Τα Μοντέλα BSIM Ξεκαλάκης Πολυχρόνης

Εισαγωγή Με τον όρο μοντέλο ενός transistor, εννοούμε την απεικόνιση με έμμεσο τρόπο της συμπεριφοράς ενός transistor. Προφανώς πολύ σημαντικό να υπάρχουν ακριβή μοντέλα, ώστε με την βοήθεια των εξομοιωτών κυκλωμάτων να παίρνουμε αξιόπιστα αποτελέσματα σχετικά με τη σχεδίαση μας. Είναι λοιπόν κρίσιμο το ερώτημα: Πόση ακρίβεια έχουν τα μοντέλα των transistor στην απεικόνιση των φυσικών φαινομένων ?

Προεπισκόπηση Παρουσίασης Λίγα στοιχεία για το Spice και πώς χειρίζεται τα μοντέλα. Γενικά για τα μοντέλα των transistor. Παρουσίαση των BSIM μοντέλων. Λεπτομερείς ανάλυση και παρουσίαση του BSIM 3 μοντέλου. Συνοπτική παρουσίαση των BSIM 4 και BSIM SOI μοντέλων.

Γενικά για το Spice Τα Spice εργαλεία γενικά αντιμετωπίζουν τα NMOS και PMOS με την βοήθεια ισοδύναμων κυκλωμάτων. Στην συνέχεια οι τιμές των στοιχείων των κυκλωμάτων αυτών υπολογίζονται με την βοήθεια των μοντέλων και της παρεχόμενης από τον χρήστη γεωμετρίας. Το μοντέλο του NMOS και του PMOS είναι τα ίδια με την αντιστροφή των διόδων και της πολικότητας της πηγής ρεύματος G D S B

Γενικά για τα Μοντέλα Transistor Τα μοντέλα προσπαθούν να εξάγουν από την παρεχόμενη από τον χρήστη γεωμετρία, μια πιστή απεικόνιση του τι συμβαίνει στην πραγματικότητα. Πρέπει να λαμβάνουν υπ’ όψιν short channel effects κτλ

Τι Απεικονίζει το Level ενός Μοντέλου ? Τα level ενός μοντέλου εκφράζουν την πολυπλοκότητα των εξισώσεων που θα χρησιμοποιηθούν για την ανάλυση. Το level 1 μοντέλα δεν είναι τόσο ακριβή γιατί η gca που χρησιμοποιείται για να προκύψουν οι εξισώσεις είναι πολύ προσεγγιστική και οι παράμετροι που χρησιμοποιούνται είναι λίγες. Για γρήγορη με μικρή ακρίβεια ανάλυση. Στο level 2 η πολυπλοκότητα εξαρτάται από τον αριθμό των παραμέτρων που καθορίζει ο χρήστης. Χρονοβόρα αν και ακριβής ανάλυση, η οποία χρησιμοποιεί την μέθοδο NR. Στο level 3 οι εξισώσεις που χρησιμοποιούνται είναι κυρίως εμπειρικές. Χρειάζεται λιγότερη υπολογιστική ισχύ από level 2, με σχεδόν ίδια απόδοση.

Τα BSIM BSIM: Berkeley Short Channel IGFET Model Είναι μοντέλα υψηλής ποιότητας και τόσο αξιόπιστα που επιλέχθηκαν ως το στάνταρ μοντέλο MOSFET, από τις αμερικάνικες βιομηχανίες ημιαγωγών (Intel,IBM,Nat. Semi,AMD,Analog Dev., TI, NEC, Siemens, DEC, HP, Lucent, Rockwell, TSMC, Motorola, Samsung, Hyundai, Chartered ) Είναι βασισμένα στην εξίσωση Poison και χρησιμοποιούν την τεχνική gradual channel approximation και quasi 2D ανάλυση, ενώ λαμβάνουν υπ’ όψιν την γεωμετρία και την τεχνολογία.

Τα BSIM 3 Πρώτη έκδοση το Υποστηρίζεται από τους περισσότερους εξομοιωτές. Ακριβές για μοντέλα έως 0.25um. 100 παράμετροι για κάθε MOSFET με 16 σελίδες εξισώσεις. Επιπλέον απο τα υπόλοιπα μοντέλα λαμβάνει υπ’όψιν τα εξής φαινόμενα : 1.Μείωση κινιτικότητας λόγω του κάθετου πεδίου. 2.Ταχύτητα κορεσμού φορέων. 3.Drain induced barrier lowering (DIBL). 4.Channel length modulation (CLM). 5.Ρεύματα υποστρώματος. 6.Ρεύματα υποκατωφλίου. 7.Φαινόμενα παρασιτικών αντιστάσεων.

Τα BSIM 3 Συνέχεια... Χρησιμοποιούν NQS μοντέλα δηλαδή λαμβάνουν υπ’όψιν τους τον πεπερασμένο χρόνο που χρειάζεται για να δοθεί το απαραίτητο για την δημιουργία του καναλιού φορτίου. Μάλιστα χρησιμοποιεί το Elmore μοντέλο, που είναι πολύ πιο γρήγορο απο τις υπάρχουσες λύσεις.

Το BSIM 3 και η Μοντελοποίηση των Χωρητικοτήτων Χρησιμοποιεί ενοποιημένο βασισμένο στο φορτίο μοντέλο. Η μετάβαση στον κόρο προσδιορίζεται με την χρήση 2 τάσεων, η μία αντικατοπτρίζει την ταχύτητα μετάβασης στον κόρο και η άλλη το long-channel pinch-off. Αποφεύγει τις ασυνέχειες στην περιοχή κατωφλίου και κόρου, τις οποίες παρουσίαζαν προγενέστερα μοντέλα (BSIM1 και BSIM2).

Ένα Παράδειγμα Παραμέτρων NMOS τεχνολογίας BSIM 3 *model = bsim3v3 *Berkeley Spice Compatibility * Lmin=.35 Lmax= 20 Wmin=.6 Wmax= 20.model N1 NMOS +Level= 8 +Tnom=27.0 +Nch= 2.498E+17 Tox=9E-09 Xj= E-07 +Lint=9.36e-8 Wint=1.47e-7 +Vth0=.6322 K1=.756 K2= -3.83e-2 K3= Dvt0= Dvt1= Dvt2=-9.17e-2 +Nlx= E-08 W0= 1.163e-6 +K3b= Vsat= Ua= 6.47e-9 Ub= 4.23e-18 Uc= E-11

Συνέχεια Παραμέτρων +Rdsw= 650 U0= wr=1 +A0= Ags=.1 B0=0.546 B1= 1 + Dwg = -6.0E-09 Dwb = -3.56E-09 Prwb = Keta= E-02 A1= E-02 A2=.9 +Voff= E-02 NFactor= Cit= E-04 +Cdsc= E-05 +Cdscb= 0 Dvt0w = 0 Dvt1w = 0 Dvt2w = 0 + Cdscd = 0 Prwg = 0 +Eta0= E-02 Etab= E-03 +Dsub= Pclm= Pdiblc1= E-03 Pdiblc2= E-03 +Drout= Pscbe1= Pscbe2= 5E-09 Pdiblcb = Pvag= 0 delta= Wl = 0 Ww = E-09 Wwl = 0 + Wln = 0 Wwn = Ll = E-10 + Lw = 0 Lwl = 0 Lln = Lwn = 0 +kt1=-.3 kt2= At= Ute= Ua1= 3.31E-10 Ub1= 2.61E-19 Uc1= -3.42e-10 +Kt1l=0 Prt=764.3

Τα BSIM 4 Τα BSIM 4 μοντέλα απευθύνονται για σχεδιάσεις κάτω απο 0.1um. Στις διαστάσεις αυτές το πάχος του οξειδίου της πύλης δεν μπορεί να αγνοηθεί. Επιπλέον απο το BSIM 3 περιλαμβάνει τα ακόλουθα φαινόμενα : 1.Gate tunneling 2.RF (Gate intrinsic resistance/substrate network) 3.Asymetric S/D

BSIM SOI Η τεχνολογία SOI ανερχόμενη δύναμη μιας και αντιμετωπίζει προβλήματα όπως το latch-up, ενώ είναι ιδανικά για low power κυκλώματα. Επιπλέον το κόστος κατασκευής τους ολοένα και πέφτει. Σημαντικό είναι λοιπόν να υπάρχουν μοντέλα για τα SOI. Το Berkeley απο το 1998 μελετά τα φαινόμενα που υπάρχουν στην τεχνολογια αυτή και προσπαθεί να τα μοντελοποιήσει.