Μελέτη λειτουργίας μνήμης EEPROM flash και των παραμέτρων επηρεασμού της απόδοσής της. 1. Εισαγωγή στις μνήμες ΕΕPROM flash 2. Mελέτη της επίδρασης στη.

Παρουσίαση με θέμα: "Μελέτη λειτουργίας μνήμης EEPROM flash και των παραμέτρων επηρεασμού της απόδοσής της. 1. Εισαγωγή στις μνήμες ΕΕPROM flash 2. Mελέτη της επίδρασης στη."— Μεταγράφημα παρουσίασης:

1 Μελέτη λειτουργίας μνήμης EEPROM flash και των παραμέτρων επηρεασμού της απόδοσής της. 1. Εισαγωγή στις μνήμες ΕΕPROM flash 2. Mελέτη της επίδρασης στη λειτουργία της μνήμης 3. Προσπάθεια δημιουργίας συστοιχίας (array) κυψελών μνήμης flash σε VisualStudio 4. Προσομοίωση συστοιχίας με τη βοήθεια τρανζίστορ MOSFET

2 Μνήμες EEPROM flash -Mη πτητικές μνήμες

3 Συσκευή κλειδί: Τρανζίστορ αιωρούμενης πύλης.

4 Αρνητικό φορτίο Χωρίς φορτίο Τιμή του μπιτ = 0 Τιμή του μπιτ = 1 Τρανζίστορ αιωρούμενης πύλης.

5 Διάταξη της μνήμης φλας Μνήμη flash σχεδιασμένη με πύλες NOR

6 Διάταξη της μνήμης φλας Μνήμη flash σχεδιασμένη με πύλες ΝΑND

7 Διάταξη της μνήμης φλας NAND NOR Mεγαλύτερη πυκνότητα Χρησιμοποιείται: -usb φλασάκια -κάρτες μνήμης -Σκληροί δίσκοι Μικρότερη καθηστέρηση Χρησιμοποιείται σε ενσωματωμένα συστήματα

8 Η μνήμη ΕΕPROM φλας υποστηρίζει: Εγγραφή Ανάγνωση

9 Aνάγνωση με ΝΟR V INT

10 Ανάγνωση με ΝΑΝD

11 Η μνήμη ΕΕPROM Flash υποστηρίζει: Ανάγνωση Εγγραφή 1. Διαγραφή - Η τιμή όλων των τρανζίστορ στην FG γίνεται 1 2. Εγγραφή - Τα κατάλληλα τρανζίστορ στην FG παίρνουν την τιμή 0 2 ξεχωριστές διεργασίες

12 Διαγραφή ΝΟR (Όλα τα μπιτ παίρνουν την τιμή 1) Διαγραφή του μπλοκ με το φαινόμενο σήραγγας Κάποια ηλεκτρόνια εισέρχονται έξω από τη FG 1111 1 1

13 Εγγραφή ΝΟR Εισχώρηση θερμών ηλεκτρονίων 0

14 Διαγραφή ΝAND (Όλα τα μπιτ παίρνουν την τιμή 1) Κάποια ηλεκτρόνια εισέρχονται εκτώς της FG 11111111

15 Εγγραφή ΝΑΝD Λείψη ηλεκτρονίων μέσω σήραγγας 0

16 1. Εισαγωγή στις μνήμες ΕΕPROM flash 2. Mελέτη της επίδρασης στη λειτουργία της μνήμης 3.Προσπάθεια δημιουργίας συστοιχίας (array) κυψελών μνήμης flash σε Visual Studio 4. Προσομοίωση συστοιχίας με τη βοήθεια τρανζίστορ MOSFET

17 Χρόνος διατήρησης δεδομένων Με ποιο τρόπο συγκρατούνται τα δεδομένα; Μέσω του ρεύματος που διαρρέει το οξείδιο του μονωτικού. Από τη θερμοκρασία και τους κύκλους εγγραφής/διαγραφής. Από τι εξαρτάται ο χρόνος αυτός;

18 Χρόνος προγραμματισμού (cumulative program time) Δυνατότητα προγραμματισμού ενιαίων bits, bytes ή λέξεων. Παράμετρος που περιορίζει τον αριθμό των εργασιών επαναπρογραμματισμού μεταξύ δύο κύκλων διαγραφής

19 1. Εισαγωγή στις μνήμες ΕΕPROM flash 2. Mελέτη της επίδρασης στη λειτουργία της μνήμης 3.Προσπάθεια δημιουργίας συστοιχίας (array) κυψελών μνήμης Flash σε Visual studio 4. Προσομοίωση συστοιχίας με τη βοήθεια τρανζίστορ MOSFET

20 1. Εισαγωγή στις μνήμες ΕΕPROM flash 2. Mελέτη της επίδρασης στη λειτουργία της μνήμης 3.Προσπάθεια δημιουργίας συστοιχίας (array) κυψελών μνήμης Flash σε Visual studio 4. Προσομοίωση συστοιχίας με τη βοήθεια τρανζίστορ MOSFET

21 Προσομοίωση μνήμης.

22 Περίληψη Οι μνήμες φλας είναι βασισμένες πάνω στα τρανζίστορ της FG - Τα δεδομένα κωδικοποιούνται ανάλογα με το φορτίο που υπάρχει στην FG Η διάταξη της μνήμης γίνεται με NAND ή NOR -ΝΑΝD χρησιμοποιείται σε φλασάκια -ΝOR χρησιμοποιείται σε ενσωματωμένα συστήματα. Η μνήμη διαθέτει κάποιες λειτουργίας οι οποίες επηρεάζουν τον χρόνο λειτουργίας της -Σημαντικό ρόλο παίζει η θερμοκρασία Οι λειτουργίες που πραγματοποιεί είναι η διαγραφή και η ανάγνωση -Ανάλογα με τη λειτουργία που θέλουμε να γίνει στέλνουμε το ανάλογο ρεύμα ώστε να γίνουν οι αλλαγές σε 0 και 1 Κάθε μνήμη είναι φτιαγμένη με συστοιχίες οι οποίες ενώνονται σε WL και BL. -Διαλέγουμε τη λειτουργία που θέλει να γίνει στο ανάλογο τσιπ

23 http://www.ceidnotes.net/view https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory http://searchstorage.techtarget.com/definition/flash-memory http://www.explainthatstuff.com/flashmemory.htmlhttp http://www.ti.com/lit/an/slaa334a/slaa334a.pdf