ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
Βλέπε επίσης:
Advertisements

ΙΔΙΟΜΟΡΦΙΕΣ ΦΡΥΔΙΩΝ ΟΙ ΔΙΟΡΘΩΣΕΙΣ ΤΟΥ ΠΡΟΣΩΠΟΥ ΜΕ ΤΟ F.D.T. ΚΑΙ ΤΟ ΡΟΥΖ ΜΠΟΡΟΥΝ ΝΑ ΣΥΜΠΛΗΡΩΘΟΥΝ ΜΕ ΤΗ ΔΙΑΜΟΡΦΩΣΗ ΤΟΥ ΣΧΗΜΑΤΟΣ Η’ ΤΟΥ ΠΑΧΟΥΣ ΤΩΝ ΦΡΥΔΙΩΝ.
ΜΕΣΟΓΕΙΑΚΟ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ ΚΑΙ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΦΥΤΩΝ Μεσογειακό κλίμα επικρατεί σε πέντε παραθαλάσσιες περιοχές της γης που βρίσκονται σε διαφορετικά σημεία, Μεσόγειος,
ΓΙΑ ΤΗ ΦΥΣΙΚΗ Β’ ΓΥΜΝΑΣΙΟΥ Εργαστηριακή Άσκηση 4 Μελέτη της Ευθύγραμμης Ομαλής Κίνησης.
Αγγέλα Καλκούνη1 Ξύλινα Δάπεδα Διαδικασία Κατασκευής Ξύλινων Καρφωτών Δαπέδων.
Αισθητήρια Όργανα και Αισθήσεις 1.  Σύστημα αισθητηρίων οργάνων: αντίληψη μεταβολών εξωτερικού & εσωτερικού περιβάλλοντος  Ειδικά κύτταρα – υποδοχείς.
ΕΡΓΑΣΙΑ ΣΤΗΝ ΠΡΑΚΤΙΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΦΟΙΤΗΤΡΙΕΣ: ΓΡΑΒΑΝΗ ΓΕΩΡΓΙΑ ΚΑΙ ΜΥΡΣΙΑΔΗ ΕΙΡΗΝΗ.
ΔΕΛΤΙΟ ΕΛΕΓΧΟΥ ΚΟΛΥΜΒΗΤΙΚΗΣ ΔΕΞΑΜΕΝΗΣ Καθ Αθηνά Μαυρίδου Τμήμα Ιατρικών Εργαστηρίων ΤΕΙ Αθήνας.
Φυσική Β΄ Λυκείου Άσκηση 1 (άσκηση 4, εργ. οδ. Α΄ Λυκείου)
ΑΝΕΜΟΓΕΝΝΗΤΡΙΑ ΑΠΟΣΤΟΛΗΣ ΣΚΟΥΤΑΣ.
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης
…στη Χώρα των Αισθήσεων…
Πυκνότητα καταστάσεων ηλεκτρονίων
ΤΑ ΠΙΟ ΕΠΙΚΙΝΔΥΝΑ ΨΑΡΙΑ ΤΟΥ ΚΟΣΜΟΥ
Συστήματα θέρμανσης - Κατανομή της θερμότητας
Διευθυντής Παιδιατρικής Κλινικής «Μποδοσάκειο» Νοσοκομείου Πτολεμαΐδας
ΑΣΤΡΑΠΕΣ - ΚΕΡΑΥΝΟΙ.
Αερισμός θερμοκηπίων Τ.Ε.Ι. ΛΑΡΙΣΑΣ Σ.ΤΕ.Γ
Project για την κολύμβηση για όλες τις ηλικίες και κατηγορίες ατόμων
Παραδόσεις εφαρμοσμένης Δασοκομικής
Ερωτήσεις 1. Στην ευθύγραμμη ομαλά επιταχυνόμενη κίνηση: α. η ταχύτητα είναι σταθερή β. ο ρυθμός μεταβολής της ταχύτητας είναι σταθερός γ. ο ρυθμός μεταβολής.
ΧΠΕ - ΟΙ ΠΟΡΟΙ ΣΤΟ MS PROJECT
Πως Διδάσκω Έννοιες, Φυσικά Μεγέθη, Νόμους
Παιδαγωγικό Τμήμα Δημοτικής Εκπαίδευσης
ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΑΚΟΥΣΤΙΚΗ επεξεργασία θέματος 2015
Μελέτη της Κίνησης μιας Φυσαλίδας σε Γυάλινο Σωλήνα
ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑ 10.4 Στόχος του παραδείγματος αυτού είναι να υπολογίσουμε το πάχος του oxide για μια συγκεκριμένη τάση threshold.
Εξίσωση αρμονικού κύματος (Κυματοσυνάρτηση)
Μέτρηση Μήκους – Εμβαδού - Όγκου
ΔΥΝΑΜΕΙΣ αν.
Μέτρηση Βάρους – Μάζας - Πυκνότητας
Κεκλιμένο Επίπεδο Και Τριβή
Εκπαιδευτικό Λογισμικό Function Probe (FP)
Αρχή λειτουργίας των φωτοβολταϊκών
Παράδειγμα 3.2 Υπολογίστε την τάση threshold (VT0) όταν VSB=0, με πύλη πολυπυριτίου, n_type κανάλι MOS transistor με τις ακόλουθες παραμέτρους: Πυκνότητα.
ΟΙ ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΗΧΑΝΕΣ Σ.Ρ. Η ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΤΟΥΣ ΚΑΙ Η ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΟΥΣ
ΣΥΓΚΛΙΝΟΝΤΕΣ ΦΑΚΟΙ Εργαστηριακή Άσκηση 13 Γ′ Γυμνασίου
Work function differences
Σοιχεία Πυρηνικής Φυσικής και Στοιχειωδών Σωματιδίων (5ου εξαμήνου, χειμερινό ) Τμήμα Τ3: Κ. Κορδάς & Χ. Πετρίδου Ασκήσεις #5 Κώστας Κορδάς Αριστοτέλειο.
Μελέτη της κίνησης οχήματος με βάση πειραματικά δεδομένα
Από τον Ηλεκτρισμό στο Μαγνητισμό – Ένας Ηλεκτρικός (ιδιο-)Κινητήρας
ΜΥΙΚΟ ΣΥΣΤΗΜΑ & ΜΥΙΚΟΣ ΙΣΤΟΣ
Depletion layer thickness
Στόχοι-Σκοποί: Ευαισθητοποίηση των μαθητών στις ήπιες μορφές ενέργειας
Θεωρούμε MOSFET p-καναλιού με τα εξής χαρακτηριστικά
Καθυστέρηση αντιστροφέα με παρουσία διασύνδεσης
Συμβολή κυμάτων.
Αντωνοπούλου Ελεονώρα ΑΜ Δ201721
ΒΑΣΙΛΙΚΗ ΜΑΝΤΖΙΟΥ Α.Μ:Δ201603
Επεξήγηση σχήματος 3.14 & παρουσίαση του παραδείγματος 10.4
Χωρητικότητα ΣΤΟΧΟΣ : Ο μαθητής να μπορεί να,.
Μήκος κύκλου & μήκος τόξου
ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΥΛΙΚΩΝ
σκέψεις από τη διδακτική μας εμπειρία
ΥΠΟΥΡΓΕΙΟ ΟΙΚΟΝΟΜΙΑΣ & ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΩΝ ΑΡΧΗ ΠΛΗΡΩΜΗΣ
ΑΜΠΕΛΙ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΙΚΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ
Φασματοσκόπιο Κωδ.F/9 Τεχνικά χαρακτηριστικά.
Равномерно убрзано праволинијско кретање
Υφή και Δομή του Εδάφους
נושא 1: מבוא לתורת החשמל.
مديرة المدرسة أ. خالدة المير رئيسة القسم أ. منيرة العدواني
ΚΙΝΗΤΙΚΗ ΜΟΝΑΔΑ ΜΥΙΚΗ ΣΥΣΤΟΛΗ.
Για τη Φυσική ένα ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ με ιδιαίτερο ενδιαφέρον είναι
ΤΟ ΙΣΤΙΟΦΟΡΟ ΜΟΥ.
Μέτρηση εμβαδού Εργαστηριακή Άσκηση 1 B′ Γυμνασίου
ΕΛΕΓΧΟΙ ΟΡΑΤΟΤΗΤΑΣ Επιμήκης αίθουσα με κλειστή σκηνή
Insulated Gate Field Effect Transistor (IGFT)
Στοιχεία Πυρηνικής Φυσικής και Στοιχειωδών Σωματιδίων (5ου εξαμήνου, χειμερινό ) Τμήμα T2: Κ. Κορδάς & Δ. Σαμψωνίδης Μάθημα 24 Μποζονικός διαδότης,
2. EYΘΥΓΡΑΜΜΕΣ ΚΙΝΗΣΕΙΣ.
Δημοτικό Σχολείο Λυκαβηττού (Κ.Α’ )
Μεταγράφημα παρουσίασης:

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ   ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ Παρουσίαση 1η: Υπολογισμός τιμών Ενδοκτισμένου Δυναμικού σε ένωση MOS για διαφορετικά είδη Πύλης και Υποστρώματος Ονοματεπώνυμο : Ίρις Σαφάκα Α.Μ. : 6082 Έτος : 5ο Ηεμρομηνία : 17/3/09

Τύπος Πύλης: Αλουμίνιο Τύπος Υποστρώματος: p Τιμή 1η Τύπος Πύλης: Αλουμίνιο Τύπος Υποστρώματος: p Συγκέντρωση Φορέων: ΝΑ = 1015 cm-3 Θεωρώ ότι* φ’m = 3.20 volt , Χ’ = 3.25 volt Eg = 1.1 eVolt , Vt = 0.0259 volt , ni =1.5* 1010 cm-3 *τυπικές τιμές που χρησιμοποιούνται και στο πχ. 10.2 σελίδα 429

Χρησιμοποιώντας τον τύπο [10 Χρησιμοποιώντας τον τύπο [10.11] από το βιβλίο του Neamen για τον υπολογισμό του ενδοκτισμένου δυναμικού έχω τα εξής: Οπότε:

 Παρατηρήσεις: α) Το αποτέλεσμα συμπίπτει πλήρως με την τιμή στο διάγραμμα 10.15 β) Σε σχέση με το παράδειγμα 10.2 σελ.429 το μόνο δεδομένο που άλλαξε είναι η συγκέντρωση των φορέων ΝΑ. Δηλαδή παρατηρώ ότι: αύξηση ΝΑ  αύξηση acceptors  κατεβαίνει η στάθμη Fermi   αύξηση φfp  μείωση φms Έτσι εξηγείται και η μονότονα φθίνουσα συμπεριφορά της καμπύλης φms = f(ΝΑ) στο σχήμα 10.15 σελ.432. Με αύξηση συνεπώς της συγκέντρωσης φορέων στο p-substrate έχουμε ‘βοηθητικό’ αποτέλεσμα για την τάση VT (τάση threshold).

Τιμή 2η Τύπος Πύλης: p+ polysilicon Τύπος Υποστρώματος: p Συγκέντρωση Φορέων: ΝΑ = 1014 cm-3 Θεωρώ ότι Eg = 1.1 eVolt , Vt = 0.0259 volt, ni =1.5* 1010 cm-3

Xρησιμοποιώντας τον τύπο [10 Xρησιμοποιώντας τον τύπο [10.13] από το βιβλίο του Neamen για τον υπολογισμό του ενδοκτισμένου δυναμικού, ο οποίος θεωρεί ότι η στάθμη Fermi συμπίπτει με την στάθμη σθένους (Ev = EF) στο ντοπαρισμένο Polysilicon που έχει τοποθετηθεί στο Oxide και χρησιμοποιείται ως gate, έχω τα εξής: Οπότε:

Η στάθμη Fermi σε αρκετά ντοπαρισμένο p+ Παρατηρήσεις: Το αποτέλεσμα που προβλέπει ο τύπος [10.13] είναι μικρότερο (κατά μέτρο) από την τιμή που υποδεικνύει το διάγραμμα 10.15 σελ.432 κατά 0.1 volt. (Στο διάγραμμα έχω φms = f(ΝΑ) = 0.42 volts) Αυτό συμβαίνει γιατί: Η στάθμη Fermi σε αρκετά ντοπαρισμένο p+ polysilicon μπορεί να είναι μικρότερη από την στάθμη σθένους, κατά 0.1 έως 0.2 volt.

Στην πραγματικότητα δηλαδή οι Ενεργειακές Ζώνες έχουν την παρακάτω μορφή: Σχήμα 1

Εκτίμηση συγκέντρωσης φορέων στο p+ polysilicon Κατά αναλογία της μορφής των ενεργειακών ζωνών στο p-substrate, όταν έχουμε deposited p+ polysilicon στην άλλη πλευρά του Oxide, θεωρώ χοντρικά πλέον ότι ισχύει: EFi φ’fp Σχήμα 2

Απαιτείται δηλαδή πολύ μεγάλο ‘ντοπάρισμα’ σε p+polysilicon ώστε να έχω τη στάθμη Fermi πιο χαμηλά από την στάθμη σθένους και να έχω συνεπώς συμπεριφορά του υλικού ως metal gate.

Τιμή 3η Τύπος Πύλης: n+ polysilicon Τύπος Υποστρώματος: n Συγκέντρωση Φορέων: ΝD = 1016 cm-3 Θεωρώ ότι Eg = 1.1 eVolt , Vt = 0.0259 volt , ni =1.5* 1010 cm-3

Xρησιμοποιώντας τον τύπο [10 Xρησιμοποιώντας τον τύπο [10.12] από το βιβλίο του Neamen για τον υπολογισμό του ενδοκτισμένου δυναμικού, ο οποίος θεωρεί ότι η στάθμη Fermi συμπίπτει με την στάθμη αγωγιμότητας (Ec = EF) στο ντοπαρισμένο polysilicon που έχει τοποθετηθεί στο Oxide και χρησιμοποιείται ως gate, έχω τα εξής: Οπότε:

Η στάθμη Fermi σε αρκετά ντοπαρισμένο n+ Παρατηρήσεις: Το αποτέλεσμα που προβλέπει ο τύπος [10.13] είναι μεγαλύτερο (κατά μέτρο) από την τιμή που υποδεικνύει το διάγραμμα 10.15 κατά 0.13 volt. (Στο διάγραμμα έχω φms = f(ΝΑ) = 0.4 volts) Αυτό συμβαίνει γιατί: Η στάθμη Fermi σε αρκετά ντοπαρισμένο n+ polysilicon μπορεί να είναι μεγαλύτερη από την στάθμη αγωγιμότητας, κατά 0.1 έως 0.2 volt. *Απαιτείται αντίστοιχα μεγάλο ‘ντοπάρισμα’ σε n+ polysilicon

ΤΕΛΟΣ 1ης ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗΣ