Παρασιτικές ποσότητες τρανζίστορ και αγωγών διασύνδεσης

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
1.Ποια είναι τα τρία κύρια μέρη ενός υποδείγματος ηλεκτρονικών επικοινωνιών Ενεργεία ( είσοδος) Μετάδοση (διαδικασία) Ήχος ( έξοδος)
Advertisements

ΠΑΡΑΔΟΣΕΙΣ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ «ΕΙΔΙΚΑ ΘΕΜΑΤΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ» ΚΕΦ.5
Μετασχηματιστής λ/4 Μία από τις μεθόδους προσαρμογής είναι η παρεμβολή πριν από το φορτίο γραμμής μεταφοράς μήκους l/4 και κατάλληλης χαρακτηριστικής αντίστασης.
ΗΛΕΚΤΡΙΣΜΟΣ ΦΟΡΤΙΟ.
3.0 ΠΑΘΗΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ 3.2 ΠΥΚΝΩΤΕΣ ΒΑΣΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ.
Ημιαγωγοί – Τρανζίστορ – Πύλες - Εξαρτήματα
Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS
ΕΝΟΤΗΤΑ 8Η ΜΝΗΜΕΣ ROM ΚΑΙ RΑΜ
Μνήμη και Προγραμματίσιμη Λογική
4Ο ΕΠΑΛ ΑΘΗΝΩΝ ΤΑΞΗ : ΑΤ ΜΑΘΗΜΑ : ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΚΑΘΗΓΗΤΗΣ : ΠΡΙΝΤΕΖΗΣ ΙΩΑΝΝΗΣ ΗΜΕΡΟΜΗΝΙΑ : 22/01/2014 ΟΝΟΜΑΤΕΠΩΝΥΜΟ : ΧΡΗΣΤΟΣ ΚΟΥΡΟΥΠΗΣ.
Ομάδα Σχεδίασης Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων
Δυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS
ΚΑΤΗΓΟΡΙΕΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΩΝ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΕΝΟΤΗΤΑ 3Η ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ CMOS
3.2 Προβλήματα φυσικής μετάδοσης
ΜΟΝΤΕΛΑ ΠΕΠΕΡΑΣΜΕΝΩΝ ΔΙΑΦΟΡΩΝ & ΠΑΡΑΓΩΓΩΝ
Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) (4 περίοδοι)
ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΝΑΜΟΝΗΣ Παράδειγμα Βελτιστοποίησης Μέσου Μήκους Πακέτου 23/05/2011.
Κεφάλαιο 22 Νόμος του Gauss
Διαλέξεις στην Ηλεκτρονική Ι Π. Δ. Δημητρόπουλος Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας - Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Μηχανικών Η/Υ, Τηλεπικοινωνιών & Δικτύων.
ΜΟΝΤΕΛΑ ΚΑΤΑΝΕΜΗΜΕΝΩΝ ΠΑΡΑΜΕΤΡΩΝ Ισοζύγιο πληθυσμού σωματιδίων - Κρυσταλλωτήρες - Διφασικά συστήματα (υγρών-υγρών ή υγρών-αερίων) - Ρευστοστερεές κλίνες.
Οι λογικές πράξεις και οι λογικές πύλες
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΗΥ231 – Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Διδάσκων: Νέστωρ Ευμορφόπουλος.
ΗΜΥ 100 Εισαγωγή στην Τεχνολογία Διάλεξη 5
Υλοποίηση λογικών πυλών με τρανζίστορ MOS
Τ. Ε. Ι. Κεντρικής Μακεδονίας - Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ. Ε
Βασικές αρχές ημιαγωγών και τρανζίστορ MOS
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΥΨΗΛΩΝ ΤΑΣΕΩΝ
Τρανζίστορ Ετεροεπαφών
ΠΥΚΝΩΤΗΣ ΣΤΟΧΟΙ Να μπορείτε να, (α) Αναφέρετε τι είναι πυκνωτής
Inductance of a Semiconductor Wire Example 4.4. We consider an A11 – first layer of aluminum – wire in 0.25 μ m CMOS technology, on top of the field oxide.
Κρυφή μνήμη (cache memory) (1/2) Εισαγωγή στην Πληροφορκή1 Η κρυφή μνήμη είναι μία πολύ γρήγορη μνήμη – πιο γρήγορη από την κύρια μνήμη – αλλά πιο αργή.
1 ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΝΑΜΟΝΗΣ Queuing Systems Παραδείγματα Εφαρμογής Άσκηση Προσομοίωσης Βασίλης Μάγκλαρης 6/4/2016.
1-1 Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ, ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ ΗΥ 330 – Σχεδίαση Συστημάτων VLSI Εαρινό εξάμηνο
Το τροφοδοτικό είναι μία συσκευή που είναι υπεύθυνη για δύο λειτουργίες: 1. Μετατρέπει το εναλλασσόμενο σε συνεχές. 2. Παρέχει τις κατάλληλες τάσεις 5.
Η Συνολική Τάση εξ’ επαγωγής (Ηλεκτρεγερτική Δύναμη) του συνόλου των τυλιγμάτων μιας μηχανής συνεχούς ρεύματος ισούται με: C – Μια σταθερά διαφορετική.
Ηλεκτρόδια Καθόδου Ηλεκτρόδιο Πύλης Ημιαγωγός Επαφή με άνοδο.
1 ΕΠΑΛ ΑΓΡΙΝΙΟΥ Ερευνητική Εργασία ΑΤ2 Καθηγητής: Τσαφάς Α. Σχ. Ετος Θέμα: Μετατροπή του ήχου σε ηλεκτρικά σήματα και αντίστροφα.
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Ιστορία του τρανζίστορ Η σπουδαιότητα του Είδη τρανζίστορ Ευρωπαϊκός κώδικας Γενικές εικόνες cmap.
Συστήματα Αυτομάτου Ελέγχου ΙΙ
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
Σχεδiαση μικροκυματικοy ενισχυτh για μeγιστο κeρδοΣ
Τι είναι φίλτρο; Φίλτρο είναι είναι μια ηλεκτρονική διάταξη που αλλάζει το σχετικό πλάτος ή απαγορεύει τη διέλευση ορισμένων συνιστωσών ενός σήματος σε.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Συστήματα CAD Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Σχολή Θετικών Επιστημών
ΠΗΝΙΟ Το πηνίο είναι ένα από τα παθητικά στοιχεία των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων όπως είναι οι αντιστάσεις και οι πυκνωτές. Το Πηνίο αποτελείται από σπείρες.
Τσιμικλής Γεώργιος Πανταζής Κωνσταντίνος
Άσκηση 4-8B Γεώργιος Μυλωνάς 6328.
Τμήμα Μηχανικών Η/Υ, Τηλεπικοινωνιών και Δικτύων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Ανάλυση της εικόνας 4-25 (Rabaey)
Κεφάλαιο 7: Διαδικτύωση-Internet Μάθημα 7.9: Δρομολόγηση
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
2ο Εργαστήριο: Τρανζίστορ
Χωρητικότητα πύλης - καναλιού ως συνάρτηση του βαθμού κορεσμού.
Θεωρούμε σχεδόν ιδανική TDR μορφή για είσοδο και γραμμή μεταφοράς με συγκεντρωτικές ασυνέχειες στο κέντρο της που εμφανίζονται ως παράλληλη χωρητικότητα.
ΠΗΝΙΟ Το πηνίο είναι ένα από τα παθητικά στοιχεία των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων όπως είναι οι αντιστάσεις και οι πυκνωτές. Το Πηνίο αποτελείται από σπείρες.
ΕΞΟΜΟΙΩΣΗ SPICE ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΤΑΣΗΣ CMOS ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑ
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε΄
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Ηλεκτρονική MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) (II) Φώτης Πλέσσας
Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο)
Σχεδίαση λογικών πυλών και κυκλωμάτων σε φυσικό επίπεδο
Παραδειγμα 3.8 ςελ. 192 Kang.
ΜΕΤΑΔΟΣΗ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ - ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ
Exercise 4.5 Rabaey Όνομα Α.Μ. Έτος Κεττένης Χρίστος 6435 E΄
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
ΡΥΘΜΟΣ ΔΙΕΡΓΑΣΙΑΣ ΓΙΑ ΣΥΡΡΙΚΝΟΥΜΕΝΑ ΣΦΑΙΡΙΚΑ ΤΕΜΑΧΙΔΙΑ
Μεταγράφημα παρουσίασης:

Παρασιτικές ποσότητες τρανζίστορ και αγωγών διασύνδεσης Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική

Παράγοντες καθορισμού μεταβατικής απόκρισης λογικών πυλών Η δυναμική ή μεταβατική συμπεριφορά μιας λογικής πύλης καθορίζεται κατά κύριο λόγο από τις εξωτερικές χωρητικότητες των πυλών τρανζίστορ που οδηγούνται (fan-out) από την έξοδο της συγκεκριμένης λογικής πύλης Η ταχύτητα εμφάνισης της λογικής κατάστασης στην έξοδο της πύλης καθορίζεται από την καθυστέρηση φόρτισης ή εκφόρτισης της χωρητικότητας εισόδου των οδηγούμενων πυλών Η κατανάλωση ισχύος για αλλαγή της λογικής κατάστασης εξόδου καθορίζεται από την κατανάλωση φόρτισης ή εκφόρτισης της χωρητικότητας εισόδου των οδηγούμενων πυλών Το μεταβατικό φαινόμενο της αλλαγής λογικής κατάστασης στην έξοδο μιας λογικής πύλης επηρεάζεται επίσης από τις εξής παρασιτικές ποσότητες: Εσωτερική χωρητικότητα στις περιοχές πηγής/υποδοχής των τρανζίστορ της λογικής πύλης Αντίσταση και χωρητικότητα των αγωγών ή καλωδίων διασύν-δεσης της εξόδου της λογικής πύλης με τις εισόδους άλλων λογικών πυλών

Εξωτερική χωρητικότητα πύλης τρανζίστορ MOS αγώγιμο πολυπυρίτιο μονωτικό οξείδιο S G D n+ tox W L υπόστρωμα τύπου-p Β

Εξωτερική χωρητικότητα πύλης τρανζίστορ MOS αγώγιμο πολυπυρίτιο μονωτικό οξείδιο S G D n+ tox W L υπόστρωμα τύπου-p Β

Εσωτερική χωρητικότητα επαφής (πηγής/υποδοχής) τρανζίστορ MOS VG VDB G S D n+ n+ Cjsw Cjar υπόστρωμα τύπου-p στρώμα αραίωσης Β Xωρητικότητα επιφάνειας (area): Xωρητικότητα περιφέρειας (sidewall):

Εσωτερική χωρητικότητα επαφής (πηγής/υποδοχής) τρανζίστορ MOS G D n+ LD W L υπόστρωμα τύπου-p Β Επιφάνεια πηγής/υποδοχής: AD = WLD Περίμετρος πηγής/υποδοχής: PD = W+2LD

Αγωγοί διασύνδεσης w t l h

Χωρητικότητα αγωγών διασύνδεσης Γραμμές ηλεκτρικού πεδίου

Χωρητικότητα αγωγών διασύνδεσης

Χωρητικότητα αγωγών διασύνδεσης Πλευρικά πεδία (fringing fields)

Χωρητικότητα αγωγών διασύνδεσης

Χωρητικότητα αγωγών διασύνδεσης layer n h1 layer n-1

Χωρητικότητα αγωγών διασύνδεσης layer n+1 h2 layer n h1 layer n-1

Χωρητικότητα αγωγών διασύνδεσης layer n+1 h2 s1 s2 layer n h1 layer n-1

Αντίσταση αγωγών διασύνδεσης w t l Rsq: Αντίσταση φύλλου (sheet resistance) σε Ω/sq (= αντίσταση ενός τετραγώνου πλευράς w) l/w: Αριθμός τετραγώνων πλευράς w l w w

Kατανεμημένα μοντέλα RC αγωγών διασύνδεσης Η αντίσταση και η χωρητικότητα ενός αγωγού διασύν-δεσης είναι στην πραγματικότητα κατανεμημένες ποσότητες, οπότε (ειδικά στην περίπτωση αγωγών μεγάλου μήκους) η αναπαράσταση θα πρέπει να γίνει μέσω ενός κατανεμημένου δικτύου RC N-τμημάτων, ως εξής (για εκτέλεση προσομοίωσης με το SPICE): όπου Rw και Cw είναι η συνολική αντίσταση και χωρητικότητα του αγωγού Rw/N Rw/N Rw/N Rw Vin Vout Vin Vout  Cw Cw/2N Cw/N Cw/N Cw/2N

Μοντελοποίηση αγωγών διασύνδεσης Βραχυκύκλωμα: (για αγωγούς μικρού μήκους) Χωρητικότητα: (για αγωγούς μεσαίου μήκους) Κατανεμημένο μοντέλο RC: (για αγωγούς μεγάλου μήκους) Vin Vout Vin Vout Cwire Rw Vin Vout Cw