Κατέβασμα παρουσίασης
Η παρουσίαση φορτώνεται. Παρακαλείστε να περιμένετε
1
Παραδειγμα 3.8 ςελ. 192 Kang
2
Yπολογιςμος μεςης χωρητικοτητας Επαφης υποδοχης-υποςτρωματος cDB
MOSFET n-καναλιού αυξητικού-τύπου με τα εξής δεδομένα: Συγκέντρωση ντοπαρίσματος στο υπόστρωμα: Συγκέντρωση ντοπαρίσματος στην πηγή/υποδοχή: Συγκέντρωση ντοπαρίσματος στο πλευρικό τοίχωμα (p+): Πάχος οξειδίου πύλης: Βάθος συνδέσεων: (Οι περιοχές διάχυσης υποδοχής περιβάλλονται από περιοχή διάχυσης p+ σταματήματος καναλιού)
3
Τα τρία πλευρικά τοιχώματα της ορθογώνιας δομής διάχυσης της υποδομής σχηματίζουν (n+)/(p+) επαφές με το εμφύτευμα σταματήματος καναλιού p+, ενώ η κατώτατη περιοχή και τα πλευρικά τοιχώματα που βλέπουν στο κανάλι διαμορφώνουν (n+)/p συνδέσεις. Το υπόστρωμα πολωμένο στα 0V, η τάση υποδοχής αλλάζει από 0.5V σε 5V.
4
Υπολογισμός ενσωματωμένων δυναμικών:
5
Υπολογισμός των μηδενικά πολωμένων χωρητικοτήτων των συνδέσεων ανά μονάδα
Υπολογισμός μηδενικά πολωμένης χωρητικότητας των επαφών των πλευρικών τοιχωμάτων
6
Για να συμπεριλάβουμε τη δοθείσα μεταβολή τάσης της υποδοχής στους υπολογισμούς, πρέπει να βρούμε τους συντελεστές Κeq και Keq,sw Το συνολικό μήκος της περιμέτρου των συνδέσεων (n+)/(p+) είναι ίσο με το άθροισμα των τριών πλευρών της διάχυσης της υποδοχής. Οπότε προκύπτει το εξής:
Παρόμοιες παρουσιάσεις
