Transistor sizing and energy minimization Όνομα Α.Μ. Έτος Παράδειγμα

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου1 ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο Χρονισμός Σύγχρονων Κυκλώματων, Καταχωρητές και Μανταλωτές.
Advertisements

ΗΜΥ 210: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2009
ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου1 ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο Ροή Σχεδίασης Κυκλωμάτων και Εργαλεία CAD.
HY220: Ιάκωβος Μαυροειδής
Τ. Ε. Ι. Κεντρικής Μακεδονίας - Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ. Ε
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Εργαστήριο Ηλεκτρονικής. Σύντομο ιστορικό  Ιδρύθηκε το 2001  5 μέλη ΔΕΠ  6 συνεργαζόμενοι ερευνητές  Περίπου 30 υποψήφιοι διδάκτορες.
Ανανεώσιμες πηγές ενέργειας: Βασικές έννοιες, εφαρμογές και παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας Ανέστης Τσαϊρίδης Επιβλέπων: Δρ. Δημήτριος Καλπακτσόγλου.
«Το κυκλοφοριακό πρόβλημα. Αιτίες, συνέπειες και δυνατότητες άμεσης βελτίωσης» Οι κρίσιμοι τομείς της οδικής ασφάλειας και στάθμευσης, όπου λόγω της αδικαιολόγητης.
Αισθητήρια Όργανα και Αισθήσεις 1.  Σύστημα αισθητηρίων οργάνων: αντίληψη μεταβολών εξωτερικού & εσωτερικού περιβάλλοντος  Ειδικά κύτταρα – υποδοχείς.
1-1 Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ, ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ ΗΥ 330 – Σχεδίαση Συστημάτων VLSI Εαρινό εξάμηνο
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε ΄.  Θα εξετάζουμε την περίπτωση του στατικού αντιστροφέα CMOS που οδηγεί μια εξωτερική χωρητικότητα φορτίου.
« Καινοτομία και Εφαρμοσμένη έρευνα στο Τ.Ε.Ι. Στερεάς Ελλάδας στα πλαίσια της πράξης Αρχιμήδης ΙΙΙ» Περπινιάς Ιωάννης Υποέργο 7: «Διασύνδεση Διεσπαρμένης.
Εικόνα 5.38 (Rabaey) Τσιμπούκας Κων/νος  Η μέση κατανάλωση ισχύος δίνεται από τον:  Όπου Τ το χρονικό διάστημα που μας ενδιαφέρει.  Τα κυκλωματα.
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ Αγροδιατροφικών Προϊόντων. Συσκευασία ενός πρωτογενούς αγροτικού προϊόντος ονομάζεται η περικάλυψη του από κάποιο ειδικό υλικό που χρησιμοποιείται.
Λήψη αποφάσεων στην Εκπαίδευση Ελευθερία Αργυροπούλου Επίκουρη Καθηγήτρια Πανεπιστημίου Κρήτης Πανεπιστήμιο Κύπρου, Οκτώβριος 2015.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ (Rabaey et al Example 5-16) Γιώργος Σαρρής6631 ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ.
Φωτοβολταϊκά και Net Metering (Ενεργειακός συμψηφισμός)
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
Αισθητήρια όργανα – αισθήσεις
Δρ Γεώργιος Σκόδρας Επίκουρος Καθηγητής
Επεξεργασία Ομιλίας & Ήχου
ΔΙΠΛΟΘΛΑΣΤΙΚΟΤΗΤΑ.
Περιεχόμενα Εισαγωγή Είδη κίνησης Αρχή λειτουργίας μηχανισμών
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Τσιμικλής Γεώργιος Πανταζής Κωνσταντίνος
Καθυστέρηση αντιστροφέα και λογικών πυλών CMOS
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΑ
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Το φάσμα του λευκού φωτός
Προσομοίωση Ανεμογεννήτριας
Εκπαιδευτικό Λογισμικό Function Probe (FP)
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Παράδειγμα 3.2 Υπολογίστε την τάση threshold (VT0) όταν VSB=0, με πύλη πολυπυριτίου, n_type κανάλι MOS transistor με τις ακόλουθες παραμέτρους: Πυκνότητα.
ΤΡΕΦΟΜΑΣΤΕ ΣΩΣΤΑ, ΖΟΥΜΕ ΚΑΛΥΤΕΡΑ!
ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΕΙΣ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ ΠΙΘΑΝΟΤΗΤΕΣ(6)
Lumped Capacitance Model Όνομα Α.Μ. Έτος Παράδειγμα Κεττένης Χρίστος
Μερικά καθολικά σήματα, όπως το ρολόι, κατανέμονται σε όλο το ολοκληρωμένο κύκλωμα. Το μήκος των καλωδίων αυτών μπορεί να είναι σημαντικό. Για μεγέθη ψηφίδων.
Εικόνα 5-29 Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Παράδειγμα 4.12 Πότε λαμβάνουμε υπόψη τα φαινόμενα γραμμής μετάδοσης Όνομα:Τσιμπούκας Κων/νος ΑΜ:6118 Από το βιβλίο: Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα Μία.
Depletion layer thickness
ΕΤΕΡΟΠΤΩΤΟΙ ΟΝΟΜΑΤΙΚΟΙ ΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΜΟΙ
Ανάλυση εικόνας 6-22 (Rabaey)
Σχεδίαση λογικών πυλών και κυκλωμάτων σε φυσικό επίπεδο
Συγχώνευση.
Θεωρούμε MOSFET p-καναλιού με τα εξής χαρακτηριστικά
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Καθυστέρηση αντιστροφέα με παρουσία διασύνδεσης
ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Υπολογισμος Req (πινακασ 3-3)
Εισαγωγή στο Εργαστήριο Συστημάτων Αυτομάτου Ελέγχου Ι
Exercise 4.5 Rabaey Όνομα Α.Μ. Έτος Κεττένης Χρίστος 6435 E΄
? Πώς … Πώς ένα ηλεκτρονικό κύκλωμα αναγνωρίζει δεδομένα και εντολές;
Καταστατική εξίσωση των ιδανικών αερίων
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Υπολογισμός του πίνακα 3.3 (Rabaey)
Πρόγραμμα για την περιβαλλοντική μετανάστευση
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Behzad Razavi, RF Microelectronics.
ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασμός Εαρινό Εξάμηνο 2005
ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασμός Εαρινό Εξάμηνο 2005
Μικροηλεκτρονικη 2015.
Γαριπίδης Ιορδάνης Βιολόγος 3ο ΓΕΛ Χαϊδαρίου
ΕΠΙΜΗΚΥΝΣΗ (χρήση αντισταθμιστή)
Η ΚΥΚΛΟΦΟΡΙΑ ΤΟΥ ΝΕΡΟΥ ΣΤΟ ΔΙΚΤΥΟ
Συμβουλές Πωλήσεων Καλοκαίρι 2018 ON LINE Εκπαίδευση - Αύγουστος 2018.
شبیه سازی یکنواخت به منظور تخمین گنجایش بازده صفحات اتصال، شبیه سازی کششی یکنواخت انجام پذیرفت. از موضوعات مربوط به کششی توانی، توان بازده با استفاده از.
ΟΜΟΙΟΠΤΩΤΟΙ ΟΝΟΜΑΤΙΚΟΙ ΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΜΟΙ
Εργαστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών
Insulated Gate Field Effect Transistor (IGFT)
Μεταγράφημα παρουσίασης:

Transistor sizing and energy minimization Όνομα Α.Μ. Έτος Παράδειγμα Κεττένης Χρίστος 6435 E΄ Rabaey 5.13

CMOS Inverter Chain Model Στη μελέτη και σχεδίαση ψηφιακών ηλεκτρονικών κυκλωμάτων CMOS, υφίσταται και το πρόβλημα της ελαχιστοποίησης της κατανάλωσης ενέργειας, η οποία επηρεάζει και τη απόδοση ή ταχύτητα του κυκλώματος. Η μελέτη για την ελαχιστοποίηση της κατανάλωσης ενέργειας γίνεται ως συνάρτηση του μεγέθους των transistors των κυκλωμάτων του συστήματος. Στόχος είναι η ελαχιστοποίηση της κατανάλωσης διατηρώντας όμως την απόδοση σε ένα κάτω όριο. Αυτή η μελέτη είναι θεωρητική και εμπειρική και για αυτό το λόγο δεν υπάρχει η δυνατότητα επιβεβαίωσης της με simulation.

Συνιστώσες προβλήματος Για τη μελέτη του προβλήματος θα γίνει μέσω του κυκλώματος του σχήματος, με τη χρήση μιας NOT – gate μεγέθους f, οδηγούμενη από άλλη μια ΝΟΤ – gate ελαχίστου μεγέθους. Τα χωρητικά φορτία εξόδου και εισόδου του προηγούμενου και επόμενου σταδίου, αντιστοίχως, εξομοιώνονται με τους πυκνωτές Cg1 και Cext. Θα ακολουθήσουν οι σχέσεις με τις οποίες θα παραχθούν οι γραφικές παραστάσεις της τάσης τροφοδοσίας και της κατανάλωσης ενέργειας συναρτήσει του μεγέθους του δεύτερου inverter της αλυσίδας. Η NOT αναφοράς έχει f = 1 και VDD = Vref = 2.5 V. Η τάση κατωφλίου (threshold voltage) στην τεχνολογία των 250 nm είναι VTE 0.5 V.

Σχέση τροφοδοσίας συναρτήσει του f (1/4) Η σχέση της καθυστέρησης μιας αλυσίδας από δύο inverters συναρτήσει του μεγέθους του δεύτερου, αφού ο πρώτος είναι ο inverter αναφοράς είναι η εξής, όπου F = CL/Cg1: Για λόγους ευκολίας στην ανάλυση θα υποθέσουμε ότι η internal χωρητικότητα του inverter είναι ίση με την χωρητικότητα των gates των transistors, άρα γ = 1. Έτσι η προηγούμενη σχέση παίρνει την ακόλουθη μορφή:

Σχέση τροφοδοσίας συναρτήσει του f (2/4) Η τιμή της βασικής καθυστέρησης tp0 είναι ανάλογη με τον λόγο VDD/(VDD – VTE), όπως φαίνεται και στην εξίσωση 5.21 του βιβλίου: όπου b, είναι σταθερά αναλογίας. Θεωρώντας , και f = 1 και tref, την καθυστέρηση του κυκλώματος αναφοράς, και η οποία ισούται με: θα ληφθεί ο λόγος tp/tpref να είναι ίσος με 1, αφού θέλουμε την καθυστέρηση του κυκλώματος να είναι το πολύ ίση με εκείνην του κυκλώματος αναφοράς.

Σχέση τροφοδοσίας συναρτήσει του f (3/4)

Σχέση τροφοδοσίας συναρτήσει του f (4/4)

Σχέση καταναλισκόμενης ενέργειας συναρτήσει του f (1/2) Η σχέση που δίνει την καταναλισκόμενη ενέργεια με είσοδο μια βηματική συνάρτηση (step function) είναι η εξής: Για να παρατηρήσουμε τη συμπεριφορά του κυκλώματος με την αλυσίδα των inverters, λαμβάνεται ο λόγος E/Εref, όπου Εref η ενέργεια που καταναλώνει το κύκλωμα αναφοράς με γ = f = 1 και για VDD = Vref, ισούται με: Αν η VDD αντικατασταθεί με την συνάρτηση που εξήχθη στο προηγούμενο στάδιο μπορούμε να πάρουμε τη γραφική παράσταση του E/Εref συναρτήσει του f.

Σχέση καταναλισκόμενης ενέργειας συναρτήσει του f (2/2)

Συμπεράσματα Όπως παρατηρείται από τη πρώτη γραφική, σε κάθε F αντιστοιχεί μια βέλτιστη τιμή του μεγέθους f, η οποία δίνει την ελάχιστη τιμή τάσης τροφοδοσίας VDD, ώστε καθυστέρηση της αλυσίδας των inverters να είναι ίση με εκείνη του κυκλώματος αναφοράς. Αυτά τα ελάχιστα είναι, όπως ήταν αναμενόμενο να είναι οι τιμές , αφού Ν = 2. Το άλλο που παρατηρείται είναι το γεγονός οι τιμές του f που δίνουν ελάχιστη VDD δεν είναι τα ίδια με εκείνα που δίνουν την ελάχιστη κατανάλωση ενέργειας, αλλά μικρότερες ειδικώς για μεγάλα F. Αυτό συμβαίνει αφού η εξάρτηση της ενέργειας από την τροφοδοσία είναι τετραγωνική και λόγω του ότι για μεγάλα F, οι βέλτιστες τιμές της VDD προσεγγίζουν τάση threshold VTE = 0.5 V. Για την πλέον αποτελεσματική σχεδίαση χρησιμοποιούνται οι ακέραιες τιμές του f ανάμεσα στα δύο ελάχιστα, της απόδοσης και της κατανάλωσης, για το κάθε F.