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實驗二、電晶體頻率響應(二) 共基極( CB )放大器的頻率響應.  探討電晶體共基極 (CB) 電路的頻率響應。 實驗目的.

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1 實驗二、電晶體頻率響應(二) 共基極( CB )放大器的頻率響應

2  探討電晶體共基極 (CB) 電路的頻率響應。 實驗目的

3  電源供應器  信號產生器  數位示波器  三用電錶  電阻 100 K Ω 、 100Ω 、 1 K Ω 、 470 K Ω  電容 100pF 、 1μF  電晶體 Q2N2222 ( npn BJT ) 實驗設備與材料

4  麵包板  單心線  尖嘴鉗  斜口鉗  剝線鉗 實驗設備與材料

5 輸入 : 射極 輸出 : 集極 電路圖

6 A 、直流分析  改變偏壓電壓 V 值,使得 R c 上的壓降為 10V 。  在沒有輸入交流訊號時,測量點 S 、 E 、 B 、 C 的直流 電壓值。 實驗步驟

7 B 、中頻響應  在 I 點輸入一頻率為 10kHz 、 V pp 為 1.2V 的正弦波。  測量 S 、 E 、 B 、 C 點的峰對峰值電壓,計算中頻增益 值。 實驗步驟

8 C 、低頻響應  降低輸入信號的頻率,直到 C 點的峰對峰值電壓, 降低至原值的 倍,此時頻率為低 3dB 頻率 f L 。 實驗步驟

9 D 、高頻響應  在 I 點輸入一頻率為 10kHz 、 V pp 為 1.2V 的正弦波  然後提高輸入信號的頻率,直到 C 點的電壓,降低 至原值的 倍,此時頻率為高 3dB 頻率 f H1  在 C B 電容上並聯等值的電容,測量新的高 3dB 頻率 f H2 ,以驗證支配電容的影響 實驗步驟

10  中頻響應:求出中頻增益  低頻響應:求出 3dB 頻率 f L  高頻響應:求出 3dB 頻率 f H 數據與分析


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