DISPOZITIVE ELECTRONICE ȘI CIRCUITE-1

DISPOZITIVE ELECTRONICE ȘI CIRCUITE-1
Notiţe de curs Cursul nr. 4 Conf. Dr. Ing. Gheorghe PANĂ

Probleme tratate Contactul metal-semiconductor (m-s)
Contactul m-s de tip redresor (dioda Schottky) Contactul m-s ohmic Caracteristica ideală I-V a joncțiunii Schottky Modelul de semnal mic al joncțiunii pn Străpungerea joncțiunii pn Regimul de comutație la joncțiunea pn Tipuri de diode Scurtă descriere Caracteristici Aplicaţii DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Contactul metal-semiconductor
Contactul metal-semiconductor (m-s) se realizează prin depunerea unui strat de metal (aluminiu) pe suprafața semiconductorului. Poate fi: de tip redresor, numit și dioda Schottky (dioda de barieră Schottky), de tip ohmic (neredresor), care asigură legătura elerctrică dintre semiconductor şi terminalele dispozitivului sau pinii circuitelor integrate. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Contactul metal-semiconductor de tip redresor
Contactele m-s de tip redresor se realizează, în cele mai multe cazuri, în semiconductoare de tip n. Metalul se comportă ca o zonă de tip p iar semiconductorul reprezintă zona de tip n. La stabilirea contactului, o parte din electronii din semiconductor curg spre metal (ocupă stări energetice mai joase), atomii donori din semiconductor se transformă în ioni pozitivi și creează o regiune de sarcină spaţială. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Rezultă o regiune de sarcină spațială extinsă doar în semiconductor, la fel ca la o joncțiune unilaterală. Apare și o barieră internă de potențial care împiedică migrarea în continuare a electronilor. Simbolul diodei Schottky DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Lățimea regiunii de sarcină spațială Capacitatea joncțiunii Schottky DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Contactul metal-semiconductor de tip ohmic
Este o joncțiune m-s cu rezistență foarte mică ce asigură conducție în ambele sensuri; Semiconductorul este dopat între gradul mediu și puternic; Se folosește atât cu semiconductorul de tip n cât și cu cel de tip p; Asigură toate contactele dintre circuitul exterior și dispozitivele și/sau circuitele integrate. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Caracteristica I-V ideală a diodei Schottky
Densitatea curentului prin dioda Schottky are expresia: unde JsT reprezintă densitatea curentului invers de saturație. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Caracteristica I-V ideală a diodei Schottky
Comparativ cu dioda bazată pe joncţiunea pn, tensiunea directă pe dioda Schottky este mai mică (<0,4V): DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Modelul de semnal mic al diodei joncțiune pn
Peste valorile de curent continuu date de sursa de polarizare Vdc se suprapun cele de curent alternativ datorită sursei vac: DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Rezistența de difuzie, rd Conductanța de semnal unde IDQ reprezintă curentul prin diodă în punctul static de funcţionare. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Inversul conductanței este rezistența de semnal mic, numită și rezistența de difuzie şi se defineşte ca raportul dintre tensiunea termică, VT şi IDQ – curentul din punctul static de funcţionare determinat de sursa de polarizare de c.c. Vdc. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Admitanța de semnal mic DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Cd reprezintă capacitatea de difuzie; rd este rezistenţa de difuzie; Cj este capacitatea joncțiunii așa cum a fost definită la polarizarea inversă a joncțiunii pn; rs este rezistența serie și corespunde rezistenței totale a zonelor neutre p și n situate de o parte și de alta a regiunii de sarcină spațială. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Tensiunea de străpungere
2 mecanisme fizice duc la apariția tensiunii de străpungere: efectul Zener (străpungere Zener) multiplicarea în avalanșă a purtătorilor de sarcină In diodele din siliciu, până la o tensiune inversă VR=-5,6V se manifestă efectul Zener, coeficientul de temperatură fiind negativ iar pentru valori mai negative decât -5,6V se manifestă multiplicarea prin avalanşă, coeficientul de temperatură fiind pozitiv. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Comutația diodei Înseamnă trecerea diodei din conducție în blocare (comutația off) și invers (comutația on). ts=timp de stocare reprezintă intervalul de timp în care concentraţia purtătorilor de sarcină minoritari, la marginea regiunii de sarcină spaţială, ajunge la valorile de la echilibru termic. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Tipuri de diode Dioda semiconductoare
Este un dispozitiv electronic constituit dintr-o joncţiune pn prevăzută cu contacte metalice la regiunile p şi n şi introdusă într-o capsulă din sticlă, metal, ceramică sau plastic. Regiunea p a joncţiunii constituie anodul diodei, iar joncţiunea n, catodul. Dioda semiconductoare se caracterizează prin conductivitate unidirecţională (conduce curent important într-un singur sens). DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Tipuri de diode Simbolul general al diodei DEC-I Cursul nr. 4
11/19/2018

Tipuri de diode Dioda redresoare Dioda de comutaţie Dioda Schottky
Dioda varicap Dioda Zener Fotodioda Diode electroluminescente (LED) Dioda laser Dioda PIN Dioda cu contact punctiform DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

1. Diode redresoare Sunt diode destinate utilizării în circuite redresoare care transformă energia de c.a. în energie de c.c. Parametrii principali sunt curentul maxim, IM şi tensiunea inversă maximă, VM. Domeniul de variaţie a acestor parametri este: amperi-zeci de mii de amperi, pentru IM; zeci de volţi - zeci de mii de volţi pentru VM. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Diodă redresoare de curent mic
1. Diode redresoare Simbol Diodă redresoare de curent mic Diodă de putere 40A - 700A DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

1. Diode redresoare Date de catalog pentru seria 1N400x, x=1,2,3,4,5,6,7 DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

1. Diode redresoare Punţi redresoare: aranjament de 4 (6) diode care asigură aceeaşi polaritate a tensiunii de ieşire, indiferent de polaritatea tensiunii de intrare. Pot fi: monofazate trifazate DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

1. Diode redresoare Exemple de punţi monofazate DEC-I Cursul nr. 4
11/19/2018

1. Diode redresoare Schema unui redresor monofazat monoalternanţă
DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

1. Diode redresoare Forme de undă
Diferenţa de tensiune dintre cele 2 curbe reprezintă căderea de tensiune pe dioda aflată în conducţie (aprox. 0,7V) DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

1. Diode redresoare Schema unui redresor monofazat dublă alternanţă cu 4 diode independente DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

1. Diode redresoare Schema unui redresor monofazat dublă alternanţă cu o punte de diode monolitică DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

1. Diode redresoare Forme de undă
Observaţie: diferenţa de tensiune dintre curba verde şi curba roşie corespunde la 2xUD (aproximativ 1,4V) deoarece pentru fiecare semialternanţă conduc câte 2 diode din braţe opuse ale punţii). DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

2. Diode de comutaţie Sunt diode destinate utilizării în circuite funcţionând în comutaţie sau la frecvenţe ridicate. Parametrii principali sunt timpii de comutaţie. TH = Through Hole SMD = Surface Mounted Device Diodă TH – 1N4148 (tr=4ns) Diodă SMD – LS34 (tr=1,2ns) Diodă SMD – 1N4148W DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

2. Diode de comutaţie Date de catalog pentru dioda 1N4148 trr,max=4ns

3. Diode Schottky Sunt diode realizate într-o tehnologie specială, de tip metal-semiconductor Simbol Avantajele acestor diode sunt: tensiune mică în conducţie, aproximativ 0,3 V; timpi de comutaţie foarte mici. Dezavantajul principal: tensiune inversă maximă mică (zeci de volţi). DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

3. Diode Schottky Exemple de diode Schottky DEC-I Cursul nr. 4
11/19/2018

3. Diode Schottky Date de catalog pentru dioda Schottky – 1N5711

4. Dioda varicap Denumirea diodei vine de la expresia „capacitate variabilă”. Simbol Dioda este utilizată în polarizare inversă; În această situaţie, dioda se comportă ca un condensator cu capacitate variabilă, dependentă de tensiunea la borne. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

4. Dioda varicap Domeniul principal de utilizare este în radiocomunicaţii, mai precis la acordul circuitelor oscilante din emiţătoare şi receptoare. 2.6-31pF 3V 10V 2…16pF Diodă dublă 2x(2…37pF) DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

4. Dioda varicap Schema unui circuit LC paralel în care capacitatea C este dată de dioda varicap D1, polarizată invers de sursa V1: DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

4. Dioda varicap Frecvenţele de rezonanţă

4. Dioda varicap Date de catalog pentru dioda varicap 1N5148A

5. Dioda zener Este o diodă construită pentru a fi utilizată în zona de străpungere inversă. Simbolul şi caracteristica I-V Simbolul diodei Zener Caracteristica I-V DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

5. Dioda zener În polarizare directă, caracteristica I-V este asemănătoare cu cea a diodelor redresoare. În polarizare inversă dioda se străpunge. Există 2 tipuri de fenomene de străpungere: străpungere Zener (<5,6V) şi străpungere prin multiplicare în avalanşă (>5,6V). DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

5. Dioda zener Proprietatea de a menţine contantă tensiunea pe o plajă mare de curenţi face ca dioda să fie utilizată îndeosebi în circuitele stabilizatoare de tensiune. 1W, TH 200mW, SMD Diode de putere (3W, 10W, 20W, 50W) DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

5. Dioda zener Schema unui stabilizator parametric DEC-I Cursul nr. 4
11/19/2018

5. Dioda zener Variaţia tensiunii de ieşire (pe sarcină) în funcţie de modificarea tensiunii de intrare DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

5. Dioda zener Date de catalog pentru diode zener de 1W 1N4728 – 1N4764 DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

6. Fotodioda Se foloseşte la detecţia luminii.
Prin iluminarea joncţiunii pn se generează perechi electron-gol. Tipic, fotodiodele funcţionează în polarizare inversă, situaţie în care se poate detecta uşor chiar şi o variaţie mică de curent determinată de lumină. Se pot folosi, de asemenea, la generarea de electricitate (celule solare sau fotovoltaice). DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Fotodiodă pentru UV şi raze X
6. Fotodioda Simbol Fotodiodă rapidă Fotodiodă pentru UV şi raze X Fotodiodă 800nm Fotodiodă SMD DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

6. Fotodioda Celulă solară DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

7. Diode electroluminescente
LED = Light Emitting Diode Dioda electroluminescentă funcţionează în polarizare directă. În urma injecţiei de curent prin joncţiune, electronii din regiunea n traversează joncţiunea şi se recombină cu golurile din regiunea p. În urma acestui proces de recombinare, energia dobândită de la câmpul exterior este eliberată sub formă de cuante luminoase (fotoni). DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Material λ [nm] Culoare GaAs 940 infraroşu GaAs0,7 P0,3 660 roşu GaAs0,5P0,5 610 portocaliu GaAs0,15P0,85 590 galben GaP 540 verde InGaN+GaN 450 < λ < 500 albastru DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Simbol şi LED tipic Simbolul LED-ului LED tipic DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

LED-uri de putere LED-uri de 3W, putere luminoasă lm (lumen) la un curent direct de 700mA DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

OLED (Organic Light-Emitting Diode) este o componentă electronică în formă de folie foarte subţire electroluminescentă (luminoasă) făcută dintr-un material organic semiconductor. Comparativ cu LED-ul, tehnologia OLED este mai ieftină. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Active-Matrix OLED (AM OLED) termenul "Active Matrix" se referă la modalitatea de adresare (activare şi dezactivare) a fiecărui pixel constituent al ecranului. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Structura AM OLED 1 – Catodul, 2 – Stratul emisiv, 3 – Emisia de radiaţie, 4 – Stratul conductor, 5 - Anodul DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

8. Dioda laser Laser = Light amplification by stimulated emission of radiation diferă de LED deoarece produce lumină coerentă (adică toate undele generate sunt în fază). Se foloseşte la drive-uri de CD şi DVD, pointere pentru prezentări Au un timp de viaţă limitat. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

8. Dioda laser Exemplu Diodă laser 650nm, 10mW DEC-I Cursul nr. 4
11/19/2018

9. Dioda PIN Numele provine de la modul de realizare: zonă de tip P despărţită de zona de tip N printr-un semiconductor Intrinsec (nedopat). DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

9. Dioda PIN Semiconductorul intrinsec are rolul să mărească lăţimea regiunii de sarcină spaţială (a regiunii de golire), ceea ce poate fi util în aplicaţiile de comutaţie ca şi la fotodiode. Exemplu DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

10. Dioda cu contact punctiform
Dioda funcţionează la fel ca dioda bazată pe joncţiunea pn. Constă dintr-un semiconductor de tip n, înţepat de un vârf ascuţit al unui metal (wolfram, de exemplu). La fabricatie, sistemul este parcurs un timp foarte scurt de un impuls puternic de curent care determină o topire locală şi formarea unei joncţiuni pn cu arie foarte mică. DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Ca rezultat capacitatea joncţiunii este foarte mică; Datorită acestei capacităţi mici se foloseşte în aplicaţii de radiofrecvenţă (RF); Sunt diode de curent mic; Procesul de fabricaţie este foarte ieftin; Se utilizează încă din timpul celui de al doilea război mondial (la radare). DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Structura 1- capsulă de sticlă; 2-electrozi metalici; 3-semiconductor de tip n (germaniu); 4-conductor subţire de wolfram DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

Exemplu: DEC-I Cursul nr. 4 11/19/2018

DISPOZITIVE ELECTRONICE ȘI CIRCUITE-1

Παρόμοιες παρουσιάσεις

Παρουσίαση με θέμα: "DISPOZITIVE ELECTRONICE ȘI CIRCUITE-1"— Μεταγράφημα παρουσίασης:

Παρόμοιες παρουσιάσεις

Σχετικά με το έργο

Σχόλια

Είσοδος

Σύνδεση μέσω των κοινωνικών δικτύων:

DISPOZITIVE ELECTRONICE ȘI CIRCUITE-1

Παρόμοιες παρουσιάσεις

Παρουσίαση με θέμα: "DISPOZITIVE ELECTRONICE ȘI CIRCUITE-1"— Μεταγράφημα παρουσίασης:

Παρόμοιες παρουσιάσεις

Σχετικά με το έργο

Σχόλια