Τμήματος Πληροφορικής Τ.Ε.Ι Θεσσαλονίκης Μάθημα Προηγμένες Αρχιτεκτονικές Υπολογιστών Κεφαλαίο Πρώτο Αρχιτεκτονική.

Advertisements

Τα πλέον ενεργητικά σωματίδια στο επίπεδο της θάλασσας

3.0 ΠΑΘΗΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ 3.2 ΠΥΚΝΩΤΕΣ ΒΑΣΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ.

OLEH : KIBOGOWONTO R 1 R 2 R 1 R 2. R 1 R 2 R 1 R 2.

Μονάδες Μέτρησης.

Φωτοβολταϊκά στοιχεία

Ρωτήθηκαν 67 άτομα μιας σχολής χορού και έδωσαν τις εξής απαντήσεις: Μ,Μ,Μ,Μ,Μ,Μ,Μ,Μ,Μ,Μ,L,L,L,L,L,L, L,L,L,L,T,T,T,T,T,T,T,M,M,M,M,M,M,M,M,M,M,L,L,L,L,L,L,L,T,T,T,T,T,M,M,

Domino Circuit Analysis from Chapter 6, Problem 22 Digital Integrated Circuits-J.Rabey Φοιτητής: Πετούμενος Παύλος ΑΜ: 4828 Έτος: Ε’

ΣΥΝΔΕΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ ΣΕ ΣΕΙΡΑ

ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑ ΜΠΑΤΑΡΙΑΣ

8. ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ ΣΕ ΣΕΙΡΑ

ΑΝΤΙΣΤΑΤΕΣ ΣΕ ΜΕΙΚΤΗ ΣΥΝΔΕΣΗ

Αντιστάσεις συνδεδεμένες σε τρίγωνο Δ και σε αστέρα Υ

RLC, σε σειρά Στόχος Ο μαθητής να κατανοεί

Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών

Ηλεκτρονική Ενότητα 5: DC λειτουργία – Πόλωση του διπολικού τρανζίστορ

9. ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ ΠΑΡΑΛΛΗΛΑ

Κ.Ε.Κ. Ν.Α. /Ν.Ε.Λ.Ε. Καβάλας Γ΄ Κοινοτικό Πλαίσιο Στήριξης Επιχειρησιακό Πρόγραμμα: «Κοινωνία της Πληροφορίας» του Υπουργείου Απασχόλησης &

ΔΙΑΙΡΕΤΗΣ ΤΑΣΗΣ ΜΕ ΦΟΡΤΙΟ

Κεφάλαιο 26 Συνεχή Ρεύματα

Α.Σ.ΠΑΙ.Τ.Ε. ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ ΠΑΤΡΑΣ Ε.Π.ΠΑΙ.Κ

ΝΟΜΟΙ, ΕΙΔΙΚΕΣ ΚΑΤΗΓΟΡΙΕΣ & ΘΕΩΡΗΜΑΤΑ

5. ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΚΑΙ ΙΣΧΥΣ ΙΣΧΥΣ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ 5.3.

Αντιστάσεις παράλληλα

ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑΣ ΙΙ ΑΣΚΗΣΗ Συντονισμός. I->max όταν |Ζ|=R, δηλ. Lω ο -1/Cω ο =0 => Τότε έχουμε συντονισμό έντασης f o : συχνότητα συντονισμού.

Άσκηση 6 Κυκλώματα παραγώγισης και ολοκλήρωσης

9. ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ ΠΑΡΑΛΛΗΛΑ

Inductance of a Semiconductor Wire Example 4.4. We consider an A11 – first layer of aluminum – wire in 0.25 μ m CMOS technology, on top of the field oxide.

ΚΥΤΤΑΡΙΤΙΔΑ.

ΧΑΡΟΚΟΠΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΜΑΘΗΜΑ: «ΠΡΑΚΤΙΚΗ ΣΤΗΝ ΚΟΙΝΟΤΗΤΑ»

1-1 Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ, ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ ΗΥ 330 – Σχεδίαση Συστημάτων VLSI Εαρινό εξάμηνο

ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε ΄. Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα 2.

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ (Rabaey et al Example 5-16) Γιώργος Σαρρής6631 ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ.

Παιδαγωγικό Τμήμα Δημοτικής Εκπαίδευσης ΒΑΡΥΤΗΤΑ (ΜΑΘΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ) Ζουμπουρτικούδη Ελένη Η ΒΑΡΥΤΗΤΑ.

Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων

Lumped Capacitance Model of Wire (Συγκεντρωτικό μοντέλο χωρητικότητας)

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

Τσιμικλής Γεώργιος Πανταζής Κωνσταντίνος

Παιδαγωγικό Τμήμα Δημοτικής Εκπαίδευσης

Άσκηση 4-8B Γεώργιος Μυλωνάς 6328.

Κεφάλαιο 4 Κυκλώματα σε Σειρά

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

Δραστηριότητα: Οι μαθητές σε ομάδες να ταξινομήσουν χημικές ενώσεων με βάση τη διάλυση τους στο νερό και τη μέτρηση της αγωγιμότητας των διαλυμάτων που.

Ο νόμος του Ohm Αντιστάτης Πηγή-Δυναμικό.

Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων

Ο Κύκλος του Νερού (Φυσική) Μεταβιτσιάδου Ελένη Σελίδα 1

Lumped Capacitance Model Όνομα Α.Μ. Έτος Παράδειγμα Κεττένης Χρίστος

Κρούσεις σωμάτων.

ΕΣΩΤΕΡΙΚΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ΜΠΑΤΑΡΙΑΣ

Παράδειγμα 4.12 Πότε λαμβάνουμε υπόψη τα φαινόμενα γραμμής μετάδοσης Όνομα:Τσιμπούκας Κων/νος ΑΜ:6118 Από το βιβλίο: Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα Μία.

ΚΑΤΑΚΛΙΣΗ ΔΙΑΜΕΡΙΣΜΑΤΟΣ ΑΠΌ ΘΑΛΑΣΣΑ

ΠΡΟΣΤΑΣΙΑ ΜΕΣΩ ΔΙΑΚΟΠΤΩΝ ΔΙΑΦΥΓΗΣ

Exercise 4.5 Rabaey Όνομα Α.Μ. Έτος Κεττένης Χρίστος 6435 E΄

Γνωριμία με το Σχολικό Εργαστήριο Φυσικών Επιστημών (μετρήσεις, αβεβαιότητα) Gastr CLUB α.

ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑ Ι Κεφάλαιο 2 Νόμοι στα ηλεκτρικά κυκλώματα

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων

ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΑΣΘΕΝΩΝ ΡΕΥΜΑΤΩΝ

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΣΤΑΘΜΗΣ, ΥΨΟΥΣ, ΒΑΡΟΥΣ & ΟΓΚΟΥ

ΤΜΗΜΑ : Πρακτικών Ασκήσεων Διδασκαλίας (ΠΑΔ)

ΑΙΜΑ Με γυμνό μάτι φαίνεται σαν ένα απλό υγρό

ΓΡΑΜΜΕΣ - ΓΡΑΜΜΑΤΑ - ΓΕΩΜΕΤΡΙΚΕΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΕΣ

Capacitors المكثفات المكثف أحد مكونات الدوائر الكهربائية، وهو أداة تقوم بتخزين الطاقة الكهربائية لمدة قصيرة من الزمن على شكل مجال كهربائي، يتكوّن بين.

Εισήγηση 5ης εβδομάδας – κατά παραγγελία κοστολόγηση

Find the total resistance of this network

ΔΙΑΣΤΑΣΕΙΣ ΣΤΟΧΟΣ Ο μαθητής να μπορεί να τοποθετεί ορθά τις διαστάσεις και κάμνει σωστή χρήση της κλίμακας.

4Ω 4Ω __Ω __Ω __Ω 12 V 4Ω 4Ω 4Ω __Ω __Ω __Ω 12 V 4Ω.

Complicated Circuit Ten Resistors Finding the Values.

Архимед күші”.

Μεταγράφημα παρουσίασης:

Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων Καθηγητής: Παπαδόπουλος Γ. Πιτσιώρης Γεώργιος 4830 Ε’ Έτος

Digital Integrated Circuits Jan Rabaey

Chapter 4: Problem 4.1

Δεδομένα για Polysilicon Parallel-plate capacitance to substrate: fF/μm 2 Parallel-plate capacitance to substrate: fF/μm 2 Fringing capacitance to substrate : 0.054fF/μm Fringing capacitance to substrate : 0.054fF/μm Sheet resistance : 4 Ω/sq Sheet resistance : 4 Ω/sq

Ι av = C total * ΔV/ΔT= =(4*100fF+7*C ws )*5Volts/5nsec= =400fF+7*(5mm*3μm*0.088fF/μm 2 +2*5mm*0.054fF/μm)Volts/nsec= =400fF+7*(1320fF+540fF)Volts/nsec==13.42mA I av,90% =0.9*13.42mA=12.078mA

Π-Network model για RC distributed Line Π-Network model για RC distributed Line

Έτσι διαμορφώνεται το ισοδύναμο κύκλωμα

Capacitors : C ws =5mm*3μm*0.088fF/μm 2 +2*5mm* Capacitors : C ws =5mm*3μm*0.088fF/μm 2 +2*5mm* 0.054fF/μm=( )fF=1860fF Resistors : Resistors : R ws =5mm/3μm*4Ω/sq=6.67kΩ

Το dominant time constant είναι το elmore delay (first order time constant) Το dominant time constant είναι το elmore delay (first order time constant) Penfield-Rubenstein-Horowitz δίνουν μεθοδολογία για tree RC networks Penfield-Rubenstein-Horowitz δίνουν μεθοδολογία για tree RC networks τ=1.5* C ws *(R ws +R ws +2*R ws )+(0.5*C ws +100fF)* τ=1.5* C ws *(R ws +R ws +2*R ws )+(0.5*C ws +100fF)* (R ws +R ws +2*R ws +3*R ws )=9.5*C ws *R ws +7*R ws *100fF= 9.5*1860fF*6.67kΩ+7*100fF*6.67kΩ= nsec

Λύση με άλλα δεδομένα Parallel-plate capacitance to substrate: fF/μm 2 Parallel-plate capacitance to substrate: fF/μm 2 Fringing capacitance to substrate : 0.043fF/μm Fringing capacitance to substrate : 0.043fF/μm Sheet resistance : 4 Ω/sq Sheet resistance : 4 Ω/sq

Αποτελέσματα Ι av = C total * ΔV/ΔT= Ι av = C total * ΔV/ΔT= =(4*100fF+7*C ws )*5Volts/5nsec= =400fF+7*(5mm*3μm*0.058fF/μm 2 +2*5mm*0.043fF/μm)Volts/nsec= =400fF+7*(870fF+430fF)Volts/nsec= =9.5mA I av,90% =0.9*9.5mA=8.55mA I av,90% =0.9*9.5mA=8.55mA

Αποτελέσματα Capacitors : C ws =( )fF=1300fF Capacitors : C ws =( )fF=1300fF Resistors : R ws =5mm/3μm*4Ω/sq=6.67kΩ Resistors : R ws =5mm/3μm*4Ω/sq=6.67kΩ τ=1.5* C ws *(R ws +R ws +2*R ws )+(0.5*C ws +100fF)* τ=1.5* C ws *(R ws +R ws +2*R ws )+(0.5*C ws +100fF)* (R ws +R ws +2*R ws +3*R ws )=9.5*C ws *R ws +7*R ws *100fF= 9.5*1300fF*6.67kΩ+7*100fF*6.67kΩ=87nsec