Μοντέλα ηλεκτρικού καλωδίου- Γραμμή μετάδοσης

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
• Office365: έχουν δοθεί οι σχετικές εγκρίσεις και ξεκινά σύντομα η υλοποίηση. Μέχρι το Νοέμβριο αναμένεται όλοι οι εκπαιδευτικοί και μαθητές να έχουν.
Advertisements

ΔΟΡΥΦΟΡΙΚΑ ΝΕΑ ΑΝΑΛΥΣΕΙΣ ΜΑΪΟΥ-ΙΟΥΛΙΟΥ ’04.
Πολυσύνθετες πύλες NMOS και CMOS
Εκτέλεση Αλγορίθμων σε ψευδογλώσσα
ΕΝΟΤΗΤΑ 8Η ΜΝΗΜΕΣ ROM ΚΑΙ RΑΜ
Ομάδα Σχεδίασης Μικροηλεκτρονικών Κυκλωμάτων
Τα Μοντέλα BSIM Ξεκαλάκης Πολυχρόνης. Εισαγωγή Με τον όρο μοντέλο ενός transistor, εννοούμε την απεικόνιση με έμμεσο τρόπο της συμπεριφοράς ενός transistor.
Δυναμική συμπεριφορά των λογικών κυκλωμάτων MOS
του TANCIC NENAD (Α.Ε.Μ.: 3800)
ΕΝΟΤΗΤΑ 3Η ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ CMOS
Μέρος από την παρουσίαση της γιορτής των Χριστουγέννων του σχολείου μας που έγινε στην Κοργιαλένιο Βιβλιοθήκη.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) (4 περίοδοι)
ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΣΤΟΝ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΙΣΜΟ Διδάσκοντες:Στάθης Ζάχος Νίκος Παπασπύρου
Μολυβδαίνιο Μο Καθαρό Μο για πρώτη φορά παραλήφθηκε το 1780 από τον Hjelm. Στην φύση βρίσκεται σαν μολυβδαινίτης MoS 2.
ΓΕΝΙΚΟ ΜΕΡΟΣ – ΑΡΧΕΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΙΚΗΣ
Διαλέξεις στην Ηλεκτρονική Ι Π. Δ. Δημητρόπουλος Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας - Πολυτεχνική Σχολή Τμήμα Μηχανικών Η/Υ, Τηλεπικοινωνιών & Δικτύων.
Από την υπερβολή στην απλότητα 1990 Μετά την υπερβολή έρχεται η απλότητα. Η σιλουέτα ελευθερώνεται και δεν μπορούμε να πούμε ότι υπάρχει ένα συγκεκριμένο.
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ ΗΥ231 – Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική Διδάσκων: Νέστωρ Ευμορφόπουλος.
Παρασιτικές ποσότητες τρανζίστορ και αγωγών διασύνδεσης
Υλοποίηση λογικών πυλών με τρανζίστορ MOS
Τ. Ε. Ι. Κεντρικής Μακεδονίας - Τμήμα Μηχανικών Πληροφορικής Τ. Ε
Βασικές αρχές ημιαγωγών και τρανζίστορ MOS
ΕΙΣΑΓΩΓΙΚΕΣ ΕΝΝΟΙΕΣ ΡΩΜΑΪΚΟΥ ΔΙΚΑΙΟΥ. Ρωμαϊκό Δίκαιο  Το δίκαιο είναι « η τέχνη του ορθού και του ίσου » : ius est ars boni et aequi (Celsus, 2 ος αι.
1-1 Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας ΤΜΗΜΑ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΩΝ, ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ ΚΑΙ ΔΙΚΤΥΩΝ ΗΥ 330 – Σχεδίαση Συστημάτων VLSI Εαρινό εξάμηνο
ΨΗΦΙΑΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ 1 Διάλεξη 2: Άλγεβρα Boole - Λογικές πύλες Δρ Κώστας Χαϊκάλης.
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ. ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΑ Ιστορία του τρανζίστορ Η σπουδαιότητα του Είδη τρανζίστορ Ευρωπαϊκός κώδικας Γενικές εικόνες cmap.
Ταξινόμηση ορυκτών.
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Συστήματα CAD Πανεπιστήμιο Θεσσαλίας Σχολή Θετικών Επιστημών
Μη γραμμικός τερματισμός γραμμής μεταφοράς
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
ΠΑΡΑΔΕΙΓΜΑ 10.4 Στόχος του παραδείγματος αυτού είναι να υπολογίσουμε το πάχος του oxide για μια συγκεκριμένη τάση threshold.
Ροή Η: Ηλεκτρονική-Κυκλώματα-Υλικά
Ανάλυση της εικόνας 4-25 (Rabaey)
Chemicals: The first link in many value chains ENΕΡΓΟUMΕ ΜΕ TO NOMO
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Τεχνολογία προηγμένων ψηφιακών κυκλωμάτων και συστημάτων
Παράδειγμα 3.2 Υπολογίστε την τάση threshold (VT0) όταν VSB=0, με πύλη πολυπυριτίου, n_type κανάλι MOS transistor με τις ακόλουθες παραμέτρους: Πυκνότητα.
Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο)
Χωρητικότητα πύλης - καναλιού ως συνάρτηση του βαθμού κορεσμού.
Παράδειγμα 3.6 Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ
ΕΞΟΜΟΙΩΣΗ SPICE ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΜΕΤΑΦΟΡΑΣ ΤΑΣΗΣ CMOS ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑ
Σουλφίδια.
Γιώργος Αγγελόπουλος Α.Μ. : 5902
Ηλεκτρονική MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) (II) Φώτης Πλέσσας
Μεταβατική απόκριση γραμμής μετάδοσης για τερματισμό ανοιχτοκυκλώματος
Σχεδίαση Μεικτών VLSI Κυκλωμάτων
Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο)
Πυροβολάκης Γιώργος 6073 Φωτόπουλος Αρχιμήδης 6130
Καθυστέρηση αντιστροφέα με παρουσία διασύνδεσης
ΠΑΘΟΛΟΓΙΚΗ ΦΥΣΙΟΛΟΓΙΑ ΝΕΟΠΛΑΣΙΩΝ
Επεξήγηση σχήματος 3.14 & παρουσίαση του παραδείγματος 10.4
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΡΟΗΓΜΕΝΩΝ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΩΝ
Ροή Η: Ηλεκτρονική-Κυκλώματα-Υλικά
Φροντιστήριο : Ασκήσεις στην δυναμική διεργασιών
Behzad Razavi, RF Microelectronics.
ΗΜΥ-210: Λογικός Σχεδιασμός Εαρινό Εξάμηνο 2005
ΚΙΝΗΤΑ ΔΙΚΤΥΑ ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΩΝ
Слика света средњовековног човека у огледалу старословенског језика
Μολυβδαίνιο Μο Καθαρό Μο για πρώτη φορά παραλήφθηκε το 1780 από τον Hjelm. Στην φύση βρίσκεται σαν μολυβδαινίτης MoS2.
Efectul Puncturării asupra codurilor TURBO şi a decodării MAP
Familia CMOS Avantaje asupra tehnologiei bipolare:
Curs 08 Amplificatoare de semnal mic cu tranzistoare
ارائه کننده: عبداله کريم پاپی
Klasičan CMOS sklop. Klasičan CMOS sklop Svojstva klasičnog CMOS sklopa lokalna n–podloga oksidna izolacija (LOCOS) podešavanje napona praga ionskom.
Οξείδια, υδροξείδια.
Shema Oba tranzistora su obogaćenog tipa. Shema Oba tranzistora su obogaćenog tipa.
Insulated Gate Field Effect Transistor (IGFT)
Μεταγράφημα παρουσίασης:

Μοντέλα ηλεκτρικού καλωδίου- Γραμμή μετάδοσης Γιώργος Αγγελόπουλος Α.Μ.: 5902

4.4.5 Γραμμή μετάδοσης Η μεταβατική συμπεριφορά μιας ολοκληρωμένης γραμμής μεταφοράς εξαρτάται από τη χαρακτηριστική εμπέδηση της γραμμής, τη σειριακή εμπέδηση της πηγής και την εμπέδηση φορτίου.

4.4.5 Γραμμή μετάδοσης Θα μελετήσουμε τη συμπεριφορά της γραμμής μετάδοσης με τη βοήθεια του SPICE. Θεωρούμε αρχικά μια ανοιχτοκυκλωμένη γραμμή και μεταβάλλουμε την (ωμική) εμπέδηση της πηγής. και

4.4.5 Γραμμή μετάδοσης Δημιουργούμε το παρακάτω μοντέλο στο SPICE.

4.4.5 Γραμμή μετάδοσης Μεταβάλλοντας την αντίσταση πηγής παίρνουμε διαφορετικά διαγράμματα. Έχοντας μη ιδανικούς παλμούς (μη μηδενικοί χρόνοι ανόδου- καθόδου) οι κυματομορφές που παίρνουμε παρουσιάζουν πιο ομαλή μορφή.

RS=5Z0 και ιδανικό παλμό

RS=5Z0 και μη ιδανικό παλμό

RS=Z0 και ιδανικό παλμό

RS=Z0 και μη ιδανικό παλμό

RS=1/5Z0 και ιδανικό παλμό

RS=1/5Z0 και μη ιδανικό παλμό

4.4.5 Γραμμή μετάδοσης με χωρητικό τερματισμό Επειδή συχνά τα φορτία στα MOS κυκλώματα είναι χωρητικά, μελετούμε τη γραμμή μετάδοσης με χωρητικό φορτίο. Παρατηρούμε την αλλαγή στις κυματομορφές τάσεων ανάλογα με την τιμή της χωρητικότητας.

4.4.5 Γραμμή μετάδοσης με χωρητικό τερματισμό Το μοντέλο σε SPICE φαίνεται παρακάτω:

Για cL=0.3pF

Για cL=0.5pF

Για cL=1pF

Για cL=2pF

Για cL=7pF

Για cL=20pF

4.4.5 Γραμμή μετάδοσης με χωρητικό τερματισμό Παρατηρούμε ότι η μεταβατική συμπεριφορά του κόμβου του πυκνωτή παρουσιάζει μια σταθερά χρόνου Z0cL, δηλαδή η χαρακτηριστική εμπέδηση της γραμμής μετάδοσης περιορίζει το ρεύμα που μπορεί να φορτίσει τον πυκνωτή. Επίσης, η τάση στον κόμβο της πηγής παρουσιάζει μια απότομη βύθιση μετά από χρόνο 2tflight. Αυτό συμβαίνει επειδή το ανακλώμενο κύμα προσεγγίζει την τελική του τιμή ασυμπτωτικά.