Παραδειγμα 3.8 ςελ. 192 Kang
Yπολογιςμος μεςης χωρητικοτητας Επαφης υποδοχης-υποςτρωματος cDB MOSFET n-καναλιού αυξητικού-τύπου με τα εξής δεδομένα: Συγκέντρωση ντοπαρίσματος στο υπόστρωμα: Συγκέντρωση ντοπαρίσματος στην πηγή/υποδοχή: Συγκέντρωση ντοπαρίσματος στο πλευρικό τοίχωμα (p+): Πάχος οξειδίου πύλης: Βάθος συνδέσεων: (Οι περιοχές διάχυσης υποδοχής περιβάλλονται από περιοχή διάχυσης p+ σταματήματος καναλιού)
Τα τρία πλευρικά τοιχώματα της ορθογώνιας δομής διάχυσης της υποδομής σχηματίζουν (n+)/(p+) επαφές με το εμφύτευμα σταματήματος καναλιού p+, ενώ η κατώτατη περιοχή και τα πλευρικά τοιχώματα που βλέπουν στο κανάλι διαμορφώνουν (n+)/p συνδέσεις. Το υπόστρωμα πολωμένο στα 0V, η τάση υποδοχής αλλάζει από 0.5V σε 5V.
Υπολογισμός ενσωματωμένων δυναμικών:
Υπολογισμός των μηδενικά πολωμένων χωρητικοτήτων των συνδέσεων ανά μονάδα Υπολογισμός μηδενικά πολωμένης χωρητικότητας των επαφών των πλευρικών τοιχωμάτων
Για να συμπεριλάβουμε τη δοθείσα μεταβολή τάσης της υποδοχής στους υπολογισμούς, πρέπει να βρούμε τους συντελεστές Κeq και Keq,sw Το συνολικό μήκος της περιμέτρου των συνδέσεων (n+)/(p+) είναι ίσο με το άθροισμα των τριών πλευρών της διάχυσης της υποδοχής. Οπότε προκύπτει το εξής: