Μελέτη ηλεκτρικών ιδιοτήτων του οξειδίου του Υττρίου (Υ2Ο3)

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
Κατηγορίες Ασκήσεων & Ισοκινηση
Advertisements

3.2.2 ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ – ΕΙΔΗ ΠΥΚΝΩΤΩΝ
Γεώργιος Παπαϊωάννου, ΙΕΕΕ, ACM, SIGGRAPH member, Θεοχάρης Θεοχάρης, Εργαστήριο Γραφικών Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών.
Έλεγχος Ορθής Λειτουργίας VLSI Κυκλωμάτων σε Υπομικρονικές Τεχνολογίες με Παρατήρηση του Ρεύματος Ηρεμίας I DDQ Έλεγχος Ορθής Λειτουργίας VLSI Κυκλωμάτων.
ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ & ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
IMDG code International Maritime Dangerous Goods Code.
Ομιλητές Prof. Mauro Dolce Dir., Italian Civil Protection Prof. Gaetano Manfredi University of Napoli Federico II Prof. Gian Michele Calvi University of.
ΜΕΤΑΛΛΕΥΤΙΚΗ ΝΟΜΟΘΕΣΙΑ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗΚΑΙ ΑΞΙΟΠΟΙΗΣΗ ΜΕΤΑΛΛΕΥΜΑΤΩΝ Τζίμας Σπύρος Μηχανικός Μεταλλείων – Μεταλλουργός ΕΜΠ.
302 ΑΣΑΚ – ΑΙΣΘΗΤΙΚΗ ΑΝΤΙΜΕΤΩΠΙΣΗ ΚΥΤΤΑΡΙΤΙΔΑΣ ΜΑΘΗΜΑ 3)
ΣΥΣΤΑΣΗ - ΣΥΓΚΡΟΤΗΣΗ ΑΥΤΟΔΙΟΙΚΗΣΗΣ ΚΑΙ ΑΠΟΚΕΝΤΡΩΜΕΝΗΣ ΔΙΟΙΚΗΣΗΣ Οι δήμοι και οι περιφέρειες συγκροτούν τον πρώτο και δεύτερο βαθμό τοπικής αυτοδιοίκησης.
SCHOOL OF EUROPEAN EDUCATION - HERAKLION OPTIONS OF SUBJECTS FOR YEAR 3 (Γ’ ΤΑΞΗ)
ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ΤΗΣ ΚΥΤΤΑΡΙΤΙΔΑΣ ΠΑΡΑΓΟΝΤΕΣ ΠΟΥ ΠΑΙΖΟΥΝ ΡΟΛΟ ΣΤΗΝ ΕΜΦΑΝΙΣΗ ΤΗΣ ΚΥΤΤΑΡΙΤΙΔΑΣ ΣΥΝΔΕΤΙΚΟΣ ΙΣΤΟΣ- ΚΑΚΗ ΚΥΚΛΟΦΟΡΙΑ ΤΟΥ ΑΙΜΑΤΟΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΛΕΜΦΟΥ -ΤΑ.
Χρήση Κειμενογράφου & Μέγεθος Εργασίας Το μέγεθος της εργασίας θα πρέπει να προσεγγίζει τον προκαθορισμένο αριθμό λέξεων, με μια απόκλιση ± 15%. Δηλαδή,
ONLINE ΠΑΙΧΝΙΔΙΑ Παρουσιάζουν οι μαθητές: Γ Ι Ο Υ Λ Η Λ Ι Ο Υ Ν Η Ι Α Σ Ω Ν Α Σ Τ Α Σ Σ Η Σ.
« Καινοτομία και Εφαρμοσμένη έρευνα στο Τ.Ε.Ι. Στερεάς Ελλάδας στα πλαίσια της πράξης Αρχιμήδης ΙΙΙ» Περπινιάς Ιωάννης Υποέργο 7: «Διασύνδεση Διεσπαρμένης.
Ανάπτυξη μεθόδου ανάλυσης ιστοπαθολογικής εικόνας για την ποσοτική εκτίμηση των Οιστρογονικών Υποδοχέων σε καρκινώματα μαστού Κωστόπουλος Σ. 1, Καλατζής.
Εισαγωγή στην Ανάλυση Γλωσσικών Δεδομένων Ενότητα 1: Η ελληνική γλώσσα μέσα από αριθμούς: Μετρήσεις και στατιστική στην υπηρεσία της γλωσσολογίας Γεώργιος.
Εισαγωγή στη Ρομποτική Ενότητα 11: Επίγεια Ρομποτικά Οχήματα Τζες Αντώνιος Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών.
Κάθετες και πλάγιες. Κάθετα και πλάγια τμήματα Έστω ευθεία ε και σημείο Α εκτός αυτής. ε Κ Β Α Από το Α διέρχεται μοναδική κάθετη. Έστω ζ μια άλλη ευθεία.
Test.
Test.
Συντήρηση Μεταλλικών Αντικειμένων
ΤΟ ΝΕΟ ΓΥΜΝΑΣΙΟ ΠΔ 126/2016.
Σύνοψη Ενότητας 2 Περιεχόμενα της ενότητας Στόχοι της ενότητας
Φωτονικά υλικά και διατάξεις για οπτικές επικοινωνίες
Ο άνθρωπος.
Κεντρο πληροφορησησ ανεργων τησ γ.σ.ε.ε.(κεπεα)
Διδακτική της Πληροφορικής & των ΤΠΕ
«Δημότης Αμαρουσίου» η τεχνολογία στην υπηρεσία του Πολίτη
ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ Β4 Σχ. Έτος:
ΤΗΣ ΣΧΟΛΙΚΗΣ ΚΟΙΝΟΤΗΤΑΣ ΓΙΑ ΟΡΘΟΛΟΓΙΚΗ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗ ΔΙΑΤΡΟΦΙΚΩΝ ΕΠΙΛΟΓΩΝ
Δομή και λειτουργία νευρικών
Το φάσμα του λευκού φωτός
Πρόγραμμα Κ. Καραθεοδωρή 2010
Δ ι α χ ε ί ρ ι σ η Έ ρ γ ο υ P r o j e c t M a n a g e m e n t
Ενημέρωση για αλλαγές στο Γυμνάσιο
Ευρωπαϊκός Κώδικας Κατά του Καρκίνου
Σπάρτη.
Συγχώνευση.
Εφευρέσεις που θα κάνουν την ζωή μας πιο όμορφη…
Αντιμετώπιση Μαθησιακών Δυσκολιών στα Μαθηματικά
ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΙΚΗ ΑΝΤΙΜΕΤΩΠΙΣΗ ΤΗΣ ΠΑΧΥΣΑΡΚΙΑΣ
(α) εξηγεί από τι αποτελείται ένας βασικός πυκνωτής
Λιβέρη Δήμητρα Επιβλέπων: Γκρίτζαλης Δημήτρης
Οι αλλαγεΣ Στο ΓυμναΣιο
Διαρρύθμιση Διδακτικού Χώρου
Καθηγητής Πανεπιστημίου Αθηνών
« به نام خدا» 1-جايگاه ايران در توزيع جهاني درآمد
<<MOOCS AND WEBINARs>>
ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΤΑΙΡΙΚΗ ΔΙΑΚΥΒΕΡΝΗΣΗ
Χρήση οργάνων μέτρησης
ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΗ ΥΔΑΤΙΚΩΝ ΠΟΡΩΝ Διαχείριση ταμιευτήρων πολλαπλού σκοπού
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ (ΕΜΠ)
Αποτελέσματα έρευνας που πραγματοποιήθηκε στο σχολείο μας
Ιστορία 8η Σέρλοκ Χολμς.
ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ ΣΤΟΧΟΙ ΤΟΥ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ Να μπορείτε να
ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΗ ΠΡΟΕΔΡΩΝ Π.Φ.Σ. 5 ΜΑΡΤΙΟΥ 2018.
11ο γυμνάσιο ΕΝΗΜΕΡΩΣΗ ΓΟΝΕΩΝ – ΚΗΔΕΜΟΝΩΝ Α΄ΤΑΞΗΣ …στη μεγαλύτερη βαθμίδα! … μεγαλύτερες απαιτήσεις! …νάτην και η εφηβεία!!
ΒΑΣΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΕΙΑΣ ΟΖΟΝΤΟΣ I
Мероприятие, посвященное восстанию студентов
Диффуз токсик букок 710-ГУРУХ ТАЛАБАСИ КАРИМОВА МУНИСА.
“ХХІ ғасыр өскіндері” интеллектуальдық сайыс 5-6 сынып
Екі векторды векторлық көбейту
Νational and Kapodistrian University of Athens Department of Physics Department of Solid State Physics Spin-orbit torque at magnetic defects on the surface.
Σύντομος οδηγός υποψηφίου δημάρχου/δημοτικού συμβούλου
Σύντομος οδηγός υποψηφίου δημάρχου/δημοτικού συμβούλου
Αρχές Bιοστατιστικής Γεωργία Βουρλή Τμήμα Βιοστατιστικής και Επιδημιολογίας Ιατρική Σχολή ΕΚΠΑ Μεταπτυχιακό Πρόγραμμα Αγγειοχειρουργική.
Σύντομος οδηγός υποψηφίου συμβούλου/προέδρου κοινότητας
Σύντομος οδηγός υποψηφίου δημάρχου/δημοτικού συμβούλου
7η ΕΞΕΙΔΙΚΕΥΣΗ ΕΦΑΡΜΟΓΗΣ ΤΟΥ ΕΠ - ΥΜΕΠΕΡΑΑ
Μεταγράφημα παρουσίασης:

Μελέτη ηλεκτρικών ιδιοτήτων του οξειδίου του Υττρίου (Υ2Ο3) Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών Τμήμα Φυσικής Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης Μελέτη ηλεκτρικών ιδιοτήτων του οξειδίου του Υττρίου (Υ2Ο3) για εφαρμογές σε διατάξεις RF-MEMS Μπιρμπιλιώτης Δημήτριος Ημερίδα Υποψήφιων Διδακτόρων 8/2/2019

Χωρητικοί Διακόπτες RF-MEMS Πόλωση του Διηλεκτρικού Determined by film k Πόλωση του Διηλεκτρικού Μετατόπιση της C-V χαρακτηριστικής Αύξηση της ελάχιστης χωρητικότητας Μείωση του λόγου CDOWN/Cup Συγκόλληση οπλισμών – Καταστροφή του διακόπτη

Πλεονεκτήματα του Υ2Ο3 Υψηλή διηλεκτρική σταθερά: 𝑘=13−18 Υψηλή διηλεκτρική σταθερά: 𝑘=13−18 Μεγάλο band gap ~ 6𝑒𝑉 Η ειδική του αντίσταση εξαρτάται από τις συνθήκες εναπόθεσης και ανόπτυσης (annealing) Μειώνει το ρεύμα διαρροής στους πυκνωτές ΜΙΜ καθώς και στα διηλεκτρικά πύλης FET πχ. TiO2/Y2O3/TiO2 Έχει εναποτεθεί επιτυχώς σε διατάξεις RF-MEMS με διηλεκτρικό δύο στρωμάτων (Y2O3/TiO2)

MIM capacitor samples Διηλεκτρικό υμένιο Y2O3 πάχους 250nm MIM και ΜΕΜS στο ίδιο die Η επιφάνεια των ΜΙΜ κυμαίνεται από 100x100μm έως 500x500μm με βήματα 100μm Συμμετρικές επαφές TiW για την αποφυγή της διαφοράς έργων εξόδου Πραγματοποιήθηκαν μετρήσεις ρεύματος – τάσης (I-V) με διάφορες τιμές καθυστέρησης (delay) μεταξύ της εφαρμογής της τάσης και της μέτρησης του ρεύματος (1-10s) Βήμα τάσης 50mV Στο πείραμα ΚP o χρόνος stress καθορίστηκε στα 20min

MEMS Capacitive Switches Stressing Bias: 30-70V Stressing time: 1200s Temperature: 300K Παρακολούθηση της ολίσθησης της τάσης που αντιστοιχεί στην ελάχιστη χωρητικότητα ( 𝑉 𝑚𝑖𝑛 ) για ολικό χρόνο 8000s

Results – MIM Capacitors I-V characteristics Παρατηρείται μείωση του παραθύρου φόρτισης με την αύξηση του χρόνου καθυστέρησης μεταξύ της εφαρμοζόμενης τάσης και μέτρησης του ρεύματος

Space Charge Limited (SCL) conduction Η ωμική συμπεριφορά για πολύ χαμηλά ηλεκτρικά πεδία σχετίζεται με την μεγαλύτερη πυκνότητα θερμικά διεγειρόμενων φορέων σε σχέση με την πυκνότητα των εγχεόμενων φορέων, έτσι το μετρούμενο ηλεκτρικό ρεύμα οφείλεται στους θερμικά διεγειρόμενους φορείς Όταν το ηλεκτρικό πεδίο ξεπεράσει μια χαρακτηριστική τιμή 𝐹 𝑂𝑁 παρατηρείται μετάβαση από το νόμο του Ohm στο νόμο του Child που περιγράφεται από την σχέση των Mott-Gurney: 𝐽~ 𝐹 2 Υπό την παρουσία βαθιών παγίδων η πυκνότητα ρεύματος περιγράφεται από τη σχέση: 𝐽~ 𝐹 ( 𝑇 𝐶 𝑇 +1) , όπου 𝑇 𝐶 η χαρακτηριστική θερμοκρασία που καθορίζεται από την κατανομή των παγίδων στο ενεργειακό χάσμα και Τ η θερμοκρασία με 𝑇 𝐶 >Τ A. Rose, "Space-charge-limited currents in solids," Physical Review, vol. 97, no. 6, p. 1538, 1955.

Results – MIM Capacitors I-V characteristics Αρχική μέτρηση με delay 10s και Τ=300Κ Από την προσαρμογή των πειραματικών σημείων: Τ 𝑐 𝑇 +1=2.45 Η χαρακτηριστική θερμοκρασία βρέθηκε: Τ 𝑐 =435Κ Η κατανομή της πυκνότητας των παγίδων με αναφορά το ελάχιστο της 𝐸 𝐶 υπολογίστηκε από την: 𝑁 𝑇 (𝐸)~exp⁡(− 𝐸 𝑘 𝑇 𝐶 )

Results – MIM Capacitors KP setup Με την μέθοδο Kelvin Probe μπορούμε να παρακολουθήσουμε την μείωση του δυναμικού του επάνω ηλεκτροδίου του πυκνωτή ΜΙΜ για μεγάλους χρόνους Η αύξηση του ηλεκτρικού πεδίου ή/και του χρόνου πόλωσης οδηγεί σε μεγαλύτερους χαρακτηριστικούς χρόνους εκφόρτισης

Results – RF MEMS Switches Charging Process Η ολίσθηση της τάσης που αντιστοιχεί στην ελάχιστη χωρητικότητα 𝑉 𝑚𝑖𝑛 . Προσαρμογή των σημείων με νόμο Curie – Von Schweidler Law Ολίσθηση της C-V χαρακτηριστικής κατά τη διαδικασία φόρτισης 𝑉 𝑚𝑖𝑛 𝑡 =𝐴∙ 𝑡 𝐵

Results – RF MEMS Switches Discharging Process Η ολίσθηση της τάσης που αντιστοιχεί στο ελάχιστο της χωρητικότητας V 𝑚𝑖𝑛 και ο υπολογισμός της ισοδύναμης πυκνότητας φορτίου στην επιφάνεια του διηλεκτρικού Ολίσθηση της up-state C-V χαρακτηριστικής κατά τη διαδικασία εκφόρτισης

Results – RF MEMS Switches Discharging Process (b) (a) Υπολογισμός του ρεύματος εκφόρτισης διαμέσου του διηλεκτρικού: 𝐽 𝑑𝑖𝑠𝑐ℎ =− 𝜀 0 𝜀 𝑟 𝑑 ∙ 𝑑 𝑉 𝑚𝑖𝑛 𝑑𝑡 Μετά το stress στα 40V (Solid line is the smoothed) (b) Μετά από όλα τα stress. Οι διακεκομμένες γραμμές δηλώνουν ότι η διαδικασία εκφόρτισης πραγματοποιείται σε δύο βήματα: 𝐽~ 𝑡 −1+𝑑 , 𝑓𝑜𝑟 𝑠ℎ𝑜𝑟𝑡 𝑡𝑖𝑚𝑒𝑠 𝑡 −1−𝑑 , 𝑓𝑜𝑟 𝑙𝑜𝑛𝑔 𝑡𝑖𝑚𝑒𝑠

Συμπεράσματα Ερευνήθηκαν οι ηλεκτρικές ιδιότητες του Υ2Ο3 σε πυκνωτές ΜΙΜ και RF-MEMS Για χαμηλά ηλεκτρικά πεδία ο κυρίαρχος μηχανισμός αγωγιμότητας είναι ωμικός Για υψηλά ηλεκτρικά πεδία η αγωγιμότητα περιγράφεται από το νόμο Mott-Gurney, ο οποίος υπό την παρουσία παγίδων οδηγεί στη σχέση 𝐽~ 𝐹 ( 𝑇 𝐶 𝑇 +1) Η χαρακτηριστική J-F επιτρέπει την εκτίμηση της κατανομής της πυκνότητας των παγίδων εντός του ενεργειακού χάσματος Στους διακόπτες ΜEMS η διαδικασία φόρτισης ακολουθεί νόμο Curie – Von Schweidler και όχι εκθετικό. Τα χαμηλά επίπεδα φόρτισης υποδεικνύουν i) μεγαλύτερο χρόνο ζωής της διάταξης και ii) τους καθιστά κατάλληλους για εφαρμογές ισχύος Η διαδικασία εκφόρτισης πραγματοποιείται σε δύο βήματα

Future work Μελέτη των ηλεκτρικών ιδιοτήτων του οξειδίου του τιτανίου (TiO2) σε διατάξεις ΜΙΜ και διακόπτες RF – MEMS, resistive switching Μελέτη ηλεκτρικών ιδιοτήτων bilayer δομών Υ2Ο3/ TiO2 σε πυκνωτές ΜΙΜ και διακόπτες RF-MEMS Δημοσιεύσεις D. Birmpiliotis, G. Stavrinidis, G. Konstantinidis, and G. Papaioannou, "Temperature accelerated discharging process in SiNx films with embedded CNTs for applications in MEMS switches," in 2018 Symposium on Design, Test, Integration & Packaging of MEMS and MOEMS (DTIP), 2018, pp. 1-6: IEEE, 10.1109/DTIP.2018.8394182 D. Birmpiliotis, M. Koutsoureli, J. Kohylas, G. Papaioannou, and A. Ziaei, "Charging mechanisms in Y2O3 dielectric films for MEMS capacitive switches," Microelectronics Reliability, vol. 88-90, pp. 840-845, 2018/09/01/ 2018. https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.07.087 D. Birmpiliotis, M. Koutsoureli, L. Buhagier, G. Papaioannou, and A. Ziaei, "Mitigation of Dielectric Charging in MEMS Capacitive Switches with Stacked TiO2/Y2O3 Insulator Film," in ISTFA 2018: Proceedings from the 44th International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2018, p. 324: ASM International.

Ευχαριστώ πολύ για την προσοχή σας!!! Ο υποψήφιος ευχαριστεί : Τον Dr. A. Ziaei, Thales Research and Technology, France για την κατασκευή και παροχή των δειγμάτων που συνετέλεσαν σε αυτή την έρευνα Την τριμελή επιτροπή: Αφ. Καθηγητή Γ. Παπαϊωάννου, Τμ. Φυσικής ΕΚΠΑ Αναπλ. Καθηγητή Σπ. Γαρδέλης, Τμ. Φυσικής ΕΚΠΑ Αναπλ. Καθηγητή Απ. Κυρίτσης, ΣΕΜΦΕ ΕΜΠ «Το έργο συγχρηματοδοτείται από την Ελλάδα και την Ευρωπαϊκή Ένωση (Ευρωπαϊκό Κοινωνικό Ταμείο) μέσω του Επιχειρησιακού Προγράμματος «Ανάπτυξη Ανθρώπινου Δυναμικού, Εκπαίδευση και Διά Βίου Μάθηση», στο πλαίσιο της Πράξης «Ενίσχυση του ανθρώπινου ερευνητικού δυναμικού μέσω της υλοποίησης διδακτορικής έρευνας» (MIS-5000432), που υλοποιεί το Ίδρυμα Κρατικών Υποτροφιών (ΙΚΥ)» Ευχαριστώ πολύ για την προσοχή σας!!!