Depletion layer thickness
ςκοπος Υπολογισμός βάθους διείσδυσης του depletion region στο p-type semiconductor substrate
οριςμοι Depletion layer or space charge region: ουσιαστικά δημιουργείται από την απώθηση οπών λόγω εφαρμογής θετικής τάσης στο gate – αρνητικά ακίνητα φορτία κάτω από το interface oxide-semiconductor : είναι η διαφορά δυναμικού στο bulk και δίνεται από τον τύπο : , : acceptor dopping : intristic carrier concentration
Οριςμοι(2) Ουσιαστικά το είναι δεδομένο και εξαρτάται από το ντοπάρισμα του υλικού. Surface potential : είναι η διαφορά δυναμικού μεταξύ του μετρημένου στο surface και μετρημένου στο bulk. Τώρα με απλή εφαρμογή του νόμου του Gauss(απλοποιημένου) μπορούμε να πούμε ότι το βάθος διείσδυσης δίνεται από: Όπου είναι η επιδεκτικότητα του semiconductor
Maximum depth Όταν έχουμε , η συγκέντρωση ηλεκτρονίων στο surface είναι ίδια με την συγκέντρωση οπών στο bulk material και είναι γνωστό ως threshold inversion point (αρχή inversion). Τότε το space charge region έχει φτάσει το maximum width του και αν συνεχίσουμε να αυξάνουμε την τάση στο gate δεν μεγαλώνει άλλο. Άρα :
Παραδειγμα Θεωρούμε silicon Τ = 300 Κ, Από τις προηγούμενες εξισώσεις υπολογίζουμε το maximum depth :