N. Zorić1*, A. Šantić1, V. Ličina1, D. Gracin1 IMPEDANCIJSKA SPEKTROSKOPIJA (IS) U KARAKTERIZACIJI (μc) TANKIH SOLARNIH ĆELIJA N. Zorić1*, A. Šantić1, V. Ličina1, D. Gracin1 1 Institut Ruđer Bošković, Zavod za fiziku materijala, Bijenička c. 54, 10000 Zagreb, Hrvatska UVOD Uzorci tanko slojnih solarnih ćelija na staklu su promatrani pomoću IS metode, dobiveni su obećavajući rezultati. CILJ Dobiti jednu kvalitetnu metodu koja će nam pomoći pri dizajniranju i daljnjem unaprijeđivanju tanko slojnih solarnih ćelija dobivenih PECVD metodom na silikatnom staklu. Pronaći metodu koja nam kvalitetno i zorno može predočiti razlike izmedju solarnih ćelija s različitim postotkom kristaliničnosti silicija. DC vodljivost - dc dc = R·S d d – debljina uzorka R - otpor S – površina elektroda PREPARACIJA UZORAKA Uzorak prije nanošenja zlatnih kontakta je bio očišćen pomoću alkohola i acetona, radi uklanjanja nečistoća koje mogu utjecati na kapacitivnost kontakta. Tankoslojna ćelija Nakon čišćenja slijedilo je rasprašenje zlata, gdje je koristena maska točno određenog promjera kako bi imali geometrijske podatke potrebne za račun. Debljina uzorka je određena mikrometrijskim vijkom. IMPEDANCIJSKA SPEKTROSKOPIJA Princip: 5 10 15 20 -1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.5 U,I wt Ulaz izlaz U = U0sin(wt) I = I0 sin(wt + d) Frekvencijsko područje: 0.01 Hz – 3 MHz Temperaturno područje: 297 K Analiza impedancijskog spektra – električni ekvivalentni krug modelirajući koristeći metodu najmanjih kompleksnih kvadrata. Impedancija = Z*() = U/I = Z‘+ i Z“ Ekvivalentni krug Sastoji se od otpornika i kondenzatora u paraleli ili elementa konstantne faze, zavisno od složenosti modela može biti više takvih elemenata u serijskom spoju. C R Re(Z) -Im(Z) maxRC = 1 Re(Y) Im(Y) G a) b) c) CPE 14. Međunarodni znanstveni sastanak s područja vakuumske znanosti i tehnike Lipanj, 2007 Bled, Slovenija