ΨΗΦΙΑΚΗ ΜΝΗΜΗ (RAM – ROM)

RAM – ROM Διευθύνσεις Δεδομένα Ενεργοποίηση data address data address

ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΕΓΓΡΑΦΗΣ ΜΝΗΜΗΣ RAM CPU θέλει να γράψει στην θέση μνήμης με διεύθυνση 09 τον αριθμό ( ή το byte) 45 τότε: Στέλνει στην ειδική είσοδο διευθύνσεων τον αριθμό 09 (μέσω του Address Bus) Ενεργοποιεί (CE) και στέλνει σήμα εγγραφής Write (κάνει την θύρα δεδομένων είσοδο) Στέλνει στην θύρα δεδομένων την λέξη 45 (μέσω του Data Bus) Με αυτή την διαδοχή από λειτουργίες, η οποίες γίνονται συγχρονισμένα μέσω ενός ρολογιού, στην θέση με διεύθυνση 09 γράφεται ο αριθμός 45.

ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΑΝΑΓΝΩΣΗΣ ΜΝΗΜΗΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΑΝΑΓΝΩΣΗΣ ΜΝΗΜΗΣ Αν η CPU θέλει να επιβεβαιώσει την ορθότητα της εγγραφής τότε: Στέλνει στην ειδική είσοδο διευθύνσεων τον αριθμό 09 (μέσω του Address Bus) Ενεργοποιεί (CE) και στέλνει σήμα ανάγνωσης Read (κάνει την θύρα δεδομένων έξοδο) Διαβάζει στην θύρα δεδομένων το περιεχόμενο της διεύθυνσης 09 (μέσω του Data Bus) Αν το περιεχόμενο είναι ίσο με 45 τότε η προηγούμενη εγγραφή έγινε σωστά. γράφεται ο αριθμός 45.

RAM (Random Access Memory) Η Στατική (static) RAM ή SRAM είναι πολύ γρήγορη, λειτουργεί σε ψηλές και πολύ υψηλές συχνότητες (GHz) αλλά καταναλώνει αρκετή ισχύ. Δεν παράγεται σε μεγάλα μεγέθη αλλά στην περιοχή των εκατοντάδων kbytes ή λίγων Mbytes. Η cache (L1, L2, L3 cache) μνήμη των Η/Υ είναι SRAM. Η Δυναμική (dynamic) RAM ή DRAM είναι ποιο αργή, καταναλώνει λίγη ισχύ, παράγεται σε μεγάλα μεγέθη της τάξης των εκατοντάδων Mbytes ή Gbytes, αλλά απαιτεί περιοδική ανανέωση εγγραφής (refreshing). Υπάρχουν οι εξης τύποι DRAM: FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) με ταχύτητα έως 176 Mbps, EDO DRAM (Extended Data Out DRAM) με ταχύτητα έως 264 Mbps, SDRAM (Synchronous DRAM) με ταχύτητα έως 528 Mbps, DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) με ταχύτητα έως 1.064 Mbps RDRAM (Rambus DRAM) με διαφορετική αρχιτεκτονική και ταχύτητα 1.600 Mbps VRAM (Video RAM) ή MPDRAM (Multi Port DRAM) σε video adaptors και 3D accelerators.

ROM (Read Only Memory) Η εγγραφή των δεδομένων στην ROM γίνεται μόνο από τον κατασκευαστή της. Κατά την διάρκεια της χρήσης της η μνήμη ROM δεν μπορεί να γραφτεί ούτε να προγραμματιστεί. Η μνήμη ROM εξελίχθηκε και παρήχθησαν οι εξής τύποι: Η PROM (Programmable ROM) είναι μνήμη ROM η οποία μπορεί να προγραμματιστεί από τον χρήστη μία φορά μέσω μιας ειδικής συσκευής που λέγεται PROM Programmer ή PROM Burner. Η EPROM (Erasable PROM) είναι τύπος μνήμης PROM που μπορεί να προγραμματιστεί από τον χρήστη πολλές φορές αφού για κάθε φορά μπορεί να σβηστεί ο προηγούμενος προγραμματισμός. Το σβήσιμο γίνεται με έκθεση του chip μνήμης σε υπεριώδες φως. Η EEPROM (Electrically Erasable PROM) είναι τύπος μνήμης EPROM που μπορεί να σβηστεί ηλεκτρικά (πχ. μέσω του υπολογιστή), χωρίς την ανάγκη έκθεσης σε υπεριώδες φως. Η EEPROM είναι όμοια με την μνήμη Flash, με τη βασική διαφορά ότι η EEPROM γράφεται ή διαβάζεται ένα-ένα byte ενώ η Flash επιτρέπει την εγγραφή ή ανάγνωση δεδομένων σε blocks. Η Flash ή όπως μερικές φορές λέγεται Flash EEPROM, είναι ειδικός τύπος EEPROM ο οποίος γράφεται και διαβάζεται σε blocks γι’ αυτό είναι ταχύτερη από την EEPROM. Η μνήμη Flash χρησιμοποιείται ευρύτατα σήμερα στους υπολογιστές (Flash BIOS), σε όσες συσκευές χρειάζονται συχνές αναβαθμίσεις (updates), στα memory sticks κλπ.

ΕΠΙΠΕΔΑ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΙΜΗΣ ΜΝΗΜΗΣ ΣΕ ΕΝΑ ΣΥΓΧΡΟΝΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΗ ΕΠΙΠΕΔΑ ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΙΜΗΣ ΜΝΗΜΗΣ ΣΕ ΕΝΑ ΣΥΓΧΡΟΝΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΗ

ΠΡΟΣΠΕΛΑΣΗ ΚΑΤΑΧΩΡΗΤΩΝ – ΜΝΗΜΗΣ CACHE L1&L2 – ΣΥΜΒΑΤΙΚΗΣ ΜΝΗΜΗΣ ΣΕ ΈΝΑ ΣΥΓΧΡΟΝΟ ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΗ