ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Υπολογισμος Req (πινακασ 3-3)

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
Στοιχεία Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών και Ηλεκτρονικής
Advertisements

Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS
Τα Μοντέλα BSIM Ξεκαλάκης Πολυχρόνης. Εισαγωγή Με τον όρο μοντέλο ενός transistor, εννοούμε την απεικόνιση με έμμεσο τρόπο της συμπεριφοράς ενός transistor.
Δυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS
Μνήμες RAM Διάλεξη 12.
Χαμηλή κατανάλωση σε Δίκτυα Η εικόνα της Χαμηλής Κατανάλωσης από την οπτική γωνία των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων.
ΗΥ120 "ΨΗΦΙΑΚΗ ΣΧΕΔΙΑΣΗ" ΙCs.
ΗΥ220 - Βασίλης Παπαευσταθίου1 ΗΥ220 Εργαστήριο Ψηφιακών Κυκλωμάτων Χειμερινό Εξάμηνο Χρονισμός Σύγχρονων Κυκλώματων, Καταχωρητές και Μανταλωτές.
ΗΜΥ 210: Σχεδιασμός Ψηφιακών Συστημάτων Χειμερινό Εξάμηνο 2009
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Υλοποίηση λογικών πυλών με τρανζίστορ MOS
Βασικές αρχές ημιαγωγών και τρανζίστορ MOS
Εσωτερικές Ηλεκτρικές Εγκαταστάσεις Ι Ενότητα 6: Διατάξεις Προστασίας, Ελέγχου Σταύρος Καμινάρης Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών ΤΕ ΕΛΛΗΝΙΚΗ ΔΗΜΟΚΡΑΤΙΑ Ανώτατο.
Ενδοκρινή συστήματα Κυτταρική επικοινωνία
1-1 Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ, ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ ΗΥ 330 – Σχεδίαση Συστημάτων VLSI Εαρινό εξάμηνο
Ψηφιακή Μετάδοση Αναλογικών Σημάτων Τα σύγχρονα συστήματα επικοινωνίας σε πολύ μεγάλο ποσοστό διαχειρίζονται σήματα ψηφιακής μορφής, δηλαδή, σήματα που.
Εικόνα 5.38 (Rabaey) Τσιμπούκας Κων/νος  Η μέση κατανάλωση ισχύος δίνεται από τον:  Όπου Τ το χρονικό διάστημα που μας ενδιαφέρει.  Τα κυκλωματα.
Αναπληρωτής Καθηγητής, Τομέας Μετεωρολογίας-Κλιματολογίας, Α.Π.Θ.
Κινητές Επικοινωνίες Ενότητα #1: Θόρυβος στις Τηλεπικοινωνίες
Ηλεκτρονική MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) (I) Φώτης Πλέσσας
Συστήματα CAD Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Σχολή Θετικών Επιστημών
Self-resetting domino
Τσιμικλής Γεώργιος Πανταζής Κωνσταντίνος
Καθυστέρηση αντιστροφέα και λογικών πυλών CMOS
Ηλεκτρικά Κυκλώματα και Ηλεκτρονική
Πως Διδάσκω Έννοιες, Φυσικά Μεγέθη, Νόμους
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
ΒΑΡΥΤΙΚΟΙ ΔΙΑΧΩΡΙΣΤΕΣ
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
ΕΞΟΜΟΙΩΣΗ SPICE ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΤΑΣΗΣ CMOS ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑ
Επιλογή του μεγέθους των πυλών
Εικόνα 5-29 Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Γιώργος Αγγελόπουλος Α.Μ. : 5902
ΚΛΙΜΑΚΩΣΗ ΠΑΡΑΜΕΤΡΩΝ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ (Πινακας 3. 8) Σπουρλης Γεώργιος Α. Μ
Σχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων
Ναυπηγικό σχέδιο και αρχές casd
Σχεδίαση λογικών πυλών και κυκλωμάτων σε φυσικό επίπεδο
Θεωρούμε MOSFET p-καναλιού με τα εξής χαρακτηριστικά
Καθυστέρηση αντιστροφέα με παρουσία διασύνδεσης
Ναυπηγικό σχέδιο και αρχές casd (Ε)
Exercise 4.5 Rabaey Όνομα Α.Μ. Έτος Κεττένης Χρίστος 6435 E΄
ΑΣΚΗΣΗ 6-σελ. 193 Ένα σώμα αφήνεται να κινηθεί κατά μήκος του λείου κεκλιμένου επιπέδου. To σώμα μετά από τη διαδρομή ΑΓ εισέρχεται στο οριζόντιο επίπεδο.
Transistor sizing and energy minimization Όνομα Α.Μ. Έτος Παράδειγμα
Χωρητικότητα ΣΤΟΧΟΣ : Ο μαθητής να μπορεί να,.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Υδροστατικές καμπύλες –Υδροστατικό διάγραμμα
Υπολογισμός του πίνακα 3.3 (Rabaey)
Οι νόμοι του Newton (Νεύτωνα)
Το νερό πού απορροφήθηκε είναι :V= pt1+I2-I1 Ο χρόνος t1 βρίσκεται από p = i Ενώ το νερό που έπεσε είναι V’= pt2 Ο χρόνος t2 είναι ο χρόνος λειτουργίας.
נושא 2: מעגלי זרם ישר.
Introducere Circuite NMOS statice
Σχεδίαση Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Behzad Razavi, RF Microelectronics.
Μικροοικονομική Μια σύγχρονη προσέγγιση ΤΟΜΟΣ Β΄ Hal Varian.
اهمیت محاسبه درست دارویی
ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασμός Εαρινό Εξάμηνο 2005
دانشگاه علوم پزشکی کاشان
الفصل السادس قوانين الغازات
גלים אורנים 2009 פרנסיס דרקסלר.
Υφή και Δομή του Εδάφους
ДИЗАЛИЦЕ.
ΑΛΕΞΑΝΔΡΑ ΜΟΣΧΟΥ ΕΘΝΙΚΟ ΚΑΙ ΚΑΠΟΔΙΣΤΡΙΑΚΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΑΘΗΝΩΝ
العنوان الحركة على خط مستقيم
Μεταφορά θερμοκρασίας
Shema Oba tranzistora su obogaćenog tipa. Shema Oba tranzistora su obogaćenog tipa.
4Ω 4Ω __Ω __Ω __Ω 12 V 4Ω 4Ω 4Ω __Ω __Ω __Ω 12 V 4Ω.
Complicated Circuit Ten Resistors Finding the Values.
ΑΝΤΙΑΡΡΥΘΜΙΚΑ ΦΑΡΜΑΚΑ
Insulated Gate Field Effect Transistor (IGFT)
Μεταγράφημα παρουσίασης:

ΨΗΦΙΑΚΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ Υπολογισμος Req (πινακασ 3-3) ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε΄

Μοντελο Ισοδυναμης Αντιστασης Για τον υπολογισμό της ισοδύναμης αντίστασης μοντελοποιούμε το τρανζίστορ ως ένα διακόπτη, με άπειρη αντίσταση αποκοπής και πεπερασμένη αντίσταση αγωγής . Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα

η αντισταση Ron ειναι μια σταθερη και γραμμικη αντισταση Req Χρησιμοποιήσουμε τη μέση τιμή της αντίστασης στην περιοχή λειτουργίας που μας ενδιαφέρει, δηλαδή τη μέση τιμή των αντιστάσεων στα δύο άκρα της μετάβασης. Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα

Ισοδυναμη αντισταση req Προκύπτει Και για το αντίστοιχο διάστημα Όπου: Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα

Υπολογισμος Ισοδυναμης Αντιστασης - παραμετροι Θεωρούμε τρανζίστορ τεχνολογίας 0,25 μm και με λόγο W/L=1. Οι ισχύοντες τιμές παραμέτρων για ένα τρανζίστορ NMOS και για ένα PMOS παρόμοιου μεγέθους φαίνονται στον πιο κάτω πίνακα. VT (V) VDSAT (V) k’ (A/V2) λ (V-1) NMOS 0,43 0,63 115×10-6 0,06 PMOS -0,4 -1 -30×10-6 -0,1 Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα

Σχεσεισ που χρησιμοποιουμε Όπως δείξαμε προηγουμένως η αντίσταση υπολογίζεται από τη σχέση Όπου: Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα

NMOS τρανζιστορ Εφαρμόζοντας τους προηγούμενους τύπους προκύπτουν οι τιμές: VDD (V) 1 1,5 2 2,5 Req (kΩ) 38,7 19,1 14,9 13 Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα

PMOS τρανζιστορ Εφαρμόζοντας τους προηγούμενους τύπους προκύπτουν οι τιμές: VDD (V) 1 1,5 2 2,5 Req (kΩ) 230 55,2 38,4 31,5 Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα

Χαρακτηριστικη αντιστασεων NMOS PMOS Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα

συμπερασματα Η αντίσταση είναι αντιστρόφως ανάλογη του λόγου W/L του στοιχείου. Με διπλασιασμό του πλάτους του τρανζίστορ μειώνεται στο μισό η αντίσταση. Για VDD>>VT+VDSAT/2 η αντίσταση γίνεται εικονικά ανεξάρτητη από τη τάση τροφοδοσίας. Όταν η τάση τροφοδοσίας προσεγγίζει την VT, η αντίσταση παρουσιάζει σημαντική αύξηση. Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα