Κατέβασμα παρουσίασης
Η παρουσίαση φορτώνεται. Παρακαλείστε να περιμένετε
ΔημοσίευσεΘέτις Δημητρακόπουλος Τροποποιήθηκε πριν 7 χρόνια
1
Lumped Capacitance Model of Wire (Συγκεντρωτικό μοντέλο χωρητικότητας)
DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS RABAEY pp. 152, ex. 4.5 Όνομα: Κωνσταντίνος Επώνυμο: Πανταζής Α.Μ.:6049
2
Ωμική συνιστώσα μικρή Συχνότητα μεταγωγής μέσης-χαμηλής κλίμακας Άρα εξετάζω χωρητικότητα. Rdriver=10KΩ (αντίσταση πηγής του κυκλώματος οδήγησης) Καλώδιο (Al1) L=10cm (Length) W=1μm(Wide) Συνολική χωρητικότητα γραμμής=11pF (example 4.1)
3
Από τον νόμο του Kirchoff προκύπτει:
Λύνουμε ως προς dt και αφού ολοκληρώσουμε έχουμε: Όπου σ=σταθερά
4
Για t=0 έχω Vout=0 και υπολογίζω το σ:
Έπειτα από πράξεις έχω: Όπου θεωρώντας καταλήγω στον παρακάτω τύπο:
5
(α) Ευρεςη t50% (Για μια βηματική τάση Vin)
Στο σημείο όπου θα έχω από την (1):
6
(β) Ευρεςη t10% 90% (Για μια βηματική τάση Vin)
Σημείο 10% Ομοίως με το (α) Σημείο 90% Άρα από το 10% έως το 90% έχω:
7
Συμπεραςματα Αυτοί οι χρόνοι δεν είναι αποδεκτοί ούτε στα χαμηλότερης απόδοσης ψηφιακά κυκλώματα. Διάφορες τεχνικές μείωσης της source resistance του driver.
Παρόμοιες παρουσιάσεις
© 2024 SlidePlayer.gr Inc.
All rights reserved.