Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων Καθηγητής: Παπαδόπουλος Γ. Πιτσιώρης Γεώργιος 4830 Ε’ Έτος.
Advertisements

Δυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS
ΦΥΣΙΚΗΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΠΑΙΔΕΙΑΣ Β΄ ΛΥΚΕΙΟΥ
ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΝΑΜΟΝΗΣ Queuing Systems Παραδείγματα χρήσης ουρών Μ/Μ/c/K και αξιολόγησης συστημάτων αναμονής Β. Μάγκλαρης
ΧΩΡΗΤΙΚΟΤΗΤΑ ΜΠΑΤΑΡΙΑΣ
Παράλληλη σύνδεση αντιστατών
Κεφάλαιο 26 Συνεχή Ρεύματα
Κεφάλαιο 7: O Μετασχηματισμός Laplace
Υπολογιστική Μοντελοποίηση στη Βιοϊατρική Τεχνολογία
1 ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΦΙΛΤΡΩΝ Κ. Ψυχαλίνος, Σ. Νικολαϊδης Θεσσαλονίκη 2004 Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης Τμήμα Φυσικής Μεταπτυχιακό Ηλεκτρονικής.
Κινηματική.
Τίτλος πτυχιακής εργασίας
Ασκήσεις - Παραδείγματα
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΗΛΕΚΤΡΟΤΕΧΝΙΑΣ Ι
Αντιστάσεις σε σειρά-παράλληλα
Άσκηση 6 Κυκλώματα παραγώγισης και ολοκλήρωσης
Σύνδεση αντιστατών σε σειρά
ΣΥΝΔΕΣΗ ΑΝΤΙΣΤΑΤΩΝ ΠΑΡΑΛΛΗΛΑ
Αντιστάσεις συνδεδεμένες σε γέφυρα
Παρασιτικές ποσότητες τρανζίστορ και αγωγών διασύνδεσης
ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΝΑΜΟΝΗΣ 01/06/05 Παραδείγματα Μοντελοποίησης και Αξιολόγησης Επίδοσης Δικτύων και Υπολογιστικών Συστημάτων.
Σπουδαστές Πάλλης Δημήτρης Μεϊμαρίδης Δημήτρης
Επιβλέπων Καθηγητής : Δρ. Σ. Τσίτσος Σπουδάστρια : Μποζίνου Ζαφειρούλα, ΑΕΜ: 1909 Σέρρες, Ιούλιος 2014 ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΠΑΙΔΕΥΤΙΚΟ ΙΔΡΥΜΑ ΣΕΡΡΩΝ ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΩΝ.
3.0 ΠΑΘΗΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ 3.2 ΠΥΚΝΩΤΕΣ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΑΚΕΣ ΑΣΚΗΣΕΙΣ.
ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΗΧΑΝΕΣ Ι.
ΜΕΣΟΓΕΙΑΚΟ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ ΚΑΙ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΦΥΤΩΝ Μεσογειακό κλίμα επικρατεί σε πέντε παραθαλάσσιες περιοχές της γης που βρίσκονται σε διαφορετικά σημεία, Μεσόγειος,
Αγγέλα Καλκούνη1 Ξύλινα Δάπεδα Διαδικασία Κατασκευής Ξύλινων Καρφωτών Δαπέδων.
ΕΡΓΑΣΙΑ ΣΤΗΝ ΠΡΑΚΤΙΚΗ ΑΣΚΗΣΗ ΦΟΙΤΗΤΡΙΕΣ: ΓΡΑΒΑΝΗ ΓΕΩΡΓΙΑ ΚΑΙ ΜΥΡΣΙΑΔΗ ΕΙΡΗΝΗ.
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε ΄.  Θα εξετάζουμε την περίπτωση του στατικού αντιστροφέα CMOS που οδηγεί μια εξωτερική χωρητικότητα φορτίου.
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε ΄. Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα 2.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ (Rabaey et al Example 5-16) Γιώργος Σαρρής6631 ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ.
Βολογιαννίδης Σταύρος
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
Μέτρηση μήκους (L) Μονάδες μήκους:
Τι είναι φίλτρο; Φίλτρο είναι είναι μια ηλεκτρονική διάταξη που αλλάζει το σχετικό πλάτος ή απαγορεύει τη διέλευση ορισμένων συνιστωσών ενός σήματος σε.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Lumped Capacitance Model of Wire (Συγκεντρωτικό μοντέλο χωρητικότητας)
MEASUREMENT TECHNIQUES
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Τσιμικλής Γεώργιος Πανταζής Κωνσταντίνος
ΑΣΚΗΣΗ ΔΙΚΤΥΑ ΜΕΤΑΓΩΓΗΣ
ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΗ ΑΚΟΥΣΤΙΚΗ επεξεργασία θέματος 2015
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Διάλεξη 11: Ανάλυση ακολουθιακών κυκλωμάτων Δρ Κώστας Χαϊκάλης
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Νόμος αντίστασης συρμάτινου αγωγού
ΔΥΝΑΜΕΙΣ αν.
Ψηφιακός Έλεγχος διάλεξη Παρατηρητές Ψηφιακός Έλεγχος.
Ανάλυση της εικόνας 4-25 (Rabaey)
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
ΣΤΟΧΟΣ : Ο μαθητής να μπορεί να
Χωρητικότητα πύλης - καναλιού ως συνάρτηση του βαθμού κορεσμού.
ΣΥΓΚΛΙΝΟΝΤΕΣ ΦΑΚΟΙ Εργαστηριακή Άσκηση 13 Γ′ Γυμνασίου
Θεωρούμε σχεδόν ιδανική TDR μορφή για είσοδο και γραμμή μεταφοράς με συγκεντρωτικές ασυνέχειες στο κέντρο της που εμφανίζονται ως παράλληλη χωρητικότητα.
ΕΞΟΜΟΙΩΣΗ SPICE ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΤΑΣΗΣ CMOS ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑ
Εικόνα 5-29 Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ
Εξομοίωση σχήματος 3.30 Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε΄
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο)
Πυροβολάκης Γιώργος 6073 Φωτόπουλος Αρχιμήδης 6130
Μέτρηση άγνωστης αντίστασης
Χριστόπουλος Κωνσταντίνος
Exercise 4.5 Rabaey Όνομα Α.Μ. Έτος Κεττένης Χρίστος 6435 E΄
Μήκος κύκλου & μήκος τόξου
ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΥΛΙΚΩΝ
ΑΜΠΕΛΙ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΙΚΗΣ ΕΚΠΑΙΔΕΥΣΗΣ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ
Μέτρηση εμβαδού Εργαστηριακή Άσκηση 1 B′ Γυμνασίου
Μεταγράφημα παρουσίασης:

Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων 2η Παρουσίαση Παράδειγμα4.8 – RC Delay of Aluminum Wire Digital Integrated Circuits, 2nd edition, J. M. Rabaey, A. Chandrakasan, B. Nikolic Κορδώνη Μαρίνα A.Μ: 5992

Α) αλουμινίου ,δρομολογημένο στην πρώτη στρώση αλουμινίου Αl1 Σκοπός του παραδείγματος είναι να υπολογίσουμε και να συγκρίνουμε τις διάφορες καθυστερήσεις διάδοσης που προκύπτουν σε ένα καλώδιο: Α) αλουμινίου ,δρομολογημένο στην πρώτη στρώση αλουμινίου Αl1 Β) που υλοποιείται με πολυκρυσταλλικό πυρίτιο στην πέμπτη στρώση αλουμινίου Αl5 κ’ Γ)στο πολυκρυσταλλικό πυρίτιο

Οι υπολογισμοί της καθυστέρησης διάδοσης θα βασιστούν στον παρακάτω πίνακα ο οποίος μας δίνει τιμές γα τις καθυστερήσεις διάδοσης σε ορισμένα ενδιαφέροντα σημεία επιπέδου τάσης(με αναφορα στην τελική τιμή τάσης) για το συγκεντρωτικό και το κατανεμημένο δικτυώμα.

Οι τιμές τις καθυστέρησης που δίνει ο πίνακας έχουν ληφθεί από προσομοιώσεις ,αλλά συμφωνούν με την εξίσωση : Από την οποία προκύπτει πως η καθυστέρηση της κατανεμημένης γραμμής rc είναι το μισό της καθυστέρησης που προβλεπεται από το συγκεντρωτικό μοντέλο RC.

1η Περίπτωση Σε προηγούμενο Παράδειγμα είδαμε πως για ένα καλώδιο με μήκος 10cm και πλάτος 1μm,δρομολογημένο στην πρώτη στρώση αλουμινίου Α11 έχει: c=110 aF/μm r=0.075 Ω/μm Ετσι με βάση τον πίνακα η καθυστέρηση διάδοσης στο 50% της τελικής τιμής είναι για κατανεμημένο δικτύωμα:

2η Περίπτωση Για μία πανομοιότυπή γραμμή που υλοποιείται με πολυκρυσταλλικό πυρίτιο στην πέμπτη στρώση αλουμινίου έχουμε: Στο πολυκρυσταλλικό πυρίτιο r=150Ω/μm c=88aF/μm (χωρητικότητα επιφανείας) c=54aF/μm (πλευρική χωρητικότητα)

3η Περίπτωση Για την ίδια γραμμή στο επίπεδο Αl5: r=0.0375Ω/μm c=5.2aF/μm (χωρητικότητα επιφανείας) c=12aF/μm (πλευρική χωρητικότητα)

Με τον ίδιο τρόπο μπορούμε να υπολογίσουμε τις καθυστερήσεις διάδοσης βηματικής απόκρισης σε καλώδιο μελετώντας το σαν συγκεντρωτικό και κατανεμημένο δικτύωμα RC.

Συμπεράσματα Η επιλογή του υλικού και της στρώσης διασύνδεσης έχει δραματική επίδραση στην καθυστέρηση διάδοσης του καλωδίου. Η απόκριση ενός καλωδίου είναι πολύ αργή στο πολυκρυσταλλικό πυρίτιο και επιταχύνεται όσο ανεβαίνουμε επίπεδο στρώσης , όσο δηλαδή μειώνονται η χωρητικότητα και αντισταση του καλωδίου.