Unipolarni tranzistori

Παρουσίαση με θέμα: "Unipolarni tranzistori"— Μεταγράφημα παρουσίασης:

1 Unipolarni tranzistori
ELEKTRONIČKI SKLOPOVI

2 Terminologija Unipolarni tranzistor je naponom upravljivi tranzistor. U vođenju struje sudjeluju samo većinski nosioci naboja jednog tipa (N-tip elektroni, P-tip šupljine) pod utjecajem električnog polja. Unipolarni tranzistor je aktivna poluvodička komponenta obično s tri priključka. Osim naziva unipolarni tranzistor koristi se i naziv: tranzistor s učinkom polja - FET FET – skraćenica engleskog naziva – Feild Effect Transistor Postoje više tipova unipolarnih tranzistora: Spojni tranzistor s efektom polja – JFET (engl. Junction Field Effect Transistor). Unipolarni tranzistor s učinkom polja i izoliranom upravljačkom elektrodom – IGFET (engl. Insulated Gate Field Effect Transistor). Ako je izolator silicijev dioksid (SiO2), koristi se naziv MOSFET (engl. Metal Oxide Semiconductor FET).

3 Prednosti FET-a: Primjena FET-a:
Lakša proizvodnja spram BJT Zauzimaju manje prostora u integriranim krugovima Vrlo velika ulazna impedancija (kao elektroničke cijevi) – nema utroška snage Naponski upravljiv elektronički element (BJT – strujno upravljivi element) Primjena FET-a: Sastavni dio brojnih elektroničkih sklopova, integriranih sklopova, operacijskih pojačala, memorija, elektroničkih računala. Koristi se u područjima telekomunikacija, radiotehnike, automatike, učinske elektronike i td.

4 Spojni tranzistor s učinkom polja - jfet
Elektronički sklopovi

5 Spojni tranzistor s efektom polja izrađuju se kao:
N-kanalni JFET P-kanalni JFET Tranzistori imaju tri elektrode: upravljačku elektrodu G (engl. gate) uvod S (engl. source) odvod D (engl. drain)

6 Napon Uds = 10V Napon Ugs = - 1 V Naziv „efekt polja” dolazi iz činjenice da su osiromašena područja u kanalu rezultat djelovanja električnog polja na inverzno polariziranim PN spojevima (upravljačka elektroda). Naziv „unipolarni” dolazi zbog toga što struju čini samo jedan tip nosioca naboja.

7 Struktura N kanalnog JFET-a
N – kanalni JFET P – kanalni JFET Struktura N kanalnog JFET-a

8 Sa spojnim tranzistorom s učinkom polja mogu se ostvariti tri načina spajanja:
spoj zajedničkog uvoda (spoj ZS) spoj zajedničkog odvoda (spoj ZD) spoj zajedničke upravljačke elektrode (spoj ZG)

9 SPOJ ZAJEDNIČKOG UVODA: U spoju zajedničkog uvoda (slično spoju zajedničkog emitera), ulaz je na upravljačkoj elektrodi G, a izlaz na odvodu D kao što je prikazano slikom. To je najčešći način rada FET-a zbog visoke ulazne impedancije i dobrog pojačanja napona. Spoj zajedničkog uvoda FET-a općenito se koristi u audio frekvencijskim pojačalima te u visoko ulaznim impedancijskim predpojačalima. Kako je ovo spoj pojačanja, izlazni signal je u protufazi sa ulaznim signalom (fazni pomak od 180 stupnjeva).

10 SPOJ ZAJEDNIČKE UPRAVLJAČKE ELEKTRODE: U zajedničke upravljačke elektrode (slično spoju zajedničke baze), ulaz je na uvodu S, a izlaz na odvodu D kao što je prikazano slikom. Visoka ulazna impedancija iz prethodnog spoja je izgubljena u ovoj konfiguraciji zbog toga što zajednička upravljačka elektroda ima nizak ulazni otpor, ali zato visoku izlaznu impedanciju. Ovakva vrsta FET konfiguracije koristiti se u visokofrekventnih krugova ili impedancijskim krugovima gdje nisku ulaznu impedanciju treba uskladiti s visokom izlaznom impedancijom. Izlazni signal je u fazi sa ulaznim signalom (fazni pomak od 0 stupnjeva).

11 SPOJ ZAJEDNIČKOG ODVODA: U spoju zajedničkog odvoda (slično spoju zajedničkog kolektora), ulaz je na upravljačkoj elektrodi G, a izlaz na uvodu S kao što je prikazano slikom. U ovakvom spoju imamo vrlo visoku ulaznu impedanciju i nisku izlazna impedancija. Napon na ulazu i izlazu gotovo je jednak pa se koristi kao buffer pojačalo. Također se primjenjuje kao transformator impedancije s velikim ulaznim otporom i malim izobličenjima signala. Izlazni signal je u fazi sa ulaznim signalom (fazni pomak od 0 stupnjeva).

12 Kada je UDS=0 i ID=0, duž kanala nema pada napona, tako da je i napon na kanalu jednak nuli (TRIODNO PODRUČJE). Daljnjim porastom napona UDS nastaje znatno proširenje osiromašenog sloja, koje dovodi do znatne promjene otpora kanala, pa se kod napona Up dolazi do struje zasićenja IDSS.

13 Daljnjim povećanjem napona UDS dolazi do neznatnog povećanja struje ID (PODRUČJE ZASIĆENJA). Kada se postigne struja zasićenja, oblik osiromašenih slojeva je takav da želi zatvoriti ili prekinuti kanal, pa se napon kod kojeg se to događa naziva napon prekida ili dodira (eng. pinch off voltage) ili Up (Vp). Daljnjim povećanjem napona UDS dolazi do proboja pri čemu će se tranzistor najvjerojatnije uništiti, tako da je normalni rad tranzistora s efektom polja u području zasićenja.

14 Ako se između upravljačke elektrode i uvoda priključi napon UGS tako da još više inverzno polarizira PN spojeve, onda pri naponu UDS=0 postoji osiromašeno područje u kanalu čija širina ovisi o naponu UGS. Tako se u odnosu na UGS=0 u području malih napona, od UDS=0 kanal ima veći otpor, pa krivulja u tom području ima manji nagib. Niža struja zasićenja se postiže na nižim vrijednostima napona UDS, tako da se uz različite napone UGS dobiva skup krivulja koja se naziva IZLAZNA KARAKTERISTIKA tranzistora.

15 Napon Up se smanjuje ako se povećava inverzna polarizacija PN spoja između upravljačke elektrode i kanala. Ukoliko se mjeri ID uz konstantan UDS i promjenjiv UGS dobiva se PRIJENOSNA KARAKTERISTIKA FET-a. Prijenosna karakteristika FET-a približno se može prikazati jednadžbom:

16 Iz nagiba prijenosne karakteristike može se odrediti parametar STRMINE gm tranzistora.
Kako se nagib prijenosne karakteristike mijenja s promjenom napona UGS, tako i strmina gm ovisi o točci na karakteristici na koju se odnosi. Vrijednost strmine gm daje proizvođač tranzistora u sklopu tehničkih podataka, a eksperimentalno se može odrediti pomoću izraza: Drugi parametar tranzistora, značajan za izmjenični signal je otpor odvoda rd, a definira se kao:

17 Osnovna svojstva pojačala s JFET-om
Najčešće upotrebljavani spoj je spoj zajedničkog uvoda, slično kao i kod bipolarnih tranzistora – spoj zajedničkog emitera. Zajedničko svojstvo svih unipolarnih tranzistora je visoki ulazni otpor između upravljačke elektrode i uvoda. Unipolarni tranzistor upravlja se naponskim signalom, dok se bipolarni tranzistori upravljaju strujnim signalom, zbog malog ulaznog otpora. Kao pojačalo unipolarni tranzistori se koriste u području zasićenja, a način polarizacije ovisi o njihovom tipu.

18 N – kanalni JFET spaja se na pozitivni napon UDD, a polaritet napona UGS je negativan.
P – kanalni JFET spaja se na negativni napon UDD, a polaritet napona UGS je pozitivan.

19 POJAČALO U SPOJU ZAJEDNIČKOG UVODA Slika prikazuje pojačalo koje za svoj rad koristi N-kanalni spojni FET (JFET) u spoju zajedničkog uvoda. Kapaciteti kondenzatora CG, CD, i CS su odabrani dovoljno velikih iznosa tako da njihove reaktancije za najnižu promatranu frekvenciju ulaznog signala Ug, iz izvora unutarnjeg otpora Rg, predstavljaju kratki spoj. Izlazni signal se uzima s otpornika RT. Vrijednosti ostalih otpornika su određene u postupku oblikovanja prednaponskog kruga tranzistora.

20 STATIČKA ANALIZA POJAČALA: Otporno dijelilo R1 i R2 smo zamijenili s otpornikom RG kojim je upravljačka elektroda spojena na masu: RG = 𝑅 1 ∙ 𝑅 2 𝑅 1 + 𝑅 2 Kroz njega ne teče struja i nema pada napona, pa je potencijal upravljačke elektrode jednak nuli, tj. UG = 0 V Struja odvoda na otporniku Rs stvara pad napona: URS = US = ID RS IG = 0 A URS = Us UG = 0 V

21 Napon upravljačke elektrode prema uvodu UGS je: UGS = - Us Potencijal uvoda na višem je potencijalu od od upravljačke elektrode za pad napona na otporniku Rs. Na taj način ostvaren je negativan napon između upravljačke elektrode i uvoda: UGS < 0 V UG S < 0 V

22 U izlaznom krugu napon UDS računamo prema izrazu: UDD = ID RD + UDS + ID RS UDS = UDD – ID (RD + RS) Nakon sređivanja dobivamo jednadžbu statičkog radnog pravca: ID = - 1 R D + R S UDS + U DD R D + R S ID RD UDS ID RS

23 ID = - 1 R D + R S UDS + U DD R D + R S
Statički radni pravac se crta u polju izlazne karakteristike, kao što je prikazano slikom. Sjecište pravca sa X-osi je napon UDD, a sa Y- osi je UDD/(RD + RS). Koeficijent smjera je jednak – 1 / (RD + RS). Kako bi unipolarni tranzistor radio kao pojačalo, statička radna točka mora biti u području zasićenja. Statička radna točka postavlja se u području zasićenja između točaka A i B radi maksimalnog hoda izmjeničnog signala. Točka T prikazuje sjecište radnog pravca pojačala i određene karakteristike napona UGS u polju izlazne karakteristike. ID = R D + R S UDS + U DD R D + R S

24 DINAMIČKA ANALIZA POJAČALA:
Parametri: izlazni otpor riz = UA / ID strmina gm = I DSS U P I D I DSS Dovođenjem izmjeničnog napona Ug na ulaz izaziva promjenu napona na upravljačkoj elektrodi (Ug = UGS). Promjena napona UGS utječe na promjenu struje odvoda iD oko radne točke, a time se mijenja i napon UDS. Izlazni izmjenični napon jednak je naponu između odvoda i uvoda (Uiz = UDS). iD UDS UIZ UGS

25 Ovisnost struje odvoda o izmjeničnom naponu može se prikazati preko strmine:
iD = gm uGS Za izlazni napon vrijedi: uDS = - iD R D R T R D + R T Izlazni napon ovisi o promjeni napona na ulazu. Dakle, unipolarni tranzistor je naponsko upravljivi tranzistor.

26 NADOMJESNA SHEMA SPOJA

27 uUL = uGS ; uIZ = - gm UGS (rDS || RD || RT)
Naponsko pojačanje: Av = uIZ / uUL uUL = uGS ; uIZ = - gm UGS (rDS || RD || RT) Naponsko pojačanje je negativno, što znači da su ulazni i izlazni napon fazno pomaknuti za 180 stupnjeva.

28 iUL = iG = uUL / RG ; iIZ = uIZ / RT
Strujno pojačanje: Ai = iIZ / iUL iUL = iG = uUL / RG ; iIZ = uIZ / RT Ai = Av R G R T Strujno pojačanje je negativno, što znači da su ulazna i izlazna struja fazno pomaknuti za 180 stupnjeva.

29 PUL = uUL iUL; PIZ = uIZ iIZ
Pojačanje snage: Ap = PIZ / PUL PUL = uUL iUL; PIZ = uIZ iIZ Ap = Av Ai Rezultati pokazuju da pojačalo u spoju zajedničkog uvoda pruža visoka naponska i strujna pojačanja, a samim time i pojačanje snage.

30 Ulazni otpor: RUL = RG Izlazni otpor: RIZ = rDS || RD Za P-kanalni JFET spaja se negativni napon UDD, dok je napon UGS > 0 V.

31 FREKVENCIJSKA KARAKTERISTIKA
Pojačanje unipolarnih tranzistora kao i bipolarnih , ovisi o frekvenciji ulaznog signala. Frekvencijska karakteristika pojačala u spoju zajedničkog uvoda sa slike ima isti oblik kao za pojačalo s bipolarnim tranzistorom u spoju zajedničkog emitera. U području srednjih frekvencija može se zanemariti utjecaj svih kapaciteta na pojačanje pojačala. Na niskim frekvencijama na pad pojačanja utječu vezni kondenzatori, a najviše kondenzator CS. Na visokim frekvencijama na pad pojačanja utječu parazitni kapaciteti između elektroda unipolarnog tranzistora (CGS i CGD)

32 POJAČALO U SPOJU ZAJEDNIČKOG ODVODA Slika prikazuje pojačalo koje za svoj rad koristi N-kanalni spojni FET (JFET) u spoju zajedničkog odvoda. Kapaciteti kondenzatora CG i CS su odabrani dovoljno velikih iznosa tako da su u području radnih frekvencija pojačala njihove reaktancije zanemarivog iznosa. Izlazni signal se nalazi na uvodu odnosno na otporniku RT. Stezaljka odvoda je uzemljena i predstavlja zajedničku granu ulaznom i izlaznom krugu pojačala.

33 POJAČALO U SPOJU ZAJEDNIČKE UPRAVLJAČKE ELEKTRODE Slika prikazuje pojačalo koje za svoj rad koristi N-kanalni spojni FET (JFET) u spoju zajedničke upravljačke elektrode. Kapaciteti kondenzatora CD i CS su odabrani dovoljno velikih iznosa tako da njihove reaktancije imaju zanemariv iznos kod nižih frekvencija ulaznog signala ug. Zajedničku stezaljku ulaznog i izlaznog signala u izmjeničnim uvjetima rada tranzistora čini, preko kondenzatora CG kratko spojena grana upravljačke elektrode.

34 tranzistor s učinkom polja i izoliranom upravljačkom elektrodom - mosfet
Elektronički sklopovi

35 Ovisno o načinu stvaranja kanala razlikujemo:
Tranzistor s efektom polja i izoliranom upravljačkom elektrodom izrađuju se kao: N-kanalni MOSFET P-kanalni MOSFET Ovisno o načinu stvaranja kanala razlikujemo: osiromašeni MOSFET (engl. depletion type MOSFET ili D-MOSFET) obogaćeni MOSFET (engl. enhancement type MOSFET ili E-MOSFET) Tranzistori imaju tri elektrode: upravljačku elektrodu G (engl. gate) uvod S (engl. source) odvod D (engl. drain)

36

37

38 P-tipa poluvodiča sužava kanal između uvoda i odvoda tako da nam ostaje samo mali prolaz na lijevoj strani. Elektroni teku od uvoda (kada je na odvodu pozitivan izvor napona) prolaze kroz uski kanal.

39 N-tipa poluvodiča sužava kanal između uvoda i odvoda tako da nam ostaje samo mali prolaz na lijevoj strani. Elektroni teku od uvoda prema odvodu i prolaze kroz uski kanal.

40 Slika prikazuje N-kanalni D-MOSFET
Slika prikazuje N-kanalni D-MOSFET. Upravljačka elektroda (gate) tvori mali kondenzator. Jedna ploča kondenzatora čini upravljačku elektrodu, a druga ploča kanal s metalnim slojem oksida kao dielektrik. Kada se napon na upravljačkoj elektrodi promijeni, električno polje kondenzatora također se promijeni što kao posljedicu mijenja otpor N- kanala. Budući da je upravljačka elektroda izolirana od kanala, možemo priključiti ili negativan ili pozitivan napon na nju. Upravljačka elektroda s negativnim naponom stvara osiromašenu zonu u kanalu, dok s pozitivnim naponom stvara obogaćenu zonu.

41 Ako je upravljačka elektroda na negativnom potencijalu, to znači da elektroni koji su na „vratima” odbijaju slobodne elektrone u N- kanal i tako ostavljajući sloj pozitivnih iona (šupljina) u lijevom dijelu kanala. Drugim riječima, osiromašili smo N-kanal od dijela slobodnih elektrona. Dakle, manji broj slobodnih elektrona je na raspolaganju za provođenje struje kroz n- kanal. To je ista stvar kao da je otpor kanala povećan. Što je veći negativni napon na upravljačkoj elektrodi, manja je struja od uvoda do izvoda. Promjenom negativnog napona na upravljačkoj elektrodi, možemo mijenjati otpor N-kanala, a time i struju iz uvoda do izvoda.

42 Slika prikazuje N-kanalni D-MOSFET obogaćenog tipa
Slika prikazuje N-kanalni D-MOSFET obogaćenog tipa. Opet, upravljačka elektroda djeluje kao kondenzator koje je sada na pozitivnom potencijalu, a kanal na negativnom. Pozitivni potencijal upravljačke elektrode privlači slobodne elektrone i P-tipa u kanal. Na takav način broj slobodnih elektrona se povećava u kanalu. Povećanjem pozitivnog napona upravljačke elektrone povećava se vodljivost kanala (od uvoda do izvoda).

43 Prijenosna karakteristika D-MOSFET-a
Na slici je prikazana prijenosna karakteristika za N – kanalni D- MOSFET. Kako je prijenosna karakteristika slična JFET-u tako se struja odvoda dobiva prema istom izrazu:

44 Na slici su prikazani simboli za E-MOSFET:
(a) N – kanalni (b) P – kanalni

45 Prijenosna karakteristika E-MOSFET-a
Na slici je prikazana prijenosna karakteristika za N – kanalni E-MOSFET. Prijenosna karakteristika je različita od JFET-u tako se struja odvoda dobiva prema istom izrazu: Konstanta MOSFET-a:

46 Izlazne karakteristike MOSFET-a
D-MOSFET E-MOSFET

47 Iz nagiba prijenosne karakteristike može se odrediti parametar STRMINE gm tranzistora. Vrijednost strmine gm daje proizvođač tranzistora u sklopu tehničkih podataka, a eksperimentalno se može odrediti pomoću izraza: Drugi parametar tranzistora, značajan za izmjenični signal je izlazni dinamički otpor rd odnosno dinamička vodljivost gd: Faktor naponskog pojačanja računa se prema izrazu:

48 PRIMJENA MOSFET-a MOSFET kao sklopka MOSFET može se koristit kao:
sklopka (napona, struja i snage), sklop za obavljanje digitalnih logičkih funkcija pojačalo signala MOSFET kao sklopka Koristi se u mnogim elektroničkim sklopovima. MOSFET kao sklopka ima veću brzinu rada i pouzdanost nego mehaničke sklopke. Sklopka u spoju zajedničkog uvoda još se naziva invertor.

49 Na slici je prikazan N-kanalni D-MOSFET kao sklopka (inverter)
Na slici je prikazan N-kanalni D-MOSFET kao sklopka (inverter). Ako je Uul < UGSO, tranzistor se nalazi u području zapiranja i struja ID = 0 A. Nema pada napona na otporniku RD, stoga izlazni napon je jednak Uiz = UDD. Kako nema struje odvoda tako je i snaga disipacije tranzistora jednaka nuli. Ako je Uul > UGSO, tranzistor radi i nalazi se u području zasićenja pod uvjetom da je UDS > UGS – UGSO. Kako se ulazni napon povećava, napon UDS se smanjuje, a tranzistor prelazi u triodno područje rada.

50 Kada je Uul = UDD, tranzistor se nalazi u triodnom području rada, a napon na izlazu dostiže svoju minimalnu vrijednost zbog maksimalne vrijednosti struje odvoda. Izrazi koji vrijede za MOSFET sklopku su: ID = K [2( U UL − U GSO )∙ U IZ − U IZ 2 ] UIZ = UDD - IDRD

51 Osnovna svojstva pojačala s MOSFET-om
Unipolarni tranzistori kao pojačalo koriste se u tri osnovna spoja: spoj zajedničkog uvoda spoj zajedničkog odvoda spoj zajedničke upravljačke elektrode Najčešće upotrebljavani spoj je spoj zajedničkog uvoda, slično kao i kod bipolarnih tranzistora – spoj zajedničkog emitera. Zajedničko svojstvo svih unipolarnih tranzistora je visoki ulazni otpor između upravljačke elektrode i uvoda. N – kanalni MOSFET obogaćenog tipa spaja se na pozitivni napon UDD, a polaritet napona UGS je pozitivan, a kod osiromašenog UGS je negativan. P – kanalni MOSFET obogaćenog tipa spaja se na negativan napon UDD, a polaritet napona UGS je negativan, a kod osiromašenog UGS je pozitivan.

52 POJAČALO U SPOJU ZAJEDNIČKOG UVODA Slika prikazuje pojačalo koje za svoj rad koristi N-kanalni MOSFET obogaćenog tipa u spoju zajedničkog uvoda. Kapaciteti kondenzatora CG, CD, i CS su odabrani dovoljno velikih iznosa tako da njihove reaktancije za najnižu promatranu frekvenciju ulaznog signala Ug, iz izvora unutarnjeg otpora Rg, predstavljaju kratki spoj. Izlazni signal se uzima s otpornika RT. Vrijednosti ostalih otpornika su određene u postupku oblikovanja prednaponskog kruga tranzistora.

53 STATIČKA ANALIZA POJAČALA:
Otporno dijelilo R1 i R2 smo zamijenili s otpornikom RG kojim je upravljačka elektroda spojena na masu: RG = 𝑅 1 ∙ 𝑅 2 𝑅 1 + 𝑅 2 Napon UGG možemo računati prema izrazu: UGG = R 2 R 1 + R 2 ∙ U DD Jednadžba ulaznog kruga uz struju IG = 0 A: UGG = UGS + IDRS ID = K 2 ( U GS − U GSO ) 2

54 STATIČKA ANALIZA POJAČALA: Jednadžba izlaznog kruga glasi:
UDD = IDRD + UDS + IDRS Struja odvoda MOSFET-a u području zasićenja: ID = K U GS − U GSO 2 (1+λ U DS )

55 DIMANIČKI PARAMETRI: Faktor naponskog pojačanja računa se prema izrazu:

56 DINAMIČKA ANALIZA POJAČALA: Kod dinamičke analize svi kondenzatori imaju jako mali otpor pa uzimamo da predstavljaju kratki spoj. Zbog toga je otpor RS za izmjenični signal kratko spojen tj. uvod MOSFET-a je spojen na masu . Naponski izvori UDD i UGG za izmjenični signal također predstavljaju kratki spoj. Nadomjesna shema spoja:

57 uUL = uGS ; uIZ = - gm UGS (rDS || RD || RT)
Naponsko pojačanje: Av = uIZ / uUL uUL = uGS ; uIZ = - gm UGS (rDS || RD || RT) Naponsko pojačanje je negativno, što znači da su ulazni i izlazni napon fazno pomaknuti za 180 stupnjeva. Strujno pojačanje: Ai = iIZ / iUL iUL = iG = uUL / RG ; iIZ = uIZ / RT Ai = Av R G R T Strujno pojačanje je negativno, što znači da su ulazna i izlazna struja fazno pomaknuti za 180 stupnjeva.

58 PUL = uUL iUL; PIZ = uIZ iIZ
Pojačanje snage: Ap = PIZ / PUL PUL = uUL iUL; PIZ = uIZ iIZ Ap = Av Ai Rezultati pokazuju da pojačalo u spoju zajedničkog uvoda pruža visoka naponska i strujna pojačanja, a samim time i pojačanje snage. Ulazni otpor: RUL = RG Izlazni otpor: RIZ = rDS || RD Za P-kanalni JFET spaja se negativni napon UDD, dok je napon UGS > 0 V.

59 POJAČALO U SPOJU ZAJEDNIČKE UPRAVLJAČKE ELEKTRODE
POJAČALO U SPOJU ZAJEDNIČKOG ODVODA

60 Karakteristike pojačala u spoju zajedničkog uvoda:
veliki ulazni otpor izlazni otpor jednak je otporu na odvodu veliko naponsko pojačanje izlazni i ulazni napon su u protufazi primjenjuje se kao pojačalo na srednjim frekvencijama Karakteristike pojačala u spoju zajedničkog odvoda: mali izlazni otpor naponsko pojačanje je približno jednako 1 (jedan) izlazni i ulazni napon su u fazi primjenjuje se kao pojačalo na malim frekvencijama

61 Karakteristike pojačala u spoju zajedničke upravljačke elektrode:
mali ulazni otpor izlazni otpor jednak je otporu na odvodu veliko naponsko pojačanje izlazni i ulazni napon su u fazi primjenjuje se kao pojačalo na visokim frekvencijama

62 DOMAĆA ZADAĆA Kotur; Paunović: Analogni elektronički sklopovi, udžbenik za 3. razred elektrotehničkih škola Strana 65 / PITANJA I ZADATCI ZA PONAVLJANJE I PROVJERU ZNANJA: