Παράδειγμα 3.6 Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149.

Slides:



Advertisements
Παρόμοιες παρουσιάσεις
ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΙΚΗ ΠΟΛΙΤΙΚΗ & ΝΟΜΟΘΕΣΙΑ Περιβαλλοντικό ζήτημα και οικολογικό κίνημα ΜΑΘΗΜΑ 6.
Advertisements

Είδη φωτογραφικών μηχανών Στα πλαίσια του μαθήματος Φωτογραφίας στο τμήμα Συντήρησης Έργων Τέχνης και Αρχαιοτήτων, στα Δ.ΙΕΚ Σπάρτης Ρήγου Θάλεια.
Θεολογία και Φυσική στη στωική φιλοσοφία Φυσικοποίηση του Θεού ή θεοποίηση της Φύσης; Χριστίνα Ι. Κούρφαλη, δρ Φιλοσοφίας
Επικοινωνιακός Προγραμματισμός Ι
Αξιολόγηση επενδύσεων
Ανάγκες των ασθενών Φυσικές ανάγκες
Συνείδηση Επίπεδα Προϋποθέσεις καλής λειτουργίας Διαταραχές.
Ανατρίψεις Εν τω βάθει θωπείες
Προδιαγραφές Αναλυτική περιγραφή μαθήματος
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2. ΕΝΑΛΛΑΚΤΙΚΕΣ ΔΗΜΟΣΙΕΣ ΣΥΜΒΑΣΕΙΣ (CONTRACTING OUT)
Α. Αρχή της προτεραιότητας
Υπολογισμός ροής χορήγησης ενδοφλέβιων διαλυμάτων
Καταγραφή των κυήσεων στις οροθετικές γυναίκες της ΜΕΛ του ΠΑΓΝΗ
ΕΥΦΥΗ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΜΕΤΑΦΟΡΩΝ
Βιοηθική Κατά το δεύτερο ήμισυ του προηγούμενου αιώνα αναπτύχθηκε μια νέα τεχνολογία, η Βιοτεχνολογία, βασισμένη στην απίστευτα γοργή ανάπτυξη των Μοριακών.
Δραστηριότητες Πρωτοβάθμιας Φροντίδας Υγείας 1/2
Η θεωρητική βάση της εργασίας με την οικογένεια 1/2
Συνέντευξη Συζήτηση με σκόπιμο στόχο τον οποίο οι συμμετέχοντες αποδέχονται. Η συνέντευξη μοιάζει με τη συζήτηση: Περιλαμβάνουν λεκτική και μη λεκτική.
Ανάλυση Συστημάτων Μακροχρόνιας Φροντίδας (Θ)
Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Ορθογώνιο καρτεσιανό σύστημα συντεταγμένων
Ψυχική Υγεία - Ψυχική Νόσος - Φυσιολογικότητα (Ορισμός, κριτήρια, βασικές έννοιες) (Ι) Α. Ψυχική Υγεία Σύμφωνα με την Παγκόσμια Οργάνωση Υγείας σαν "ψυχική.
ΣΥΣΤΗΜΑ ΥΓΕΙΑΣ Σύστημα Παραγωγής Διανομής Σύστημα Διεύθυνσης
Καθηγητής Σιδερής Ευστάθιος
Αρχή του αρχειακού δεσμού
Επιχειρηματικότητα και Οικονομικό Περιβάλλον
Φροντίδα μετά την αιμοληψία 1/3
Παράδειγμα 3.2 Υπολογίστε την τάση threshold (VT0) όταν VSB=0, με πύλη πολυπυριτίου, n_type κανάλι MOS transistor με τις ακόλουθες παραμέτρους: Πυκνότητα.
ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝΤΙΚΗ ΠΟΛΙΤΙΚΗ & ΝΟΜΟΘΕΣΙΑ Οικονομικά Εργαλεία & Περιβαλλοντική Προστασία στην Ελλάδα ΜΑΘΗΜΑ 10.
Χωρητικότητα πύλης - καναλιού ως συνάρτηση του βαθμού κορεσμού.
Διατροφή Ενότητα 22: Διατροφή και άθληση
Γενική και Μαθηματική Χαρτογραφία (Ε)
Μελάνια και επικαλυπτικά (Ε)
Αξιολόγηση επενδύσεων
Υπηρεσίες Πληροφόρησης
Δίκαιο Επιχειρήσεων ΙΙ
Μελέτη της κίνησης οχήματος με βάση πειραματικά δεδομένα
Αισθητική Σώματος Ι (Ε)
Αξιολόγηση επενδύσεων
Σύσταση και Ανάλυση Γλευκών και Οίνων (Θ)
Πολιτική πληροφόρησης
Ανοικτά Ακαδημαϊκά Μαθήματα στο ΤΕΙ Αθήνας
Τεχνολογία Προηγμένων Ψηφιακών Κυκλωμάτων & Συστημάτων (10ο εξάμηνο)
Ψυχιατρική Ενότητα 6: Οριακή σύγκρουση Ευάγγελος Γ. Παπαγεωργίου
Αισθητική Σώματος Ι (Ε)
Γενική και Μαθηματική Χαρτογραφία (Ε)
Μοντέλα ηλεκτρικού καλωδίου- Γραμμή μετάδοσης
Θεωρούμε MOSFET p-καναλιού με τα εξής χαρακτηριστικά
Ψυχιατρική Ενότητα 8: Μηχανισμοί άμυνας Ευάγγελος Γ. Παπαγεωργίου
Καθυστέρηση αντιστροφέα με παρουσία διασύνδεσης
Εικαστικές συνθέσεις - Χρώμα στο χώρο
Τεχνικές Μάλαξης (Ε) Ενότητα 6: Κάτω άκρο - Εφαρμογές
Ψυχιατρική Ενότητα 4: Συνέχεια ψυχικών λειτουργιών
Επικοινωνιακός Προγραμματισμός Ι
Αξιολόγηση επενδύσεων
Επικοινωνιακός Προγραμματισμός Ι
Επεξήγηση σχήματος 3.14 & παρουσίαση του παραδείγματος 10.4
Δίκαιο Επιχειρήσεων ΙΙ
Τεχνικές Μάλαξης (Ε) Ενότητα 12: Πρόσωπο – Εφαρμογές
Λιθογραφία – Όφσετ (Θ) Ενότητα 9: Καινοτομίες στις τεχνολογίες όφσετ
Θέση και μετατόπιση Η θέση εξαρτάται από τον παρατηρητή x1=-2 x2=3
Ρευστά, Πίεση, Άνωση Το φαινόμενο της Πλεύσης-Βύθισης και οι παράγοντες που το επηρεάζουν ΕΦΕΙΑ 8ο μάθημα.
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΙΣΧΥΟΣ (Θ)
Insulated Gate Field Effect Transistor (IGFT)
2. EYΘΥΓΡΑΜΜΕΣ ΚΙΝΗΣΕΙΣ.
Κεφάλαιο 7 Κατανομές Δειγματοληψίας.
Ειδική Κοσμητολογία (Θ)
Eιδικά θέματα βάσεων χωρικών δεδομένων και θεωρία συστημάτων -Θ
ΟΝΟΜΑ ΟΜΑΔΑΣ Τα έγγραφα στα οποία δουλέψατε Transcribathon Cyprus
Εφαρμοσμένη Ενζυμολογία (Θ)
Μεταγράφημα παρουσίασης:

Παράδειγμα 3.6 Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Παράδειγμα 3.6 Παράμετροι του n-MOS: Πυκνότητα ντοπαρίσματος υποστρώματος: NA=1016cm-3 Πυκνότητα ντοπαρίσματος πύλης: ND(πύλης)=2x1020cm-3 Πάχος οξειδίου πύλης: tox=50nm Σταθερή πυκνότητα οξειδίου διεπαφής: NOX=4x1010cm-2 Πυκνότητα ντοπαρίσματος διάχυσης πηγής και υποδοχής ND=1017cm-3 Η περιοχή καναλιού εμφυτεύεται με προσμίξεις p-τύπου για να ρυθμιστεί η τάση κατωφλίου: Συγκέντρωση προσμίξεων: NΙ=2x1011cm-2 Το βάθος της επαφής των περιοχών διάχυσης πηγής και υποδοχής είναι: xj=1.0μm. Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Παράδειγμα 3.6 Ζητείται: Να σχεδιαστεί η μεταβολή της μηδενικά πολωμένης τάσης κατωφλίου ως συνάρτηση του μήκους καναλιού. (υποθέστε ότι VDS=VSB=0). Να υπολογιστεί η τάση κατωφλίου για L=0.7μm, VDS=5V και VSB=0V. Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

(έχει υπολογιστεί στο παράδειγμα 3.2) Παράδειγμα 3.6 Λύση: Αρχικά θα υπολογίσουμε την τάση κατωφλίου (μηδενικής πόλωσης) χωρίς κανάλι. Στην συνέχεα θα λάβουμε υπόψη την επίδραση, στην τάση κατωφλίου, που θα έχουν οι p-τύπου προσμίξεις στο κανάλι και τέλος την επίδραση που θα έχει το κανάλι, αν αυτό είναι μικρού μήκους. Η τάση κατωφλίου, μηδενικής πόλωσης, χωρίς την εμφύτευση προσμίξεων είναι: (έχει υπολογιστεί στο παράδειγμα 3.2) Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

p-τύπου θα αυξήσει την τάση κατωφλίου Παράδειγμα 3.6 Η πρόσθετη εμφύτευση προσμίξεων p-τύπου θα αυξήσει την τάση κατωφλίου κατά: Η νέα τάση κατωφλίου μηδενικής πόλωσης καναλιού μεγάλου μήκους θα είναι: Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Το κανάλι μικρού μήκους θα επιφέρει μείωση της τάσης κατωφλίου. Παράδειγμα 3.6 Το κανάλι μικρού μήκους θα επιφέρει μείωση της τάσης κατωφλίου. Η νέα τάση υπολογίζεται με την χρήση της: Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Η ενσωματωμένη τάση επαφής πηγής και υποδοχής Παράδειγμα 3.6 Η ενσωματωμένη τάση επαφής πηγής και υποδοχής είναι: Για μηδενικά πολωμένη (VDS=0V) υποδοχή το βάθος των περιοχών απογύμνωσης στην επαφή πηγής και υποδοχής δίνεται από την σχέση: Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Παράδειγμα 3.6 Και η μετατόπιση τάσης κατωφλίου ΔVΤO που οφείλεται στα αποτελέσματα του καναλιού μικρού μήκους συνάρτηση του μήκους καναλιού L γίνεται: Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Τελικά η μηδενικά πολωμένη τάση κατωφλίου είναι: Παράδειγμα 3.6 Τελικά η μηδενικά πολωμένη τάση κατωφλίου είναι: Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Παράδειγμα 3.6 Πιο κάτω παρουσιάζεται γραφικά η μεταβολή της τάσης κατωφλίου ως προς το μήκος του καναλιού: Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Παράδειγμα 3.6 Παρατηρήσεις: Η τάση κατωφλίου μειώνεται κατά τουλάχιστον 50% για μήκη καναλιών στην περιοχή υπό-μικρού, ενώ πλησιάζει την τιμή των 0,8V για μεγαλύτερα μήκη καναλιών. Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Για τάση υποδοχής-πηγής VDS=5V, το βάθος απογύμνωσης υποδοχής είναι: Παράδειγμα 3.6 Υπολογισμός τάσης κατωφλίου για L=0.7μm, VDS=5V και VSB=0V: Για τάση υποδοχής-πηγής VDS=5V, το βάθος απογύμνωσης υποδοχής είναι: Και το βάθος απογύμνωσης πηγής είναι: Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Παράδειγμα 3.6 Η προκύπτουσα μετατόπιση της τάσης κατωφλίου είναι: Τελικά η τάση κατωφλίου του τρανζίστορ MOS, καναλιού μικρού μήκους γίνεται: Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149

Παράδειγμα 3.6 Παρατηρήσεις: Το βάθος της περιοχής απογύμνωσης επαφής υποδοχής αυξάνεται με την τάση VDS. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα να μειώνεται ακόμα περισσότερο η τάση κατωφλίου. (στην προηγούμενη περίπτωση όπου η VDS=0V, η αντίστοιχη τάση κατωφλίου ήταν VTO=0,584V). Τιμοθέου Τιμόθεος Α.Μ. 6149