Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο)

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία
Advertisements

ΠΕΡΙΠΛΟΚΕΣ ΣΤΗΝ ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΕΝΖΥΜΙΚΩΝ ΑΝΤΙΔΡΑΣΕΩΝ
Στοιχεία Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών και Ηλεκτρονικής
ΕΝΟΤΗΤΑ 8Η ΜΝΗΜΕΣ ROM ΚΑΙ RΑΜ
Ομάδα Σχεδίασης Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων
ΘΥΡΙΣΤΟΡ.
ΕΝΟΤΗΤΑ 3Η ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ CMOS
ΑΠΟΔΕΙΞΗ ΥΠΑΡΞΗΣ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ
Ευστάθεια Συστημάτων Αυτομάτου Ελέγχου:
Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) (4 περίοδοι)
Τεστ κινηματικής 11 Οκτωβρίου
Κερεστετζή Δημητρίου (1295)
Διαλέξεις στην Ηλεκτρονική Ι Π. Δ. Δημητρόπουλος Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας - Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Μηχανικών Η/Υ, Τηλεπικοινωνιών & Δικτύων.
Πότε η Ηλεκτρική ενέργεια είναι ίση με την μαγνητική ; Θέλουμε : Ε ηλ = Ε μαγ Όμως : Ε ηλ + Ε μαγ = Ε ολ Άρα : Δηλαδή : Την ίδια στιγμή μπορούμε να δείξουμε.
ΗΜΥ 210: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2009
Τίτλος πτυχιακής εργασίας
Αντιστάσεις παράλληλα
Αντιστάσεις σε σειρά-παράλληλα
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΗΥ231 – Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Διδάσκων: Νέστωρ Ευμορφόπουλος.
Παρασιτικές ποσότητες τρανζίστορ και αγωγών διασύνδεσης
Υλοποίηση λογικών πυλών με τρανζίστορ MOS
Τ. Ε. Ι. Κεντρικής Μακεδονίας - Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ. Ε
Βασικές αρχές ημιαγωγών και τρανζίστορ MOS
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΨΗΛΩΝ ΤΑΣΕΩΝ
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε ΄. Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα 2.
Ηλεκτρόδια Καθόδου Ηλεκτρόδιο Πύλης Ημιαγωγός Επαφή με άνοδο.
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Ιστορία του τρανζίστορ Η σπουδαιότητα του Είδη τρανζίστορ Ευρωπαϊκός κώδικας Γενικές εικόνες cmap.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ (Rabaey et al Example 5-16) Γιώργος Σαρρής6631 ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ.
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Πειραιά Τεχνολογικού Τομέα Ηλεκτρικές Μηχανές ΙΙ Ενότητα 9: Μέθοδοι Εκκίνησης Μονοφασικών Κινητήρων Ηρακλής.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Ηλεκτρονική MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) (I) Φώτης Πλέσσας
Πρόγραμμα Προπτυχιακών Σπουδών Ροή Λ: Λογισμικό
Lumped Capacitance Model of Wire (Συγκεντρωτικό μοντέλο χωρητικότητας)
Μη γραμμικός τερματισμός γραμμής μεταφοράς
Τμήμα Μηχανικών Η/Υ, Τηλεπικοινωνιών και Δικτύων
ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑ 10.4 Στόχος του παραδείγματος αυτού είναι να υπολογίσουμε το πάχος του oxide για μια συγκεκριμένη τάση threshold.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Ροή Η: Ηλεκτρονική-Κυκλώματα-Υλικά
Ανάλυση της εικόνας 4-25 (Rabaey)
ΠΟΛΥΜΕΤΡΑ (MULTIMETERS)
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Παράδειγμα 3.2 Υπολογίστε την τάση threshold (VT0) όταν VSB=0, με πύλη πολυπυριτίου, n_type κανάλι MOS transistor με τις ακόλουθες παραμέτρους: Πυκνότητα.
Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο)
Χωρητικότητα πύλης - καναλιού ως συνάρτηση του βαθμού κορεσμού.
Γραφικές παραστάσεις με το Excel 2007
Γραφικές παραστάσεις με το Excel 2007
Θεωρούμε σχεδόν ιδανική TDR μορφή για είσοδο και γραμμή μεταφοράς με συγκεντρωτικές ασυνέχειες στο κέντρο της που εμφανίζονται ως παράλληλη χωρητικότητα.
L C, παράλληλα Στόχος Ο μαθητής να μπορεί να
ΕΞΟΜΟΙΩΣΗ SPICE ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΤΑΣΗΣ CMOS ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑ
Ηλεκτρονική Διπολικά Τρανζίστορ Ένωσης (ΙΙ)
Από το βιβλίο του Sung-Mo Kang: Aνάλυση και Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων CMOS   Όνομα : Τσιμπούκας Κων/νος ΑΜ : 6118 Παράδειγμα 3.7.
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε΄
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Ηλεκτρονική MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) (II) Φώτης Πλέσσας
Παραδειγμα 3.8 ςελ. 192 Kang.
Υπολογισμός μέσης χωρητικότητας επαφής
ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΑ ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΩΝ
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
Ροή Η: Ηλεκτρονική-Κυκλώματα-Υλικά
ΙΣΧΥΣ ΚΑΙ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΣΤΟ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΟ ΡΕΥΜΑ
ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασμός Εαρινό Εξάμηνο 2005
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ
RC, σε σειρά Στόχος Ο μαθητής να μπορεί να
Μάθημα : Αντοχή Υλικών Εισαγωγική ενότητα : Είδη Καταπονήσεων – Νόμος του Hooke Τομέας Δομικών Έργων & Μηχανολογίας.
Περιγραφή: Ενισχυτής audio με το LM358
Γραφικές παραστάσεις με το Excel 2007
Insulated Gate Field Effect Transistor (IGFT)
Ένα συν ένα ίσον τέσσερα; Δημήτρης Τσαούσης
Μεταγράφημα παρουσίασης:

Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο) Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο) Δημόπουλος Δημήτριος ΑΜ: 5956

Χωρητικότητα Καναλιού Στόχος: Επεξήγηση του σχήματος 3-31 α) από το βιβλίο του Jan M. Rabaey. Σύντομη ανασκόπηση θεωρίας.

Χωρητικότητα Καναλιού Χωρητικότητα πύλης-καναλιού CGC, το κυριότερο παρασιτικό στοιχείο για τα κυκλώματα MOS. Διαίρεσή της σε 3 συνιστώσες: CGCB , CGCD και CGCS (αντίστοιχα Gate-Body , Gate-Drain και Gate-Source).

Χωρητικότητα Καναλιού- CGCB Περιοχή αποκοπής. Δεν υπάρχει κανάλι. Η όποια χωρητικότητα βρίσκεται μεταξύ της πύλης και του υποστρώματος

Χωρητικότητα Καναλιού - CGCD ,CGCS Ωμική περιοχή. Σχηματίζεται στρώση αντιστροφής η οποία λειτουργεί σαν αγωγός μεταξύ της πηγής και της υποδοχής. CGCB=0. Συμμετρία στην κατασκευή πηγής και υποδοχής επιβάλλει ομοιόμορφη κατανομή χωρητικότητας.

Χωρητικότητα Καναλιού- CGCS Περιοχή κορεσμού, το κανάλι εξαντλείται. Χωρητικότητα μεταξύ πύλης και υποδοχής μηδενική. Χωρητικότητα μεταξύ πύλης και υποστρώματος μηδενική. Άρα όλη η χωρητικότητα υφίσταται μεταξύ της πύλης και της πηγής.

Κατανομή της χωρητικότητας CGC-VGS, VDS=0

Κατανομή της χωρητικότητας CGC Περιοχή 1: VGS<<VT . Βρισκόμαστε στην περιοχή αποκοπής. Δεν υπάρχει κανάλι. Άρα η χωρητικότητα είναι WLCox. Περιοχή 2: VGS VT. Αρχίζει να δημιουργείται το κανάλι μεταξύ υποδοχής και πηγής οπότε έχουμε μείωση της χωρητικότητας της πύλης ως προς το υπόστρωμα αλλά παράλληλη αύξηση της χωρητικότητας της πύλης ως προς την ομοιόμορφη κατανομή χωρητικότητας της πηγής και υποδοχής. Περιοχή 3: VGS>>VT. Είμαστε πλέον στην ωμική περιοχή, όπου η CGCB=0 και η ομοιόμορφη κατανομή χωρητικότητας από πηγή και υποδοχή (0.5WLCox).

Κατανομή της χωρητικότητας CGC Σχόλια: Η περιοχή 2 είναι πολύ σημαντική από σχεδιαστικής απόψεως διότι έχουμε μεγάλη διακύμανση στην χωρητικότητα όταν η τάση VGS=VT και θα έπρεπε να αποφεύγουμε την περιοχή αυτή εάν θέλουμε να επιτύχουμε ομαλή γραμμική συμπεριφορά . Έπεται γραφική παράσταση του παραδείγματος 3.9 για χρήση κυκλωματικού προσομοιωτή για εξαγωγή χωρητικοτήτων.

Χρήση Κυκλωματικού εξομοιωτή για εξαγωγή χωρητικοτήτων (Παράδειγμα 3 Χρήση Κυκλωματικού εξομοιωτή για εξαγωγή χωρητικοτήτων (Παράδειγμα 3.9)

Υπόμνημα