Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο)

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
ΕΝΟΤΗΤΑ 8Η ΜΝΗΜΕΣ ROM ΚΑΙ RΑΜ
Advertisements

Ομάδα Σχεδίασης Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων
Δυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS
Χωρητικότητα Ο μαθητής να μπορεί να, ΣΤΟΧΟΣ :. Σ’ αυτό το κεφάλαιο θα εισαγάγουμε ένα νέο απλό στοιχείο κυκλώματος του οποίου οι σχέσεις τάσης- έντασης.
ΘΥΡΙΣΤΟΡ (SCR) ΝΑ ΣΧΕΔΙΑΖΕΙ ΤΟ ΣΥΜΒΟΛΟ ΚΑΙ ΝΑ ΑΝΑΦΕΡΕΙ
ΕΝΟΤΗΤΑ 3Η ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ CMOS
ΙΣΧΥΣ Η χρονική συνάρτηση της στιγμιαίας ισχύος προκύπτει από τη σχέση
Κεφάλαιο 23 Ηλεκτρικό Δυναμικό
07. ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΣΥΝΕΧΟΥΣ ΡΕΥΜΑΤΟΣ
15. ΠΥΚΝΩΤΕΣ Ο ΒΑΣΙΚΟΣ ΠΥΚΝΩΤΗΣ 15.1.
Επίλυση κυκλωμάτων αντιστατών με την εφαρμογή των κανόνων του Κίρκωφ
RLC, σε σειρά Στόχος Ο μαθητής να κατανοεί
Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών
ΕΝΟΤΗΤΑ 2Η ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ TTL
Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) (4 περίοδοι)
Κεφάλαιο 26 Συνεχή Ρεύματα
Φράγματα echelle Είναι φράγματα περίθλασης των οποίων κύριο γνώρισμα είναι η μεγάλη διακριτική ικανότητα τους για μεγάλο αριθμό τάξης περίθλασης, όπως.
Φυσική Β’ Λυκείου Κατεύθυνσης
ΣΤΟΧΟΣ : Ο μαθητής να μπορεί να
Τεστ Ηλεκτροστατική. Να σχεδιάσεις βέλη στην εικόνα (α) για να δείξεις την κατεύθυνση του ηλεκτρικού πεδίου στα σημεία Ρ, Σ και Τ. Αν το ηλεκτρικό.
15. ΠΥΚΝΩΤΕΣ ΕΙΔΗ ΠΥΚΝΩΤΩΝ 15.3.
Αντιστάσεις συνδεδεμένες σε γέφυρα
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Τ. Ε. Ι. Κεντρικής Μακεδονίας - Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ. Ε
Βασικές αρχές ημιαγωγών και τρανζίστορ MOS
Ενότητα 8η: Η ΕΛΑΣΤΙΚΗ ΓΡΑΜΜΗ
ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΥΤΟΜΑΤΟΥ ΕΛΕΓΧΟΥ Ι 7 η Διάλεξη Η ΜΕΘΟΔΟΣ ΤΟΥ ΓΕΩΜΕΤΡΙΚΟΥ ΤΟΠΟΥ ΡΙΖΩΝ  Ορισμός του γεωμετρικού τόπου ριζών Αποτελεί μια συγκεκριμένη καμπύλη,
Εικόνα 5.38 (Rabaey) Τσιμπούκας Κων/νος  Η μέση κατανάλωση ισχύος δίνεται από τον:  Όπου Τ το χρονικό διάστημα που μας ενδιαφέρει.  Τα κυκλωματα.
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε ΄. Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα 2.
ΣΤΑΤΙΚΗ Ι Ενότητα 2 η : Ο ΔΙΚΤΥΩΤΟΣ ΔΙΣΚΟΣ Διάλεξη: Η μέθοδος τομών Ritter – γενικοί τύποι και ειδικές περιπτώσεις δικτυωμάτων. Καθηγητής Ε. Μυστακίδης.
Ψηφιακή Σχεδίαση Τ.Ε.Ι. Κρήτης Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών Τμ. Μηχανικών Πληροφορικής.
Ηλεκτρόδια Καθόδου Ηλεκτρόδιο Πύλης Ημιαγωγός Επαφή με άνοδο.
Γενικά για τα τρανζίστορ ισχύος IGBT Τα τρανζίστορ (transistors) ισχύος είναι ημιαγωγικά στοιχεία, τα οποία διαχειρίζονται μεγάλη ισχύ (μεγάλη τάση και.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ (Rabaey et al Example 5-16) Γιώργος Σαρρής6631 ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ.
1 Ηλεκτρονική Διπολικά Τρανζίστορ Ένωσης (Ι) Bipolar Junction Transistors (BJTs) (Ι) Φώτης Πλέσσας Τμήμα Μηχανικών Η/Υ, Τηλεπικοινωνιών.
ΣΤΑΤΙΚΗ Ι Ενότητα 6 η : ΠΑΡΑΜΟΡΦΩΣΕΙΣ Διάλεξη: Ασκήσεις πάνω στην Α.Δ.Ε. για παραμορφώσιμους και δικτυωτούς φορείς. Καθηγητής Ε. Μυστακίδης Τμήμα Πολιτικών.
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΠΥΚΝΩΤΩΝ
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Ηλεκτρονική MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) (I) Φώτης Πλέσσας
Μονοφασικές Ασύγχρονες Μηχανές
P-n Junction Capacitance Όνομα Α.Μ. Έτος Κεττένης Χρίστος 6435 E΄
ΘΥΡΙΣΤΟΡ (SCR) ΣΤΟΧΟΙ Να μπορείτε να,
Ηλεκτρονικός Αντιστροφέας Ισχύος Μονοφασικός Αντιστροφέας με Θυρίστορ
Τμήμα Μηχανικών Η/Υ, Τηλεπικοινωνιών και Δικτύων
ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑ 10.4 Στόχος του παραδείγματος αυτού είναι να υπολογίσουμε το πάχος του oxide για μια συγκεκριμένη τάση threshold.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Ροή Η: Ηλεκτρονική-Κυκλώματα-Υλικά
Εισαγωγή στο Γραμμικό Προγραμματισμό
ΠΟΛΥΜΕΤΡΑ (MULTIMETERS)
ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑ 3.10 Σωτήρης Δημητρίου 6417.
Στατικός ηλεκτρισμός και ηλεκτρικό ρεύμα
Ο ΒΑΣΙΚΟΣ ΠΥΚΝΩΤΗΣ.
Χαρακτηριστικά μεγέθη εναλλασσόμενου ρεύματος και εναλλασσόμενης τάσης
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Παράδειγμα 3.2 Υπολογίστε την τάση threshold (VT0) όταν VSB=0, με πύλη πολυπυριτίου, n_type κανάλι MOS transistor με τις ακόλουθες παραμέτρους: Πυκνότητα.
Χωρητικότητα πύλης - καναλιού ως συνάρτηση του βαθμού κορεσμού.
Θεωρούμε σχεδόν ιδανική TDR μορφή για είσοδο και γραμμή μεταφοράς με συγκεντρωτικές ασυνέχειες στο κέντρο της που εμφανίζονται ως παράλληλη χωρητικότητα.
Work function differences
Από το βιβλίο του Sung-Mo Kang: Aνάλυση και Σχεδίαση Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων CMOS   Όνομα : Τσιμπούκας Κων/νος ΑΜ : 6118 Παράδειγμα 3.7.
ΟΝΟΜΑ: ΧΡΙΣΤΟΣ ΧΡΙΣΤΟΥ Α.Μ: 6157 ΕΤΟΣ: Ε΄
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο)
Παραδειγμα 3.8 ςελ. 192 Kang.
ΣΥΝΔΕΣΜΟΛΟΓΙΕΣ ΑΝΤΙΣΤΑΣΕΩΝ
Μια 6-παλμική γέφυρα τροφοδοτεί ωμικό φορτίο 2 Ω.
Ροή Η: Ηλεκτρονική-Κυκλώματα-Υλικά
ΙΣΧΥΣ ΚΑΙ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΣΤΟ ΕΝΑΛΛΑΣΣΟΜΕΝΟ ΡΕΥΜΑ
ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ
RC, σε σειρά Στόχος Ο μαθητής να μπορεί να
Μεταγράφημα παρουσίασης:

Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο) Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο) Δημόπουλος Δημήτριος ΑΜ: 5956

Θεωρία περί Band-Flat Voltage. Παράδειγμα 10.3 Στόχος: Υπολογισμός της Flat –Band τάσης για έναν mos πυκνωτή με p τύπου υπόστρωμα και n+ πύλη πολυπυριτίου. Ανασκόπηση Γνώσεων: Θεωρία περί Band-Flat Voltage.

Παράδειγμα 10.3 Band-Flat Voltage: Τι είναι; Είναι η τάση η οποία εφαρμοζόμενη στην πύλη του τρανζίστορ δεν έχει αποτέλεσμα σε καμία κύρτωση των ενεργειακών ζωνών και ως μετέπειτα η περιοχή xd είναι μηδενική. Γιατί συμβαίνει; Έως τώρα θεωρούσαμε ότι η περιοχή του οξειδίου ήταν , από άποψη φορτιού , ουδέτερη. Αυτό δεν ισχύει , καθώς υπάρχει ένα θετικό συνήθως φορτίο , το όποιο προκύπτει από την κατασκευαστική διεργασία του διοξειδίου του πυριτίου. Το φορτίο αυτό φαίνεται να είναι πολύ κοντά στην διεπαφή του οξειδίου-ημιαγωγού. Θεωρούμε Q’ss φορτίο/μονάδα έκτασης.

Παράδειγμα 10.3

mos πυκνωτής με n+ πύλη πολυπυριτίου και p υπόστρωμα Παράδειγμα 10.3 mos πυκνωτής με n+ πύλη πολυπυριτίου και p υπόστρωμα

Παράδειγμα 10.3 Από την : Έχοντας ορίσει Άρα για τάση VG που εφαρμόζουμε θα μεταβληθεί η πτώση τάσης του οξειδίου και το επιφανειακό δυναμικό: Από πιο πάνω καταλήγουμε:

Παράδειγμα 10.3 Λόγω της ουδετερότητας φορτίου: Και τελικά: Μπορούμε να συσχετίσουμε το Q’m με την τάση κατά μήκος του οξειδίου Vox: Και τελικά: Για Flat-band θα έχουμε επιφανειακό δυναμικό μηδέν , δηλαδή Φs=0 άρα θα καταλήξουμε στον τύπο :

Παράδειγμα 10.3

Παράδειγμα 10.3 Δεδομένα: Λύση: Από το σχήμα 10.15 βρίσκουμε ότι

Παράδειγμα 10.3 Σχόλια: Η flat band τάση που παρείχαμε στον p τύπου ημιαγωγό ήταν αρνητική (βλέπε θετικό φορτίο οξειδίου πιο πάνω). Προφανώς εάν το φορτίο του οξειδίου αυξηθεί , τότε θα χρειαστούμε πολύ πιο αρνητική τάση flat-band.